画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR20DR02 | 9.3555 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR20DR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 20 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||||
![]() | MBRF300100 | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | MBRF3001 | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 150a | 840 mV @ 150 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRT60040R | 140.2020 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MBRT60040 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBRT60040RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 40 v | 300a | 750 mV @ 300 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FST16020 | 75.1110 | ![]() | 7572 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-249AB | ショットキー | TO-249AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FST16020GN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 160a | 750 mV @ 160 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MSRTA200100AD | 85.9072 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRTA200 | 標準 | 3つの塔 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1000 V | 200a | 1.1 V @ 200 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | gd2x150mps06n | 69.0500 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | gd2x | sic (炭化シリコン)ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1242-GD2X150MPS06N | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 回復時間なし> 500ma | 2独立 | 650 V | 150a | 1.8 V @ 150 a | 0 ns | 10 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||||
![]() | MUR30060CTR | 118.4160 | ![]() | 2020 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30060 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30060CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 150a | 1.7 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBRF500200R | - | ![]() | 4952 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 250a | 920 mv @ 250 a | 1 MA @ 200 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | Murta60020r | 188.1435 | ![]() | 2119 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | Murta60020 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murta60020rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 300a | 1.3 V @ 300 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR2X030A080 | 40.2435 | ![]() | 6307 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MBR2X030 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 80 v | 30a | 840 mV @ 30 a | 1 MA @ 80 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | FR12BR02 | 9.2235 | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR12BR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 12 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||
![]() | MBRT30080 | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBRT30080GN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 150a | 880 mV @ 150 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR50035CTR | - | ![]() | 7735 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR50035CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 35 v | 250a | 750 mV @ 250 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | FR40K05 | 12.8985 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR40K05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1 V @ 40 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | |||||
![]() | FR30MR05 | 10.5930 | ![]() | 7891 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR30MR05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1 V @ 30 a | 500 ns | 25 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||||
![]() | MURF20040R | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244AB | - | 1 (無制限) | murf20040rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 100a | 1.3 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | 1N6096R | 14.8695 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N6096R | ショットキー、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N6096RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 40 v | 580 mV @ 25 a | 2ma @ 20 v | -55°C〜150°C | 25a | - | |||||
![]() | GC08MPS12-220 | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | GC08MPS12 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1242-1328 | ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 8 a | 0 ns | 7 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 43a | 545pf @ 1V、1MHz | |||
![]() | MBRF40030 | - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 200a | 700 mV @ 200 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | mur10020ctr | 75.1110 | ![]() | 3597 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR10020 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur10020ctrgn | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 50a | 1.3 V @ 50 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR6080R | 21.3105 | ![]() | 7547 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MBR6080 | ショットキー、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR6080RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 80 v | 840 mV @ 60 a | 5 ma @ 20 v | -65°C〜150°C | 60a | - | |||||
![]() | MBRH200200R | 70.0545 | ![]() | 3613 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | MBRH200200 | ショットキー、逆極性 | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 MV @ 200 a | 1 MA @ 200 v | -55°C〜150°C | 200a | - | ||||||
![]() | MBRT12045R | 75.1110 | ![]() | 9681 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MBRT12045 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBRT12045RGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 45 v | 60a | 750 mV @ 60 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||
S85Q | 15.0400 | ![]() | 597 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1031 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 85 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||||
![]() | MBR50040CTR | - | ![]() | 7408 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR50040CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 40 v | 250a | 750 mV @ 250 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GE10MPS06E | 2.7700 | ![]() | 9292 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | カットテープ(CT) | sicで中止されました | 表面マウント | to-252-3 | GE10MPS06 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | -55°C〜175°C | 26a | 466pf @ 1V、1MHz | |||||||
1N1190A | 10.3200 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1190 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1043 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 40 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜190°C | 40a | - | ||||||
![]() | S70Q | 9.8985 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | S70QGN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 70 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 70a | - | ||||||
![]() | FST7320M | - | ![]() | 6561 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D61-3M | ショットキー | D61-3M | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 35a | 700 mV @ 35 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | FR6BR02 | 5.1225 | ![]() | 9494 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6BR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 6 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - |
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