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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
GBU4B GeneSiC Semiconductor GBU4B 0.4725
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU4 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 100 V 4 a 単相 100 V
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3890 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3890GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
1N3766 GeneSiC Semiconductor 1N3766 6.2320
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3766 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3766GN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor MBR60035CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR60035 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR60035CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 1.3500
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント to-252-3 GB01SLT12 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 1 a 0 ns 2 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 1a 69pf @ 1V、1MHz
GBPC3508T GeneSiC Semiconductor GBPC3508T 2.8650
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC3508 標準 GBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 800 V 35 a 単相 800 V
FST7335M GeneSiC Semiconductor FST7335M -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 35a 700 mV @ 35 a 1 MA @ 35 v -55°C〜150°C
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1033 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor Murta300120 159.9075
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 150a 2.6 V @ 150 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR2X050A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A150 43.6545
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X050 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 150 v 50a 880 mV @ 50 a 3 MA @ 150 v -40°C〜150°C
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67ハーフパック MBRH12045 ショットキー、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 45 v 700 mV @ 120 a 1 MA @ 45 v -55°C〜150°C 120a -
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20G02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
GBPC1502T GeneSiC Semiconductor GBPC1502T 2.4180
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC1502 標準 GBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 a 5 µA @ 200 V 15 a 単相 200 v
1N3214R GeneSiC Semiconductor 1N3214R 7.0650
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3214R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1003 ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 600 V 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
GBPC2506W GeneSiC Semiconductor GBPC2506W 4.2000
RFQ
 ECAD 8886 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W GBPC2506 標準 GBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1291 ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 600 v 25 a 単相 600 V
MBRT40045L GeneSiC Semiconductor MBRT40045L -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 200a 600 mV @ 200 a 5 ma @ 45 v -55°C〜150°C
MBRF20080R GeneSiC Semiconductor MBRF20080R -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 80 v 100a 840 mV @ 100 a 1 MA @ 80 V -55°C〜150°C
MURT20040R GeneSiC Semiconductor MURT20040R 104.4930
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murt20040 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt20040rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 100a 1.35 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBPC5001W GeneSiC Semiconductor GBPC5001W 4.0155
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W GBPC5001 標準 GBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 a 5 µA @ 100 V 50 a 単相 100 V
MBR2X060A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A200 46.9860
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X060 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 200 v 60a 920 mv @ 60 a 3 ma @ 200 v -40°C〜150°C
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10010ctrgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURF10060R GeneSiC Semiconductor murf10060r -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244AB - 1 （無制限） murf10060rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 50a 1.7 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3208R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3208RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 50 v 1.5 V @ 15 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBR7560R GeneSiC Semiconductor MBR7560R 21.9195
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MBR7560 ショットキー、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR7560RGN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 60 V 750 mV @ 75 a 1 MA @ 60 v -55°C〜150°C 75a -
S70MR GeneSiC Semiconductor S70MR 9.8985
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S70M 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70mrgn ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a 8.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 GD20 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード 1 （無制限） 1242-GD20MPS12A ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 20 a 0 ns 10 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 42a 737pf @ 1V、1MHz
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A150 59.6700
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X160 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 150 v 160a 880 mV @ 160 a 3 MA @ 150 v -40°C〜150°C
1N1199AR GeneSiC Semiconductor 1N1199AR 4.2345
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N1199AR 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1028 ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 12a -
MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor MBR20040CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1535 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR20040 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR20040CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 200a dc） 650 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
GBPC3504T GeneSiC Semiconductor GBPC3504T 4.6200
RFQ
 ECAD 467 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4平方、GBPC-T GBPC3504 標準 GBPC-T ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 400 V 35 a 単相 400 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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196-LFBGA露出パッド

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