SIC
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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） @ @ if、f
FR20B02 GeneSiC Semiconductor FR20B02 9.0510
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20B02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
MBRF12080 GeneSiC Semiconductor MBRF12080 -
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 60a 840 mV @ 60 a 1 MA @ 80 V -55°C〜150°C
MBRF120200 GeneSiC Semiconductor MBRF120200 -
RFQ
 ECAD 1073 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 MA @ 200 v -55°C〜150°C
MUR5040R GeneSiC Semiconductor MUR5040R 17.8380
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MUR5040 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur5040rgn ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 50 a 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
FR12J02 GeneSiC Semiconductor FR12J02 8.2245
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR12J02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 800 mV @ 12 a 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBRF50060 GeneSiC Semiconductor MBRF50060 -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 250a 780 mV @ 250 a 1 MA @ 60 v -55°C〜150°C
MURH7060R GeneSiC Semiconductor MURH7060R 49.5120
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MURH7060 標準 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 70 a 110 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C 70a -
MBRH12040 GeneSiC Semiconductor MBRH12040 60.0375
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ D-67 ショットキー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1046 ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 40 v 650 mV @ 120 a 4ma @ 20 v 120a -
1N3880 GeneSiC Semiconductor 1N3880 4.9020
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3880 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3880GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 6 a 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor Murta40020r 159.9075
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta40020 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
150K20A GeneSiC Semiconductor 150k20a 35.5695
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 150k20 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 150K20AGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 200 v 1.33 V @ 150 a 35 mA @ 200 v -40°C〜200°C 150a -
MBRF500100 GeneSiC Semiconductor MBRF500100 -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 250a 840 mV @ 250 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRH20035R GeneSiC Semiconductor MBRH20035R 70.0545
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MBRH20035 ショットキー、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRH20035RGN ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 35 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 穴を通して TO-247-2 GB50MPS17 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1345 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1700 v 1.8 V @ 50 a 0 ns 60 µA @ 1700 v -55°C〜175°C 216a 3193pf @ 1V、1MHz
GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP 9.1050
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 新しいデザインではありません 穴を通して TO-220-2フルパック GAP3SLT33 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 50 回復時間なし> 500ma 3300 v 1.7 V @ 300 Ma 0 ns 5 µA @ 3300 v -55°C〜175°C 300mA 42pf @ 1V、1MHz
MURF40020 GeneSiC Semiconductor murf40020 -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 200a 1 V @ 200 a 150 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M -
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M ダウンロード 1 （無制限） FST8320MGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 80A （DC） 650 mv @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FR85JR02 GeneSiC Semiconductor FR85JR02 27.9100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 85 a 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBR2X080A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A080 48.6255
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X080 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 80 v 80a 840 mV @ 80 a 1 MA @ 80 V -40°C〜150°C
1N3890R GeneSiC Semiconductor 1N3890R 6.8085
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3890R 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3890RGN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MBR3580 GeneSiC Semiconductor MBR3580 14.3280
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa ショットキー DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR3580GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 80 v 840 mV @ 35 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C 35a -
GKR71/12 GeneSiC Semiconductor GKR71/12 12.8537
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド GKR71 標準 DO-5 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1200 v 1.5 V @ 60 a 10 mA @ 1200 v -40°C〜180°C 95a -
S40QR GeneSiC Semiconductor S40QR 6.3770
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S40Q 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40QRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
GBPC5004T GeneSiC Semiconductor GBPC5004T 4.0155
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC5004 標準 GBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 a 5 µA @ 400 V 50 a 単相 400 V
GBJ25B GeneSiC Semiconductor GBJ25B 0.9795
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ25 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ25B ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µA @ 100 V 25 a 単相 100 V
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 軸 GA01PNS150 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1258 ear99 8541.10.0080 10 1 a 7PF @ 1000V 、1MHz ピン -シングル 15000V -
GBJ30M GeneSiC Semiconductor GBJ30M 1.1205
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbj GBJ30 標準 GBJ ダウンロード ROHS3準拠 1242-GBJ30M ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µA @ 1000 v 30 a 単相 1 kV
KBPM210G GeneSiC Semiconductor KBPM210G -
RFQ
 ECAD 2438 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない KBPM210GGN ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 a 5 µA @ 50 V 2 a 単相 1 kV
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ カットテープ（CT） sicで中止されました 表面マウント to-252-3 GE06MPS06 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V -55°C〜175°C 17a 279pf @ 1V、1MHz
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 表面マウント TO-263-8 GB05MPS17 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-GB05MPS17-263 ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 1700 v -55°C〜175°C 18a 470pf @ 1V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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