SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
RFQ
ECAD 6436 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR12D05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR16BR02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 900 mV @ 16 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
ECAD 3747 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR16J02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 900 mV @ 16 a 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FR20A02 GeneSiC Semiconductor FR20A02 9.0510
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR20A02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
RFQ
ECAD 8191 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR20AR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR20G02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 20 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR20JR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1 V @ 20 a 250 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR30BR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 30 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
ECAD 64 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR30J02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1 V @ 30 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR30KR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1 V @ 30 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
ECAD 3813 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR30M05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 1000 V 1 V @ 30 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FR40GR05 GeneSiC Semiconductor FR40GR05 13.8360
RFQ
ECAD 6130 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR40GR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 40 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
FR40M05 GeneSiC Semiconductor FR40M05 12.8985
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 1000 V 1 V @ 40 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
FR6AR02 GeneSiC Semiconductor FR6AR02 5.1225
RFQ
ECAD 2978 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR6AR02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 50 v 1.4 V @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
RFQ
ECAD 9169 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR6AR05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 50 v 1.4 V @ 6 a 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
FR6G05 GeneSiC Semiconductor FR6G05 4.9020
RFQ
ECAD 6711 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR6G05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 6 a 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
FR6J02 GeneSiC Semiconductor FR6J02 4.9020
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR6J02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 6 a 250 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR6M05 GeneSiC Semiconductor FR6M05 5.0745
RFQ
ECAD 8511 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR6M05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 1000 V 1.4 V @ 6 a 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR70G05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70J02 GeneSiC Semiconductor FR70J02 17.5905
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR70J02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 70 a 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70JR02 GeneSiC Semiconductor FR70JR02 17.7855
RFQ
ECAD 6539 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR70JR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 70 a 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70JR05 GeneSiC Semiconductor FR70JR05 17.7855
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR70JR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70KR05 GeneSiC Semiconductor FR70KR05 17.7855
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR70KR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR85D02 GeneSiC Semiconductor FR85D02 23.1210
RFQ
ECAD 3577 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR85D02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FR85D05 GeneSiC Semiconductor FR85D05 23.1210
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR85D05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FST10035 GeneSiC Semiconductor FST10035 65.6445
RFQ
ECAD 9828 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FST10035GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 100a 650 mV @ 100 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
RFQ
ECAD 4181 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FST10060GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 100a 750 mV @ 100 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST12040 GeneSiC Semiconductor FST12040 70.4280
RFQ
ECAD 2307 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FST12040GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 120a 650 mV @ 120 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST12045 GeneSiC Semiconductor FST12045 70.4280
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FST12045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 120a 650 mV @ 120 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫