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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
MBR20060CT GeneSiC Semiconductor MBR20060CT 90.1380
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR20060 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR20060CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 200a dc） 750 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
MBRTA60035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60035RL -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 300a 600 mV @ 300 a 3 ma @ 35 v -55°C〜150°C
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor MBRT60060R 140.2020
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60060 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60060RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 60 V 300a 800 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220 -
RFQ
 ECAD 7699 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して 軸 sic （炭化シリコン）ショットキー - ダウンロード 1 （無制限） 1242-1257 ear99 8541.10.0070 10 回復時間なし> 500ma 8000 V 4.6 V @ 50 Ma 0 ns 3.8 µA @ 8000 V -55°C〜175°C 50ma 25pf @ 1V、1MHz
MBRT20035 GeneSiC Semiconductor MBRT20035 98.8155
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1103 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA GKR130 標準 do-205aa - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.5 V @ 60 a 22 MA @ 400 v -40°C〜180°C 165a -
MBRT400150 GeneSiC Semiconductor MBRT400150 118.4160
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 200a 880 mV @ 200 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GBU8B GeneSiC Semiconductor GBU8B 1.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU8 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 a 5 µA @ 100 V 8 a 単相 100 V
S6BR GeneSiC Semiconductor S6BR 3.8625
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S6B 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S6BRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 6 a 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
S16GR GeneSiC Semiconductor S16GR 4.5900
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S16G 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16Grgn ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
FR6D02 GeneSiC Semiconductor FR6D02 4.9020
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6D02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S85BGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S12DR GeneSiC Semiconductor S12DR 4.2345
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S12D 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12DRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S40KR GeneSiC Semiconductor S40kr 10.3200
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S40K 標準、逆極性 do-203ab（do-5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3879 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1087 ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 50 v 1.4 V @ 6 a 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBRF600150R GeneSiC Semiconductor MBRF600150R -
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 300a 880 mV @ 300 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GBU10B GeneSiC Semiconductor GBU10B 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU10 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu10bgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 a 単相 100 V
GBPC5002T GeneSiC Semiconductor GBPC5002T 4.0155
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC5002 標準 GBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 a 5 µA @ 200 V 50 a 単相 200 v
SD41R GeneSiC Semiconductor SD41R 14.3280
RFQ
 ECAD 1822年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa SD41 ショットキー、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 35 v 680 mV @ 30 a 1.5 mA @ 35 v -55°C〜150°C 30a -
GBU8G GeneSiC Semiconductor gbu8g 1.5700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU8 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 a 5 µA @ 400 V 8 a 単相 400 V
FR16D05 GeneSiC Semiconductor FR16D05 8.1330
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR16D05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 1.1 V @ 16 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRF300100R GeneSiC Semiconductor MBRF300100R -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB MBRF3001 ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 150a 840 mV @ 150 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR8080 GeneSiC Semiconductor MBR8080 21.1680
RFQ
 ECAD 7977 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド ショットキー DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR8080GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 80 v 840 mV @ 80 a 1 MA @ 80 V -55°C〜150°C 80a -
MURT20010R GeneSiC Semiconductor Murt20010r 104.4930
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murt20010 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt20010rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRTA800150R GeneSiC Semiconductor MBRTA800150R -
RFQ
 ECAD 4878 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 400a 880 mV @ 400 a 5 ma @ 150 v -55°C〜150°C
MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A10 51.8535
RFQ
 ECAD 1194 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック Mur2x120 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 標準回復> 500ns 2独立 1000 V 120a 2.35 V @ 120 a 25 µA @ 1000 V -55°C〜175°C
MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor MBR50020CTR -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR50020CTRGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 20 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
S16Q GeneSiC Semiconductor S16Q 4.5900
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor MBRH20045 75.0900
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 ショットキー D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1006 ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 45 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MURH10005R GeneSiC Semiconductor MURH10005R -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D-67 標準、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murh10005rgn ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 50 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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