SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AIT：E TR 26.6100
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053AIT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT53D4DBNZ-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbnz-dc -
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Micron Technology Inc. * 箱 アクティブ mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
MT42L32M32D1HE-18 IT:D Micron Technology Inc. MT42L32M32D1HE-18それ：d 5.8128
RFQ
 ECAD 1936年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT42L32M32D1HE-18IT：d ear99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT46V32M16P-75:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53B384M64D4NK-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT：b -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808808ABACAWP-AIT：C TR 5.8748
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G088ABACAWP-AIT：CTR 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 20ns
MTFC32GAZAQHD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-ait tr 17.3550
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GAZAQHD-AITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F8T08EULCHD5-R:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-R：c 167.8050
RFQ
 ECAD 7904 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-R：c 1
MT58V1MV18DT-6 Micron Technology Inc. MT58V1MV18DT-6 18.9400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 1m x 18 平行 -
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G080808ABAFAH4-AITES：f -
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,620 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT35XU512ABA1G12-0SIT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0SIT 10.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,144 200 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O 2.8ms
MT40A1G8SA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E：J -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AUT：e 50.2500
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 557-MT53E768M32D4DT-046AUT：e 136 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT41K128M16JT-125 V:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 V：k -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
PC28F640P33T85A Micron Technology Inc. PC28F640P33T85A -
RFQ
 ECAD 1072 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 AIT：D TR 9.3750
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D512M16D1DS-046AIT：DTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 - -
MT58L64V36PT-5 Micron Technology Inc. MT58L64V36PT-5 4.3200
RFQ
 ECAD 944 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 2mbit 3.5 ns sram 64k x 36 平行 -
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR：e -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MTFC16GAPALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gapalht-ait -
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ MTFC16 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC16GAPALHT-AIT 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-053 WT ES：c -
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Micron Technology Inc. MT53B192M32D1Z9AMWC1 -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） - - MT53B192 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 6gbit ドラム 192m x 32 - -
MTFC128GBCAQTC-IT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-IT 52.3700
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC128GBCAQTC-IT 1,520
MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-AATES：F -
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT53D4D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. mt53d4d1asq-dc tr -
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
MT25QL128ABB8E12-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-CAUT 4.8849
RFQ
 ECAD 3572 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL128ABB8E12-CAUT 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 1.8ms
MT53D4DBBP-DC TR Micron Technology Inc. mt53d4dbbbbp-dc tr -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） MT28EW512ABA1HPN-0SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFD12-AAT：F Tr 2.9665
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F1G01ABBFD12-AAT：FTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
M29F400BT70M1 Micron Technology Inc. M29F400BT70M1 -
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます