SIC
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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
FR70BR02 GeneSiC Semiconductor FR70BR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR70BR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 70 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRF500100R GeneSiC Semiconductor MBRF500100R -
RFQ
 ECAD 5177 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 250a 840 mV @ 250 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR50080CTR GeneSiC Semiconductor MBR50080CTR -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー ショットキー、逆極性 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR50080CTRGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 80 v 250a 880 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MSRTA20060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA20060AD 85.9072
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA200 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 600 V 200a 1.1 V @ 200 a 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR60100R GeneSiC Semiconductor MBR60100R 21.3105
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MBR60100 ショットキー、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR60100RGN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 840 mV @ 60 a 5 ma @ 20 v -65°C〜150°C 60a -
MBRT600100R GeneSiC Semiconductor MBRT600100R 140.2020
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT600100 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT600100RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 300a 880 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBR2X120A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A150 51.8535
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X120 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 150 v 120a 880 mV @ 120 a 3 MA @ 150 v -40°C〜150°C
MURH7005R GeneSiC Semiconductor MURH7005R -
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D-67 標準 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor MUR20040CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20040CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 100a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT60035 GeneSiC Semiconductor MBRT60035 140.2020
RFQ
 ECAD 2005年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60035GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MURF10040 GeneSiC Semiconductor murf10040 -
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244AB - 1 （無制限） murf10040gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S40D GeneSiC Semiconductor S40D 6.3770
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40DGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
FR20K05 GeneSiC Semiconductor FR20K05 9.2895
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20K05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1 V @ 20 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 20a -
GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 8.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 GC2X8 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1327 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 40A （DC） 1.8 V @ 8 a 0 ns 7 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
MBR30040CT GeneSiC Semiconductor MBR30040CT 94.5030
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR30040 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR30040CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 150a 650 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55°C〜150°C
MUR2560 GeneSiC Semiconductor MUR2560 10.1910
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR2560GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 25 a 90 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
FR20DR02 GeneSiC Semiconductor FR20DR02 9.3555
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20DR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
MBRF300100 GeneSiC Semiconductor MBRF300100 -
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB MBRF3001 ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 150a 840 mV @ 150 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRT60040R GeneSiC Semiconductor MBRT60040R 140.2020
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60040 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60040RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST16020 GeneSiC Semiconductor FST16020 75.1110
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST16020GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 160a 750 mV @ 160 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MSRTA200100AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200100AD 85.9072
RFQ
 ECAD 5582 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA200 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1000 V 200a 1.1 V @ 200 a 10 µA @ 1000 v -55°C〜150°C
GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x150mps06n 69.0500
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック gd2x sic （炭化シリコン）ショットキー SOT-227 ダウンロード 1 （無制限） 1242-GD2X150MPS06N ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 2独立 650 V 150a 1.8 V @ 150 a 0 ns 10 µA @ 650 v -55°C〜175°C
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor MUR30060CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR30060 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR30060CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 150a 1.7 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF500200R GeneSiC Semiconductor MBRF500200R -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 250a 920 mv @ 250 a 1 MA @ 200 v -55°C〜150°C
MURTA60020R GeneSiC Semiconductor Murta60020r 188.1435
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta60020 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murta60020rgn ear99 8541.10.0080 24 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 300a 1.3 V @ 300 a 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR2X030A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A080 40.2435
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X030 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 80 v 30a 840 mV @ 30 a 1 MA @ 80 V -40°C〜150°C
MBRT30080 GeneSiC Semiconductor MBRT30080 -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT30080GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 150a 880 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FR40K05 GeneSiC Semiconductor FR40K05 12.8985
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR40K05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1 V @ 40 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
FR30MR05 GeneSiC Semiconductor FR30MR05 10.5930
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR30MR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 1000 V 1 V @ 30 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
MURF20040R GeneSiC Semiconductor MURF20040R -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244AB - 1 （無制限） murf20040rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 100a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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