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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT200100 ショットキー、逆極性 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT200100RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 100a 880 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT20045R GeneSiC Semiconductor MBRT20045R 98.8155
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT20045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT20045RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT20080GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 100a 880 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT300100 GeneSiC Semiconductor MBRT300100 107.3070
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT300100GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 150a 880 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT30080 GeneSiC Semiconductor MBRT30080 -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT30080GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 150a 880 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT40040 GeneSiC Semiconductor MBRT40040 118.4160
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT40040GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 200a 750 mv @ 200 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50020 GeneSiC Semiconductor MBRT50020 -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50020GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50020R GeneSiC Semiconductor MBRT50020R -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50020RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 20 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50035R GeneSiC Semiconductor MBRT50035R -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50035RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60020R GeneSiC Semiconductor MBRT60020R 140.2020
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60020 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60020RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 20 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60030GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60035 GeneSiC Semiconductor MBRT60035 140.2020
RFQ
 ECAD 2005年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60035GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60035 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60035RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 35 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor MBRT60060 140.2020
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60060GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 300a 800 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60080 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60080RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 80 v 300a 880 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MSRT200120A GeneSiC Semiconductor MSRT200120A 48.2040
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT200 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1200 v 200a dc） 1.2 V @ 200 a 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT200160A GeneSiC Semiconductor MSRT200160A 48.2040
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT200 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1600 v 200a dc） 1.2 V @ 200 a 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT250100A GeneSiC Semiconductor MSRT250100A 54.2296
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT250100 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1000 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA400160A GeneSiC Semiconductor MSRTA400160A 60.2552
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA400160 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1600 v 400a 1.2 V @ 400 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール - 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） MSRTA6001GN ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns - 1600 v 600a -55°C〜150°C
MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA600100A 109.2000
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール MSRTA600100 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1000 V 600a 1.2 V @ 600 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール MSRTA6001 - 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） MSRTA6001RGN ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns - 1600 v 600a -55°C〜150°C
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109.2000
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA60060 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 600a 1.2 V @ 600 a 25 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor MUR10060CTR -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10060ctrgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 50a 1.7 V @ 50 a 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20005CTGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20020 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20020CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor MUR20020CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20020 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20020CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor MUR20040CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR20040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20040CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 100a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR2505R GeneSiC Semiconductor MUR2505R 10.1910
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa MUR2505 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR2505RGN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MUR2520R GeneSiC Semiconductor MUR2520R 10.1910
RFQ
 ECAD 2903 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa MUR2520 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR2520RGN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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