画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52C2V4S RRG | - | ![]() | 3300 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | HS1GLH | 0.2378 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1glhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | tuau6jh | 0.3996 | ![]() | 5286 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | Tuau6 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-tuau6jhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 6 a | 50 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 6a | 64pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBR20L100CTHC0G | - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 850 mv @ 20 a | 20 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
BZT52C3V3-G | 0.0445 | ![]() | 3549 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C3V3-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | FR107GH | 0.0626 | ![]() | 3090 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-FR107GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | HER1607PT C0G | - | ![]() | 4709 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | HER1607 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | HER107G | 0.0981 | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER107 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | S4K | 0.2021 | ![]() | 5602 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S4K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.5 µs | 100 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | S15JC M6G | - | ![]() | 5214 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S15J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 15 a | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | 93pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | S3G R7 | - | ![]() | 1131 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S3GR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BAS19 | 0.0322 | ![]() | 2754 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS19 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-bas19tr | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX585B2V4 RSG | 0.0476 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 45 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | TST30U45C | 1.8492 | ![]() | 2736 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | TST30 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 540 mV @ 15 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||
![]() | SFS1002G MNG | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1002 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | ugf8jd c0g | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | UGF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.3 V @ 8 a | 30 ns | 500 NA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | MBRF3060CT | 0.9495 | ![]() | 1673 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF3060 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 30a | 900 mV @ 30 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SK33B R5G | - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK33 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | MBRS10150ct | 0.5920 | ![]() | 5065 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS10150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS10150CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 980 mV @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRF20150CT | 1.3600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF20150 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.05 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
SS26Lラグ | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS26 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | SRAF10100 C0G | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF10100 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
es1alhrug | - | ![]() | 3104 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | AZ23C5V6 RFG | 0.0786 | ![]() | 6453 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | BZS55C8V2 RXG | 0.0340 | ![]() | 6896 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||||
SS36lhrug | 0.3915 | ![]() | 5666 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS36 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | MBR30100CT | 0.8994 | ![]() | 5414 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR30100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 940 mV @ 30 a | 200 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBR10200CT-Y | 0.4221 | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR10200 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBR10200CT-Y | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 700 mV @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | UF4004HA0G | - | ![]() | 1731 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF4004 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBR6060pth | 2.7251 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR6060 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBR6060pth | ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 60a | 930 mv @ 60 a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜150°C |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫