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ICS ）（5782）

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IS49NLC93200-25WBLI	-	RFQ	1258	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	32m x 9	平行	-
IS42S16100C1-5T	-	RFQ	6305	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117	200 MHz	揮発性	16mbit	5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS64LF204818B-7.5TQLA3	132.3258	RFQ	8137	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS64LF204818	sram-非同期	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	揮発性	36mbit	7.5 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS43TR82560B-125KBLI-TR	-	RFQ	1640	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
IS25LQ010A-JNLE	-	RFQ	5509	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25LQ010	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-SOIC	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi -quad i/o	400µs
IS61LV2568L-10T-TR	-	RFQ	6772	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61LV2568	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	2mbit	10 ns	sram	256k x 8	平行	10ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²