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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10Z:TR -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 100-tbga(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AIT:e 26.6100
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053AIT:e ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C (TC) - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT41J128M16JT-107G:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107G:K Tr -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MTFC32GAPALGT-S1 IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-s1 it tr 25.8300
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ - - フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V - - 557-MTFC32GAPALGT-S1ITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:b -
RFQ
ECAD 3541 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 83 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT51K256M32HF-70:B TR Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-70:B Tr 10.8900
RFQ
ECAD 6593 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC MT51K256 sgram -gddr5 1.3V〜1.545V - 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D -
RFQ
ECAD 9355 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53B1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 (無制限) ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 6gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L 2.6600
RFQ
ECAD 1027 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 死ぬ MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MTFC4GLYAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc4glyam-wt tr -
RFQ
ECAD 1458 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント - mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-6A IT:J -
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,560 167 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 12ns
MT49H16M18BM-18:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-18:b -
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MTFC32GAPALGT-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-aat 28.4250
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜105°C(Ta) mtfc32g フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MTFC32GAPALGT-AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 TR Micron Technology Inc. MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 TR -
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MTFC256GAXATEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc256gaxatea-wt tr 27.5700
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand(slc) - 153-VFBGA (11.5x13 - 557-MTFC256GAXATEA-WTTR 2,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR -
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 200-VFBGA MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR -
RFQ
ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
M25P80-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25P80-VMW6TG TR -
RFQ
ECAD 5365 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
M29W400DT45ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DT45ZE6E -
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA (6x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 187 不揮発性 4mbit 45 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 45ns
M58LT128KSB7ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KSB7ZA6F TR -
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
MT62F1536M64D8CL-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-026 WT:B TR 55.3050
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-026WT:BTR 2,500 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR -
RFQ
ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
EDFM432A1PH-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFM432A1PH-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C(TA) 表面マウント - EDFM432 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 168-FBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 平行 -
MT46H128M16LFCK-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M16LFCK-6それ:a -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MTFC256GAXATHF-WT Micron Technology Inc. mtfc256gaxathf-wt 27.5700
RFQ
ECAD 4851 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MTFC256GAXATHF-WT 1
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EMHAFJ4-3R:a -
RFQ
ECAD 9383 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
M29W400DB45ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DB45ZE6E -
RFQ
ECAD 7201 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA (6x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 187 不揮発性 4mbit 45 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 45ns
MT29F2T08EMHBFJ4-R:B Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHBFJ4-R:b -
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ-Nand (TLC) 1.7V〜1.95V 132-VBGA(12x18) - 557-MT29F2T08EMHBFJ4-R:b 廃止 8542.32.0071 1,120 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MTFC16GJVEC-WT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-wt tr -
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
N25Q064A13ESED0G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESED0G -
RFQ
ECAD 1325 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫