画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR12D05 | 6.7605 | ![]() | 6436 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR12D05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 200 v | 800 mV @ 12 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||
![]() | FR16BR02 | 8.5020 | ![]() | 5034 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR16BR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 16 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||
![]() | FR16J02 | 8.1330 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR16J02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 600 V | 900 mV @ 16 a | 250 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||
![]() | FR20A02 | 9.0510 | ![]() | 8652 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR20A02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 20 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||
![]() | FR20AR02 | 9.3555 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR20AR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 20 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||
![]() | FR20G02 | 9.0510 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR20G02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 20 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||
![]() | FR20JR02 | 9.3555 | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR20JR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1 V @ 20 a | 250 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||
![]() | FR30BR02 | 10.5930 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR30BR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 30 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||
![]() | FR30J02 | 13.4000 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR30J02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1 V @ 30 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||
![]() | FR30KR05 | 10.5930 | ![]() | 4390 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR30KR05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1 V @ 30 a | 500 ns | 25 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||
![]() | FR30M05 | 10.3155 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR30M05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1 V @ 30 a | 500 ns | 25 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||
![]() | FR40GR05 | 13.8360 | ![]() | 6130 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR40GR05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 40 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | |||
FR40M05 | 12.8985 | ![]() | 4560 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1 V @ 40 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | |||||
![]() | FR6AR02 | 5.1225 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6AR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.4 V @ 6 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||
![]() | FR6AR05 | 8.5020 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6AR05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.4 V @ 6 a | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||
![]() | FR6G05 | 4.9020 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6G05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 6 a | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||
![]() | FR6J02 | 4.9020 | ![]() | 8607 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6J02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 6 a | 250 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||
![]() | FR6M05 | 5.0745 | ![]() | 8511 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6M05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.4 V @ 6 a | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||
![]() | FR70G05 | 17.5905 | ![]() | 3917 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR70G05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 70 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | |||
![]() | FR70J02 | 17.5905 | ![]() | 2631 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR70J02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 70 a | 250 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | |||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR70JR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 70 a | 250 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | |||
![]() | FR70JR05 | 17.7855 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR70JR05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 70 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | |||
![]() | FR70KR05 | 17.7855 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR70KR05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.4 V @ 70 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | |||
![]() | FR85D02 | 23.1210 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR85D02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 85 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | |||
![]() | FR85D05 | 23.1210 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR85D05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 85 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | |||
FR85JR05 | 27.9100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 85 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | |||||
![]() | FST10035 | 65.6445 | ![]() | 9828 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-249AB | ショットキー | TO-249AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FST10035GN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 100a | 650 mV @ 100 a | 2ma @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||
![]() | FST10060 | 65.6445 | ![]() | 4181 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-249AB | ショットキー | TO-249AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FST10060GN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 100a | 750 mV @ 100 a | 2ma @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||
![]() | FST12040 | 70.4280 | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-249AB | ショットキー | TO-249AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FST12040GN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 120a | 650 mV @ 120 a | 2ma @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||
![]() | FST12045 | 70.4280 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-249AB | ショットキー | TO-249AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FST12045GN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 120a | 650 mV @ 120 a | 2ma @ 20 v | -55°C〜150°C |
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