画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C2564XV18-366BZXC | 338.7825 | ![]() | 1180 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2564 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 366 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | AT27C512R-70JU | 2.9400 | ![]() | 8310 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT27C512 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27C512R70JU | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | 24AA04-I/MS | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24AA04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | ||
![]() | mtfc32gjved-it | - | ![]() | 3163 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-VFBGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | CG7911am | - | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | AT28C16E-15SC | - | ![]() | 2534 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 24-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | AT28C16 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 24-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT28C16E15SC | ear99 | 8542.32.0051 | 31 | 不揮発性 | 16kbit | 150 ns | Eeprom | 2k x 8 | 平行 | 200µs | ||
![]() | IS42S32800D-7BLI | - | ![]() | 5268 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | Cy62148EV30LL-55SXI | 6.3600 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | Cy62148 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | M25PX32-VMF6E | - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | M25PX32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | N25Q256A11E1240F TR | - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q256A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | gd25q16enigr | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | ||
![]() | 24LC16BT-E/SN16KVAO | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC16B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IDT71V35761YSA183BQI | - | ![]() | 5566 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V35761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V35761YSA183BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 183 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.3 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |
![]() | IS29GL512S-11DHV020 | - | ![]() | 3657 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | mtfc4glmdq-ait z | - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | - | 100-lbga(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
MT29F8G16ABACAWP:C Tr | - | ![]() | 4581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | AT24C64A-10PI-2.7 | - | ![]() | 4390 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C64 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | ||
cat28lv64gi20 | - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | CAT28LV64 | Eeprom | 3V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 64kbit | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 5ms | |||||
![]() | Cy7C1350G-133AXC | 8.3300 | ![]() | 7114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1350 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 6116SA20TPGI | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 24-dip (0.300 "、7.62mm) | 6116SA | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 16kbit | 20 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | Cy62137FV30LL-55ZSXE | 8.6900 | ![]() | 6044 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62137 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | 7005S12PFI8 | - | ![]() | 5135 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-7005S12PFI8TR | 1 | 揮発性 | 64kbit | 12 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 12ns | ||||||||
![]() | 24LC32AT-E/SN | 0.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC32A | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | MT25QU128ABA1EW7-0SIT TR | 4.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
![]() | AT28HC256F-12SA | - | ![]() | 3552 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | AT28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 27 | 不揮発性 | 256kbit | 120 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 3ms | |||
![]() | MT46V16M16P-6T L:F | - | ![]() | 2251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
MX25V1635FM2I | 0.7100 | ![]() | 49 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MX25V1635 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 92 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | ||||
![]() | BR93H76RFVT-2CE2 | 0.5500 | ![]() | 6855 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR93H76 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 512 x 16 | マイクロワイヤ | 4ms | |||
![]() | at49lv002-90pc | - | ![]() | 9909 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | AT49LV002 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-PDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT49LV00290PC | ear99 | 8542.32.0071 | 12 | 不揮発性 | 2mbit | 90 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | ||
![]() | S29GL01GS11TFB023 | 17.5350 | ![]() | 1599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns |
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