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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F3G32D8DV-026 AAT：b | 94.8300 |  | 3569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AAT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| mtfc256gaxathf-wt tr | 27.5700 | | 2030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GAXATHF-WTTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT ES：D | - | | 6706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
 | MT53E256M32D2FW-046 IT：B TR | 12.8100 | | 7773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E256M32D2FW-046IT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT46H64M32LFMA-6 wt：b | - | | 7407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT53E1G64D4HJ-046AAT：A TR | 63.1350 | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：ATR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| N25Q064A13ESE40R01 TR | - | | 9418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-sop2 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT：B TR | 63.8550 | | 5248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT53D512M32D2NP-046 AAT ES：D TR | - | | 8857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | mtfc4gmwdq-3m ait a | - | | 7651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc4gmwdq-3maita | 廃止 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | M25PE40-VMW6G | - | | 3889 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25PE40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
| MT29F16T08GWLCEM5-QJ：C Tr | 312.5850 | | 1778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5-QJ：CTR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F16G08888ABACAWP-AAT：c | 33.8100 | | 174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F16G08ABACAWP-AAT：c | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 16gbit | 20 ns | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | ||
 | MT29F4G08ABBEAH4：e | - | | 2380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | PC28F00AP30BF0 | - | | 8435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F00A | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 100ns | ||
 | mtfc64gasaons-it | 44.8100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC64GASAONS-IT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAUT：B TR | - | | 5392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAUT：BTR | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| mtfc32gapalgt-s1 aat tr | 28.4250 | | 8049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | - | - | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | - | - | 557-MTFC32GAPALGT-S1AATTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F | 14.0300 | | 2499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT57V1MH18AF-6 | 23.0000 | | 262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 2.4V〜2.6V | 165-FBGA | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | HSTL | - | ||||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT：G TR | 2.7665 | | 6447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F2G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | |||
| MT29F1T08EELEEJ4-M：E TR | 21.4500 | | 4423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-M：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D1G64D4NW-046 WT：a | - | | 8617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53D1G64D4NW-046WT：a | 廃止 | 1,190 | ||||||||||||||||||
| MT46H64M32LFCX-5 AT：B TR | - | | 2215 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | TE28F640P30B85A | - | | 9123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F640P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | M29W160EB90N1 | - | | 8583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 90 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 90ns | |||
| MT53B256M32D1Z91MWC1 | - | | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | MT53B256 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53D1024M32D4BD-046 WT：d | - | | 8851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53D1024M32D4BD-046WT：D | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||||
 | PC48F4400P0VB0EH | - | | 5082 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-lbga | PC48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -PC48F4400P0VB0EH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | |
 | MT46H8M32LFB5-5 IT：H TR | - | | 5500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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