SIC
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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor M3P75A-140 -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 5-SMDモジュール 標準 5-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 75 a 10 µA @ 1400 v 75 a 3フェーズ 1.4 kV
MBRF12045 GeneSiC Semiconductor MBRF12045 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 60a 700 mV @ 60 a 1 MA @ 45 v -55°C〜150°C
MBRT200150 GeneSiC Semiconductor MBRT200150 98.8155
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 100a 880 mV @ 100 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 穴を通して TO-247-2 GB25MPS17 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1344 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1700 v 1.8 V @ 25 a 0 ns 10 µA @ 1700 v -55°C〜175°C 52a 2350pf @ 1V、1MHz
GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a 1.4500
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU4 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 50 v
MBRTA80035R GeneSiC Semiconductor MBRTA80035R -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 400a 720 mv @ 400 a 1 MA @ 35 v -55°C〜150°C
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA GKN130 標準 do-205aa - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1800 v 1.5 V @ 60 a 22 MA @ 1800 v -55°C〜150°C 165a -
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール MSRTA600140 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1400 v 600a 1.2 V @ 600 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT150120AD GeneSiC Semiconductor MSRT150120AD 71.6012
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT150 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1200 v 150a 1.1 V @ 150 a 10 µA @ 1200 v -55°C〜150°C
MBRF600100 GeneSiC Semiconductor MBRF600100 -
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 250a 840 mV @ 250 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6AR05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 50 v 1.4 V @ 6 a 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Murt20005 -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt20005gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1018 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X100 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 150 v 100a 880 mV @ 100 a 3 MA @ 150 v -40°C〜150°C
GKR240/16 GeneSiC Semiconductor GKR240/16 73.5088
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド GKR240 標準 do-205ab（do-9） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1600 v 1.4 V @ 60 a 60ma @ 1600 v -40°C〜180°C 320A -
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor MUR10005CTR -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10005ctrgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k 0.4488
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU6 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu6kgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
MURT20005R GeneSiC Semiconductor Murt20005R -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt20005rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S70V GeneSiC Semiconductor S70V 10.1310
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70VGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1400 v 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
MURF30010R GeneSiC Semiconductor murf30010r -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 100 V 150a 1 V @ 150 a 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF400100 GeneSiC Semiconductor MBRF400100 -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 200a 840 mV @ 200 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct 75.1110
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10040ctgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150ct 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR200150 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 100a 880 mV @ 100 a 3 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GKN240/18 GeneSiC Semiconductor GKN240/18 73.7088
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド GKN240 標準 do-205ab（do-9） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1800 v 1.5 V @ 60 a 22 MA @ 1800 v -55°C〜150°C 165a -
UFT14060 GeneSiC Semiconductor UFT14060 -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-249AB 標準 TO-249AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 70a 1.7 V @ 70 a 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR30030 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR30030CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 150a 650 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55°C〜150°C
FR6J02 GeneSiC Semiconductor FR6J02 4.9020
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6J02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 6 a 250 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR35100 GeneSiC Semiconductor MBR35100 14.3280
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa ショットキー DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR35100GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 840 mV @ 35 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C 35a -
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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