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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT62F1G64D8EK-031 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AIT：B TR 56.4300
RFQ
 ECAD 3438 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D8EK-031AIT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-R：e 10.7250
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-VBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R：e 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46V128M4P-5B:F Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B：F -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
RD48F3000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F3000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA RD48F3000 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT61K256M32JE-14:A TR Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-14：TR -
RFQ
 ECAD 3955 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K256 sgram -gddr6 1.31V〜1.39V 180-FBGA（12x14） ダウンロード ear99 8542.32.0071 2,000 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT28F320J3RG-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 MET -
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
M25PE10-VD11 Micron Technology Inc. M25PE10-VD11 -
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M25PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、5ms
MT46V64M8P-5B L IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B L IT：J TR -
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 ECAD 4975 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT48LC64M4A2TG-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2TG-6A：d -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 12ns
MT41K512M8V00HWC1-N002 Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1-N002 -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT25QU02GCBB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AUT TR 39.4950
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT25QU02GCBB8E12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 1.8ms
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AIT：E TR 9.2250
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G8SA-062EAIT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT46H16M32LFCM-5:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-5：B TR -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-062 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 5231 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT44K16M36RB-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125E：TR -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 800 MHz 揮発性 576mbit 10 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT -
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT48H16M32L2B5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-8 IT TR -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 512mbit 7.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCBBH2-12IT：b -
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT41J64M16JT-187E:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-187E：g -
RFQ
 ECAD 8726 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
JS28F512P30BFA Micron Technology Inc. JS28F512P30BFA -
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 ECAD 9263 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 110ns
MT41K64M16TW-125:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-125：J TR -
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MT46V32M16P-5B L:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B L：J TR -
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT45W1MW16PAFA-70 WT TR Micron Technology Inc. mt45w1mw16pafa-70 wt tr -
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W1MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
PC28F512P30EF0 Micron Technology Inc. PC28F512P30EF0 -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37：B TR -
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
MT53E256M16D1FW-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 AIT：b 12.5300
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E256M16D1FW-046AIT：b ear99 8542.32.0036 136 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 - -
MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AATES：G TR 5.3943
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT29F2G01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F2G01ABBGD12-AATES：GTR 8542.32.0071 2,000 83 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT48LC64M8A2P-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 L：c -
RFQ
 ECAD 2607 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AUT：a -
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 ECAD 9707 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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