SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大)
US1GHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1GHE3/5AT -
RFQ
ECAD 4717 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA US1 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
V12P10-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P10-M3/87A 1.0100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP®、TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN V12P10 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 100 V 700 mV @ 12 a 250 µA @ 100 V -40°C〜150°C 12a -
1N6481HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6481HE3/96 -
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) 1N6481 標準 DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 1n6481he3_a/h ear99 8541.10.0080 1,500 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V、1MHz
RGF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1M-E3/67A 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214BA RGF1 標準 do-214ba ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 1000 V 1.3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V、1MHz
RS2GHE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2GHE3/52T -
RFQ
ECAD 5963 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-214AA、SMB RS2 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1.5a 20pf @ 4V、1MHz
U3C-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3C-E3/57T 0.2279
RFQ
ECAD 3665 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc U3c 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 850 高速回復= <500ns 150 v 900 mV @ 3 a 20 ns 10 µA @ 150 v -55°C〜150°C 2a -
UH3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh3dhe3_a/h -
RFQ
ECAD 2018年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc uh3 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 850 高速回復= <500ns 200 v 1.05 V @ 3 a 40 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜175°C 3a -
KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08M-E4/51 -
RFQ
ECAD 8323 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm KBP08 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 a 5 µA @ 800 V 1.5 a 単相 800 V
BY229B-600-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-600-E3/45 -
RFQ
ECAD 1978年年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 BY229 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.85 V @ 20 a 145 ns 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 8a -
BYQ28E-100HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byq28e-100he3/45 -
RFQ
ECAD 3187 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 byq28 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 5a 1.1 V @ 5 a 25 ns 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C
BYV29-300-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV29-300-E3/45 -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 byv29 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 300 V 1.25 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 8a -
BYV32-150-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-150-E3/45 0.8197
RFQ
ECAD 6642 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 byv32 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜150°C
DF01MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01MA-E3/45 0.2528
RFQ
ECAD 2673 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) DF01 標準 DFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 100 V 1 a 単相 100 V
DF02M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF02M-E3/45 0.7800
RFQ
ECAD 468 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) DF02 標準 DFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 200 V 1 a 単相 200 v
DF06M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF06M-E3/45 0.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) DF06 標準 DFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 600 v 1 a 単相 600 V
FEP16GTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16GTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 FEP16 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 16a 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C
FEP16HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16HTHE3/45 -
RFQ
ECAD 9211 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 FEP16 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 500 V 16a 1.5 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 500 V -55°C〜150°C
M2045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M2045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 M2045 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 45 v 700 mV @ 20 a 200 µA @ 45 V -55°C〜150°C 20a -
MBR10H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 MBR10 ショットキー TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 60 V 710 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C 10a -
MBRB1035HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1035HE3/45 -
RFQ
ECAD 3592 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 MBRB10 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 35 v 840 mV @ 20 a 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C 10a -
MBRB2035CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2035CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 MBRB20 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 10a 650 mV @ 10 a 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C
MBRF2060CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2060CT-E3/45 0.8399
RFQ
ECAD 7843 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ MBRF2060 ショットキー ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 10a 800 mV @ 10 a 150 µA @ 60 V -65°C〜150°C
SBLB1630CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1630CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2112 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 SBLB1630 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 8a 550 mv @ 8 a 500 µA @ 30 V -40°C〜125°C
UGB10CCTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb10ccthe3/45 -
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 UGB10 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ugb10ccthe3_a/p ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 5a 1.1 V @ 5 a 25 ns 10 µA @ 150 v -40°C〜150°C
UGF15JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF15JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ UGF15 標準 ITO-220AC - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 15a -
UGF15JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf15jthe3/45 -
RFQ
ECAD 3723 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ UGF15 標準 ITO-220AC - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 15a -
UGF5JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF5JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2767 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ UGF5 標準 ITO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 1.75 V @ 5 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
UGF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf8jthe3_a/p -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ UGF8 標準 ITO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 1.75 V @ 8 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
UHF20FCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UHF20FCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ uhf20 標準 ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 300 V 10a 1.2 V @ 10 a 35 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫