画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-E4PU6006LHN3 | 2.8900 | ![]() | 7310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | E4PU6006 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 60 a | 74 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | |||||||||||
![]() | VLZ16B-GS08 | - | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ16 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 14.5 v | 15.65 v | 18オーム | ||||||||||||
![]() | SB140-E3/73 | 0.4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB140 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 480 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | BZX384C33-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C33 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | TZM5231F-GS18 | - | ![]() | 9101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5231 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 1600オーム | |||||||||||||
![]() | VS-80PF160 | 7.0519 | ![]() | 2455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 80pf160 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS80PF160 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.46 V @ 220 a | -55°C〜150°C | 80a | - | |||||||||||
![]() | SS5P5-E3/86A | - | ![]() | 4721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS5P5 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 690 mV @ 5 a | 150 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||
![]() | BZT55A8V2-GS08 | - | ![]() | 3582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | vs-8etx06spbf | - | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 8etx06 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 8 a | 17 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | v6kl45du-m3/i | 0.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | V6KL45 | ショットキー | フラットパック5x6(デュアル) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 45 v | 6a | 540 mV @ 3 a | 450 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | BAS170WS-E3-08 | 0.4000 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BAS170 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | -55°C〜125°C | 70ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | plz33b-g3/h | 0.3200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ33 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 25 V | 33 v | 65オーム | ||||||||||||
![]() | TZS4716-GS08 | 0.0411 | ![]() | 4245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | TZS4716 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 100 MA | 10 µA @ 29.6 v | 39 v | |||||||||||||
AZ23C39-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C39 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 29 v | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | BZD27C68P-E3-18 | 0.4400 | ![]() | 6957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27C | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C68 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | SS1F4HM3/h | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS1F4 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 520 mV @ 1 a | 150 µA @ 40 V | 175°C (最大) | 1a | 85pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ESH1DHE3_A/i | 0.4800 | ![]() | 2876 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ESH1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-15MQ040NTRPBF | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 15MQ040 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 490 mV @ 2 a | 500 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 1.5a | 134pf @ 10V、1MHz | |||||||||||
![]() | S1FLG-GS18 | 0.0512 | ![]() | 5730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1F | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-43CTQ080GSTRRP | - | ![]() | 1071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 43CTQ080 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VS43CTQ080GSTRRP | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 20a | 810 mv @ 20 a | 360 µA @ 80 V | 175°C (最大) | |||||||||||
![]() | RGP10BE-E3/53 | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | TLZ8V2B-GS18 | 0.0335 | ![]() | 6037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ8v2 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 7.5 µA @ 7.39 v | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||||
![]() | V12P10-M3/86A | 0.9800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 700 mV @ 12 a | 250 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||
![]() | S5AHE3/57T | - | ![]() | 4730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5a | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBRD660CTPBF | - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | MBRD6 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
MMBZ5265C-HE3-18 | - | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5265 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-ETL1506FP-M3 | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | ETL1506 | 標準 | TO-220-2フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSETL1506FPM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.07 V @ 15 a | 210 ns | 15 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
![]() | BZD27C6V8P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 7332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27C | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C6V8 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | plz27d-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ27 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 21 v | 27 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | VS-60EPU04LHN3 | - | ![]() | 8956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | VS-60EPU04 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 60 a | 85 ns | 50 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 60a | - |
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