SIC
close

ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor MSRTA200140D 142.3575
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント モジュール MSRTA200 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1242-MSRTA200140D ear99 8541.10.0080 24 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1400 v 200a 1.1 V @ 200 a 10 µA @ 1400 v -55°C〜150°C
MBR7545R GeneSiC Semiconductor MBR7545R 21.9195
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MBR7545 ショットキー、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR7545RGN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 45 v 650 mV @ 75 a 1 MA @ 45 v -55°C〜150°C 75a -
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
GBJ30D GeneSiC Semiconductor GBJ30D 1.1205
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ30 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ30D ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µA @ 200 V 30 a 単相 200 v
BR84 GeneSiC Semiconductor BR84 0.8910
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -65°C〜125°C 穴を通して 4 平方、BR-8 標準 BR-8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） BR84GN ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V 8 a 単相 400 V
1N3297A GeneSiC Semiconductor 1N3297A 33.8130
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3297 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3297AGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1400 v 1.5 V @ 100 a 7 MA @ 1400 v -40°C〜200°C 100a -
KBL608G GeneSiC Semiconductor KBL608G 0.5805
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbl KBL608 標準 KBL ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） KBL608GGN ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
MBR30035CTL GeneSiC Semiconductor MBR30035CTL -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー ショットキー ツインタワー - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 35 v -55°C〜150°C
S85GR GeneSiC Semiconductor S85GR 11.8980
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85G 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S85GRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
SD4145R GeneSiC Semiconductor SD4145R 14.3280
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa SD4145 ショットキー、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 45 v 680 mV @ 30 a 1.5 mA @ 35 v -55°C〜150°C 30a -
S16M GeneSiC Semiconductor S16M 4.5900
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16MGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR60045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTRL -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー ショットキー ツインタワー ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 300a 600 mV @ 300 a 5 ma @ 45 v -55°C〜150°C
GBJ35B GeneSiC Semiconductor GBJ35B 1.6410
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ35 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ35B ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 a 10 µA @ 100 V 35 a 単相 100 V
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25080 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT200 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1600 v 200a 1.1 V @ 200 a 10 µA @ 1600 v -55°C〜150°C
MURF10005 GeneSiC Semiconductor murf10005 -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 （無制限） murf10005gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBJ25K GeneSiC Semiconductor GBJ25K 0.9795
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ25 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ25K ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µA @ 800 V 25 a 単相 800 V
GBJ6M GeneSiC Semiconductor GBJ6M 0.6645
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ6 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ6M ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µA @ 1000 v 6 a 単相 1 kV
GBJ10J GeneSiC Semiconductor GBJ10J 0.7470
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ10 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ10J ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 a 5 µA @ 600 v 10 a 単相 600 V
GBJ15J GeneSiC Semiconductor GBJ15J 0.7875
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ15 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ15J ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 a 5 µA @ 600 v 15 a 単相 600 V
GBJ30K GeneSiC Semiconductor GBJ30K 1.1205
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ30 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ30K ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µA @ 800 V 30 a 単相 800 V
GBJ25G GeneSiC Semiconductor GBJ25G 0.9795
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ25 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ25G ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µA @ 400 V 25 a 単相 400 V
GBJ6G GeneSiC Semiconductor gbj6g 0.6645
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ6 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ6G ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µA @ 400 V 6 a 単相 400 V
GBJ30J GeneSiC Semiconductor GBJ30J 1.1205
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ30 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ30J ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µA @ 600 v 30 a 単相 600 V
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 5-SMDモジュール 標準 5-SMD - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 100 a 10 mA @ 800 v 100 a 3フェーズ 800 V
GBJ20D GeneSiC Semiconductor gbj20d 0.9120
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ20 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ20D ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 10 a 5 µA @ 200 V 20 a 単相 200 v
KBU8K GeneSiC Semiconductor KBU8K 0.7425
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu KBU8 標準 KBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） kbu8kgn ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µA @ 800 V 8 a 単相 800 V
SD51 GeneSiC Semiconductor SD51 19.1580
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド SD51 ショットキー DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） SD51GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 45 v 660 mV @ 60 a 5 ma @ 45 v -65°C〜150°C 60a -
KBPC5001T GeneSiC Semiconductor KBPC5001T 2.5875
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、KBPC-T KBPC5001 標準 KBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 a 5 µA @ 100 V 50 a 単相 100 V
GBPC5004W GeneSiC Semiconductor GBPC5004W 4.0155
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W GBPC5004 標準 GBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 a 5 µA @ 400 V 50 a 単相 400 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます