画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F256G08CKCABH2-10Z:TR | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-tbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 AIT:e | 26.6100 | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E768M32D4DT-053AIT:e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||
![]() | MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR | - | ![]() | 7689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
MT41J128M16JT-107G:K Tr | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | mtfc32gapalgt-s1 it tr | 25.8300 | ![]() | 1609 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | - | - | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | - | - | 557-MTFC32GAPALGT-S1ITTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
![]() | MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:b | - | ![]() | 3541 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT51K256M32HF-70:B Tr | 10.8900 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | MT51K256 | sgram -gddr5 | 1.3V〜1.545V | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||||
![]() | MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D | - | ![]() | 9355 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B1536 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 6gbit | ドラム | 1.5GX 32 | - | - | |||||
![]() | MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L | 2.6600 | ![]() | 1027 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | |||||
![]() | mtfc4glyam-wt tr | - | ![]() | 1458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT48LC4M16A2B4-6A IT:J | - | ![]() | 3057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 12ns | ||
![]() | MT49H16M18BM-18:b | - | ![]() | 8931 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | mtfc32gapalgt-aat | 28.4250 | ![]() | 9278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C(Ta) | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MTFC32GAPALGT-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 TR | - | ![]() | 7395 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | mtfc256gaxatea-wt tr | 27.5700 | ![]() | 2892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC256GAXATEA-WTTR | 2,000 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||||||
![]() | MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR | - | ![]() | 5672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR | - | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | M25P80-VMW6TG TR | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | M29W400DT45ZE6E | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA (6x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | M58LT128KSB7ZA6F TR | - | ![]() | 9359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT62F1536M64D8CL-026 WT:B TR | 55.3050 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-026WT:BTR | 2,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR | - | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | EDFM432A1PH-GD-FR TR | - | ![]() | 9107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | - | EDFM432 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | MT46H128M16LFCK-6それ:a | - | ![]() | 1527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H128M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | mtfc256gaxathf-wt | 27.5700 | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC256GAXATHF-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1T08EMHAFJ4-3R:a | - | ![]() | 9383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | M29W400DB45ZE6E | - | ![]() | 7201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA (6x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 45ns | |||
![]() | MT29F2T08EMHBFJ4-R:b | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 1.7V〜1.95V | 132-VBGA(12x18) | - | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-R:b | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | mtfc16gjvec-wt tr | - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | N25Q064A13ESED0G | - | ![]() | 1325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms |
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