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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
1N2130AR GeneSiC Semiconductor 1N2130AR 11.7300
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N2130AR 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1041 ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 150 v 1.1 V @ 60 a 10 µA @ 50 V -65°C〜200°C 60a -
UFT7340M GeneSiC Semiconductor UFT7340M -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M 標準 D61-3M - 1 （無制限） Q11259022 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 70a 1.3 V @ 35 a 75 ns 20 µA @ 400 v -55°C〜150°C
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor MBR300150ct 94.5030
RFQ
 ECAD 1227 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR300150 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 150a 880 mV @ 150 a 3 MA @ 150 v -40°C〜150°C
MBRTA60035 GeneSiC Semiconductor MBRTA60035 -
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 300a 700 mV @ 300 a 1 MA @ 35 v -55°C〜150°C
GKR71/08 GeneSiC Semiconductor GKR71/08 12.4659
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド GKR71 標準 DO-5 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.5 V @ 60 a 10 mA @ 800 v -40°C〜180°C 95a -
MSRTA40060A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060A 60.2552
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA40060 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 400a 1.2 V @ 400 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MUR7040 GeneSiC Semiconductor MUR7040 17.5905
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur7040gn ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor MUR20060CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20060 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20060CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 100a 1.7 V @ 50 a 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRTA80040L GeneSiC Semiconductor MBRTA80040L -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 400a 600 mV @ 400 a 5 ma @ 40 v -55°C〜150°C
MURT40005 GeneSiC Semiconductor Murt40005 -
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt40005gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR20060CT GeneSiC Semiconductor MBR20060CT 90.1380
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR20060 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR20060CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 200a dc） 750 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
MBRTA60035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60035RL -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 300a 600 mV @ 300 a 3 ma @ 35 v -55°C〜150°C
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor MBRT60060R 140.2020
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60060 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60060RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 60 V 300a 800 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220 -
RFQ
 ECAD 7699 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して 軸 sic （炭化シリコン）ショットキー - ダウンロード 1 （無制限） 1242-1257 ear99 8541.10.0070 10 回復時間なし> 500ma 8000 V 4.6 V @ 50 Ma 0 ns 3.8 µA @ 8000 V -55°C〜175°C 50ma 25pf @ 1V、1MHz
MBRF12060 GeneSiC Semiconductor MBRF12060 -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 60a 750 mV @ 60 a 1 MA @ 60 v -55°C〜150°C
MBRT20035 GeneSiC Semiconductor MBRT20035 98.8155
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1103 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA GKR130 標準 do-205aa - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 400 V 1.5 V @ 60 a 22 MA @ 400 v -40°C〜180°C 165a -
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 300a 920 mv @ 300 a 4ma @ 200 v -55°C〜150°C
MBRT400150 GeneSiC Semiconductor MBRT400150 118.4160
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 200a 880 mV @ 200 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GBU8B GeneSiC Semiconductor GBU8B 1.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU8 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 a 5 µA @ 100 V 8 a 単相 100 V
S6BR GeneSiC Semiconductor S6BR 3.8625
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S6B 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S6BRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 6 a 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
S16GR GeneSiC Semiconductor S16GR 4.5900
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S16G 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16Grgn ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
FR6D02 GeneSiC Semiconductor FR6D02 4.9020
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6D02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S85BGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S12DR GeneSiC Semiconductor S12DR 4.2345
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S12D 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12DRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S40KR GeneSiC Semiconductor S40kr 10.3200
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S40K 標準、逆極性 do-203ab（do-5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3879 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1087 ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 50 v 1.4 V @ 6 a 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBRF600150R GeneSiC Semiconductor MBRF600150R -
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 300a 880 mV @ 300 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GBU10B GeneSiC Semiconductor GBU10B 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU10 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu10bgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 a 単相 100 V
GBPC5002T GeneSiC Semiconductor GBPC5002T 4.0155
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC5002 標準 GBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 a 5 µA @ 200 V 50 a 単相 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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