画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 抵抗-RDS (オン) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SK4221 | - | ![]() | 4422 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 2SK4221 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pb | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 500 V | 26a(ta) | 10V | 240mohm @ 13a 、10V | - | 87 NC @ 10 V | ±30V | 2250 PF @ 30 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||
STL18NM60N | 3.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH™II | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | STL18 | モスフェット(金属酸化物) | PowerFlat™(8x8 hv | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 600 V | 2.1a | 10V | 310mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1000 pf @ 50 V | - | 3W (TA )、110W(TC) | ||||||||||||||||
np75p04ylg-e1-ay | 2.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 75a(tc) | 5V、10V | 9.7mohm @ 37.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 4800 PF @ 25 V | - | 1W (TA )、 138W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | BSO130P03SHXUMA1 | 1.3300 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BSO130 | モスフェット(金属酸化物) | PG-DSO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9.2a | 10V | 13mohm @ 11.7a 、10V | 2.2V @ 140µA | 81 NC @ 10 V | ±25V | 3520 PF @ 25 V | - | 1.56W | |||||||||||||||
![]() | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | 62.7292 | ![]() | 3369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | F435MR | - | ROHS3準拠 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SICW1000N170A-BP | 9.3200 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | SICW1000 | sic (シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ) | TO-247AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 353-SICW1000N170A-BP | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 1700 v | 3a | 15V 、20V | 1.32OHM @ 1.5A 、20V | 4.5V @ 1MA | 15.5 NC @ 20 V | +25V、-5V | 124 PF @ 1000 v | - | 69W | |||||||||||||||
![]() | TSM7P06CP | 0.4877 | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TSM7 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM7P06CPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 60 V | 7a(tc) | 4.5V 、10V | 180mohm @ 3a、10V | 2.5V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 425 PF @ 30 V | - | 15.6W | |||||||||||||||
![]() | TSM055N03PQ56 | 0.7033 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM055 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x5.8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM055N03PQ56TR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 80a(tc) | 4.5V 、10V | 5.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ±20V | 1160 PF @ 25 V | - | 74W | |||||||||||||||
![]() | IF1320ST3TR | - | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | インターフェット | IF1320 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 4966-IF1320ST3TR | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 20 v | 15pf @ 10V | 10 ma @ 10 v | 1.1 V @ 0.5 Na | 50オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMP5114 | - | ![]() | 6797 | 0.00000000 | インターフェット | SMP5114 | ストリップ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 4966-SMP5114 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 30 V | 12pf @ 10V | 45 MA @ 15 V | 6 V @ 1 Na | 65オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMP4220ATR | - | ![]() | 4134 | 0.00000000 | インターフェット | SMP4220 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 4966-SMP4220ATR | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 3PF @ 15V | 1 MA @ 15 V | 1 V @ 0.1 Na | 800オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMP4221 | - | ![]() | 8617 | 0.00000000 | インターフェット | SMP4221 | ストリップ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 4966-SMP4221 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 3PF @ 15V | 2.8 mA @ 15 V | 2.5 V @ 0.1 Na | 500オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMP4416 | - | ![]() | 4411 | 0.00000000 | インターフェット | SMP4416 | ストリップ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 4966-SMP4416 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 3.5pf @ 15V | 8 ma @ 15 v | 3 V @ 1 Na | 180オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | TQM056NH04CR RLG | 2.9900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 8-powertdfn | TQM056 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFNU (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 17a | 7V 、10V | 5.6mohm @ 27a 、10V | 3.6V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 2912 PF @ 25 V | - | 78.9W | |||||||||||||||
![]() | VS-GT50LA65UF | 26.8736 | ![]() | 9487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | GT50 | 163 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-GT50LA65UF | 1 | シングルチョッパー | トレンチフィールドストップ | 650 V | 59 a | 2.1V @ 15V 、50a | 40 µA | いいえ | ||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n4093ub | 126.9800 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/431 | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N4093 | 360 MW | ub | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 8 ma @ 20 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | sihj7n65e-t1-ge3 | 1.1737 | ![]() | 7081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | sihj7 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 650 V | 7.9a | 10V | 598mohm @ 3.5a 、10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±30V | 820 PF @ 100 V | - | 96W | ||||||||||||||||
![]() | ICE22N60 | - | ![]() | 8577 | 0.00000000 | icemosテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | 5133-ICE22N60 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 22a(tc) | 10V | 160mohm @ 11a 、10V | 3.9V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 208W | ||||||||||||||||||
![]() | VP0104N3-G | 1.0200 | ![]() | 978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | VP0104 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 40 v | 250ma | 5V、10V | 8OHM @ 500MA 、10V | 3.5V @ 1MA | ±20V | 60 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | DMT10H010LPS-13 | 1.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | DMT10 | モスフェット(金属酸化物) | PowerDi5060-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 9.4a(タタ)、 98a | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 13a 、10V | 3.5V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 50 V | - | 1.2w | |||||||||||||||
![]() | SI3440DV-T1-E3 | 1.5200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3440 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 150 v | 1.2a(ta) | 6V 、10V | 375mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W | |||||||||||||||||
![]() | AOD520 | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | バルク | 廃止 | AOD52 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SQJ443EP-T1_BE3 | 1.4100 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJ443EP-T1_BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 40 v | 40a(tc) | 4.5V 、10V | 29mohm @ 18a 、10V | 2.5V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ±20V | 2030 pf @ 20 v | - | 83W | |||||||||||||||||
![]() | FCU2250N80Z | - | ![]() | 2317 | 0.00000000 | onsemi | superfet®ii | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | FCU2250 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2166-FCU2250N80Z-488 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 800 V | 2.6a(tc) | 10V | 2.25OHM @ 1.3A 、10V | 4.5V @ 260µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 585 PF @ 100 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IPLK60R360PFD7ATMA1 | 1.6300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™pfd7 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | IPLK60 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8-52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 600 V | 13a(tc) | 10V | 360mohm @ 2.9a 、10V | 4.5V @ 140µA | 12.7 NC @ 10 V | ±20V | 534 PF @ 400 v | - | 74W |
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