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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005r -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt40005rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40020 GeneSiC Semiconductor Murt40020 132.0780
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt40020gn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40060 GeneSiC Semiconductor Murt40060 -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt40060gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 200a 1.7 V @ 200 a 240 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA50020R GeneSiC Semiconductor Murta50020r 174.1546
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta50020 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murta50020rgn ear99 8541.10.0080 24 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 250a 1.3 V @ 250 a 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor Murta60040r 188.1435
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta60040 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murta60040rgn ear99 8541.10.0080 24 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 300a 1.5 V @ 300 a 220 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA60060R GeneSiC Semiconductor Murta60060r 188.1435
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta60060 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murta60060rgn ear99 8541.10.0080 24 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 300a 1.7 V @ 300 a 280 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S12B GeneSiC Semiconductor S12B 6.3300
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12D GeneSiC Semiconductor S12D 4.2345
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12G GeneSiC Semiconductor S12G 4.2345
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12GGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12JR GeneSiC Semiconductor S12Jr 4.2345
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S12J 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12Jrgn ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12K GeneSiC Semiconductor S12K 4.2345
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12KGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
RFQ
 ECAD 1831年年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12MGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S150QR GeneSiC Semiconductor S150QR 35.5695
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA S150 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1200 v 1.2 V @ 150 a 10 µA @ 600 V -65°C〜200°C 150a -
S16BR GeneSiC Semiconductor S16BR 4.5900
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S16B 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16BRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
S16M GeneSiC Semiconductor S16M 4.5900
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16MGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
S25JR GeneSiC Semiconductor S25Jr 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S25J 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25Jrgn ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S25KR GeneSiC Semiconductor S25kr 5.2485
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S25K 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25krgn ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S300BR GeneSiC Semiconductor S300BR 63.8625
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300BRGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 100 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300D GeneSiC Semiconductor S300D 63.8625
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300DGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 200 v 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300DR GeneSiC Semiconductor S300dr 63.8625
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300DRGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 200 v 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300E GeneSiC Semiconductor S300E 63.8625
RFQ
 ECAD 8223 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300EGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 300 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300ER GeneSiC Semiconductor S300ER 63.8625
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300ERGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 300 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300J GeneSiC Semiconductor S300J 63.8625
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300JGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300JR GeneSiC Semiconductor S300Jr 63.8625
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300Jrgn ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S300ZR GeneSiC Semiconductor S300ZR 85.3080
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300ZRGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 2000 v 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 1600 v -60°C〜180°C 300a -
S380YR GeneSiC Semiconductor S380yr 67.0005
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S380 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S380yrgn ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1600 v 1.2 V @ 380 a 10 µA @ 1600 v -60°C〜180°C 380a -
S400KR GeneSiC Semiconductor S400kr 88.0320
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S400 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S400krgn ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 400 a 10 µA @ 50 V -60°C〜200°C 400a -
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S400 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S400YGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1600 v 1.2 V @ 400 a 10 µA @ 50 V -60°C〜200°C 400a -
S400YR GeneSiC Semiconductor S400yr 92.3505
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S400 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S400yrgn ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1600 v 1.2 V @ 400 a 10 µA @ 50 V -60°C〜200°C 400a -
S40B GeneSiC Semiconductor S40b 10.3200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 do-203ab（do-5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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