RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

メモリ（ 70838）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GS81302DT37GE-450I	243.5230	RFQ	7991	GSI Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜100°C （TJ	表面マウント	165-lbga	GS81302DT37	sram- クアッドポート、同期	1.7V〜1.9V	165-fpbga（15x17	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	2364-GS81302DT37GE-450I	3A991B2B	8542.32.0041	10	450 MHz	揮発性	144mbit		sram	4m x 36	平行	-
GS82583EQ18GK-500I	753.0000	RFQ	10	GSI Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜100°C （TJ	表面マウント	260-BGA	GS82583EQ18	sram- クアッドポート、同期	1.25V〜1.35V	260-BGA （22x14）	-	ROHS3準拠	4 （72 時間）	影響を受けていない	2364-GS82583EQ18GK-500I	3A991B2B	8542.32.0041	10	500 MHz	揮発性	288mbit		sram	16m x 18	平行	-
CY7C0830AV-133AI	72.0000	RFQ	44	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	120-LQFP	Cy7C0830	sram- デュアルポート、同期	3.135V〜3.465V	120-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	1.152mbit		sram	64k x 18	平行	-
Cy62137CV30LL-70BVXI	1.3700	RFQ	463	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	Cy62137	sram-非同期	2.7V〜3.3V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	2mbit	70 ns	sram	128k x 16	平行	70ns
cy62137bv18ll-70bai	3.2000	RFQ	6	Cypress Semiconductor Corp	MOBL2™	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy62137	sram-非同期	1.75V〜1.95V	48-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	2mbit	70 ns	sram	128k x 16	平行	70ns
Upd48576218F1-E18-DW1-E2-A	43.3200	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0032	1,000
upd48576118ff-e24-dw1-e2	69.8200	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0032	1,000
71V25761Y5S200PFG	-	RFQ	4459	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71v25761	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	128k x 36	平行	-
CY7C1470V33-200ACES	-	RFQ	4038	Cypress Semiconductor Corp	NOBL™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1470	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	72mbit	3 ns	sram	2m x 36	平行	-
PY7C1049CV33-15zi	-	RFQ	6210	Cypress Semiconductor Corp	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
Cy7C185-25SC	-	RFQ	8211	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	Cy7C185	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-SOJ	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	64kbit	25 ns	sram	8k x 8	平行	25ns
CY7C1021CV33-12BAIT	1.2400	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy7C1021	sram-非同期	3V〜3.6V	48-FBGA	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2B	8542.32.0041	2,000		揮発性	1mbit	12 ns	sram	64k x 16	平行	12ns
CY7C1387BV25-167BGC	22.9300	RFQ	72	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	Cy7C1387	sram- sdr	2.375V〜2.625V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	揮発性	18mbit	3.4 ns	sram	1m x 18	平行	-
71V124SA12TYI	-	RFQ	4630	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	71V124	sram-非同期	3V〜3.6V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	12 ns	sram	128k x 8	平行	12ns
R1LV0816ASA-5SI＃SK	24.2800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991	8542.32.0041	1,000
R1EX24512ASAS0I ＃S0	6.0100	RFQ	467	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0051	2,500
Cy7C1009BN-15VI	2.1300	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	Cy7C1009	sram-非同期	4.5v〜5.5V	32-SOJ	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	15 ns	sram	128k x 8	平行	15ns
upd46185364bf1-e40-eq1-a	42.0700	RFQ	565	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1
w66cm2nquagi tr	-	RFQ	5613	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA	W66cm2	SDRAM -MOBILE LPDDR4X	1.06V〜1.17V	200-WFBGA （10x14.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	LVSTL_11	18ns
MX25U3232FZBI02	1.0900	RFQ	2	マクロニックス	MXSMIO™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-udfn露出パッド	MX25U3232	フラッシュ -	1.65V〜2V	8-USON （4x3）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1092-MX25U3232FZBI02TR	3A991B1A	8542.32.0071	5,000	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o、qpi	40µs、3ms
MX25V1606FM1I03	0.4900	RFQ	13	マクロニックス	MXSMIO™	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	MX25V1606	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	98	104 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi-デュアルi/o	75µs 、4ms
AT25SF081B-MAHB-T	0.5400	RFQ	162	Adesto Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	8-ufdfn露出パッド	AT25SF081	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-udfn （2x3）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	5,000	108 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
AT25QF641B-MHB-T	1.4000	RFQ	35	Adesto Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	8-udfn露出パッド	AT25QF641	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-udfn （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	6,000	104 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	50µs 、4ms
GS8128236GD-333I	277.5900	RFQ	10	GSI Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜100°C （TJ	表面マウント	165-lbga	GS8128236	sram- 同期、標準	2.3V〜2.7V、3V〜3.6V	165-FPBGA（13x15）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	2364-GS8128236GD-333I	ear99	8542.32.0041	10	333 MHz	揮発性	144mbit		sram	4m x 36	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（ 70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²