SIC
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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
1N3297AR GeneSiC Semiconductor 1N3297AR 33.8130
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 1N3297AR 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3297ARGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1400 v 1.5 V @ 100 a 7 MA @ 1400 v -40°C〜200°C 100a -
FR85J05 GeneSiC Semiconductor FR85J05 23.1210
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR85J05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBR30060CTR GeneSiC Semiconductor MBR30060CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR30060 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR30060CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 60 V 150a 750 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55°C〜150°C
MURF20005 GeneSiC Semiconductor MURF20005 -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 （無制限） murf20005gn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR6080R GeneSiC Semiconductor MBR6080R 21.3105
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MBR6080 ショットキー、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR6080RGN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 80 v 840 mV @ 60 a 5 ma @ 20 v -65°C〜150°C 60a -
S70G GeneSiC Semiconductor S70g 9.8985
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） s70ggn ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10020ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10020 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10020ctrgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x150mps06n 69.0500
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック gd2x sic （炭化シリコン）ショットキー SOT-227 ダウンロード 1 （無制限） 1242-GD2X150MPS06N ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 2独立 650 V 150a 1.8 V @ 150 a 0 ns 10 µA @ 650 v -55°C〜175°C
MBRF40035R GeneSiC Semiconductor MBRF40035R -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） MBRF40035RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 v -55°C〜150°C
S70Q GeneSiC Semiconductor S70Q 9.8985
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70QGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
FST7320M GeneSiC Semiconductor FST7320M -
RFQ
 ECAD 6561 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 35a 700 mV @ 35 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBR600150CT GeneSiC Semiconductor MBR600150ct 129.3585
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR600150 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 300a 880 mV @ 300 a 3 MA @ 150 v -55°C〜150°C
FR6BR02 GeneSiC Semiconductor FR6BR02 5.1225
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6BR02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 1.4 V @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
1N3766R GeneSiC Semiconductor 1N3766R 6.2320
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3766R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3766RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S85V 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1400 v 1.1 V @ 85 a 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
GKN71/14 GeneSiC Semiconductor GKN71/14 12.5767
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド GKN71 標準 DO-5 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1400 v 1.5 V @ 60 a 10 mA @ 1400 v -40°C〜180°C 95a -
S16K GeneSiC Semiconductor S16K 4.5900
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16KGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
FR40BR02 GeneSiC Semiconductor FR40BR02 13.8360
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR40BR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 40 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール - 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） MSRTA6001GN ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns - 1600 v 600a -55°C〜150°C
MBRF50030 GeneSiC Semiconductor MBRF50030 -
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 30 v -55°C〜150°C
MBRH20035RL GeneSiC Semiconductor MBRH20035RL -
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D-67 ショットキー、逆極性 D-67 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 35 v 600 mV @ 200 a 3 ma @ 200 v 200a -
MBRF50020R GeneSiC Semiconductor MBRF50020R -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 20 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor MBRTA80040R -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 400a 720 mv @ 400 a 1 MA @ 40 V -55°C〜150°C
GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220 4.2323
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 新しいデザインではありません 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1325 ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 4 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 29a 359pf @ 1V、1MHz
FR85GR02 GeneSiC Semiconductor FR85GR02 24.1260
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 ECAD 1023 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1010 ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26/08 -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 5 標準回復> 500ns 800 V 1.55 V @ 60 a 4ma @ 800 v -40°C〜180°C 25a -
FST6380M GeneSiC Semiconductor FST6380M -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 30a 840 mV @ 30 a 1 MA @ 80 V -55°C〜150°C
MURT10060R GeneSiC Semiconductor Murt10060R 93.0525
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murt10060 標準、逆極性 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt10060rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 50a 1.7 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT12045 GeneSiC Semiconductor MBRT12045 75.1110
RFQ
 ECAD 8752 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT12045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 60a 750 mV @ 60 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT40060 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40060RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 60 V 200a 800 mV @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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