画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | US1GHE3/5AT | - | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||
![]() | V12P10-M3/87A | 1.0100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 700 mV @ 12 a | 250 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 12a | - | ||||||||
![]() | 1N6481HE3/96 | - | ![]() | 2349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N6481 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1n6481he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||
![]() | RGF1M-E3/67A | 0.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214BA | RGF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | |||||||
![]() | RS2GHE3/52T | - | ![]() | 5963 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | RS2 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||
![]() | U3C-E3/57T | 0.2279 | ![]() | 3665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | U3c | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||
![]() | uh3dhe3_a/h | - | ![]() | 2018年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | uh3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||
![]() | KBP08M-E4/51 | - | ![]() | 8323 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | KBP08 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||
![]() | BY229B-600-E3/45 | - | ![]() | 1978年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | BY229 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.85 V @ 20 a | 145 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||
![]() | byq28e-100he3/45 | - | ![]() | 3187 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | byq28 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||
BYV29-300-E3/45 | - | ![]() | 1416 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | byv29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | BYV32-150-E3/45 | 0.8197 | ![]() | 6642 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | |||||||
![]() | DF01MA-E3/45 | 0.2528 | ![]() | 2673 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | DF01 | 標準 | DFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||||
![]() | DF02M-E3/45 | 0.7800 | ![]() | 468 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | DF02 | 標準 | DFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||
![]() | DF06M-E3/45 | 0.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | DF06 | 標準 | DFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 1 a | 単相 | 600 V | |||||||||
![]() | FEP16GTHE3/45 | - | ![]() | 1119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | FEP16HTHE3/45 | - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 16a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | M2045S-E3/4W | - | ![]() | 7170 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | M2045 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 700 mV @ 20 a | 200 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||
MBR10H60HE3/45 | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR10 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 710 mv @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | 10a | - | |||||||||
![]() | MBRB1035HE3/45 | - | ![]() | 3592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB10 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||
![]() | MBRB2035CTHE3/45 | - | ![]() | 1033 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 10a | 650 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRF2060CT-E3/45 | 0.8399 | ![]() | 7843 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF2060 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 150 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | ||||||||
![]() | SBLB1630CTHE3/45 | - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1630 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 8a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | ||||||||
![]() | ugb10ccthe3/45 | - | ![]() | 8948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | UGB10 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ugb10ccthe3_a/p | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | UGF15JT-E3/45 | - | ![]() | 4396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF15 | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 15 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||
![]() | ugf15jthe3/45 | - | ![]() | 3723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF15 | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 15 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||
![]() | UGF5JT-E3/45 | - | ![]() | 2767 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF5 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 5 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||
![]() | ugf8jthe3_a/p | - | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 8 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||
![]() | UHF20FCT-E3/4W | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | uhf20 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.2 V @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜175°C |
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