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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f
MURH10040R GeneSiC Semiconductor MURH10040R 49.5120
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MURH10040 標準、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murh10040rgn ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MURT10005R GeneSiC Semiconductor murt10005r -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt10005rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT10010R GeneSiC Semiconductor Murt10010r -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt10010rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20020 GeneSiC Semiconductor Murt20020 104.4930
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt20020gn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Murt30020 118.4160
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt30020gn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 150a 1.3 V @ 150 a 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murt30020 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt30020rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 150a 1.3 V @ 150 a 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040r 98.7424
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 murt30040 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt30040rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 150a 1.35 V @ 150 a 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30060r 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 murt30060 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt30060rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 150a 1.7 V @ 150 a 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40010R GeneSiC Semiconductor Murt40010r 132.0780
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murt40010 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt40010rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40020R GeneSiC Semiconductor Murt40020r 132.0780
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murt40020 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt40020rgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA60020R GeneSiC Semiconductor Murta60020r 188.1435
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta60020 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murta60020rgn ear99 8541.10.0080 24 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 300a 1.3 V @ 300 a 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor Murta60040 188.1435
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murta60040gn ear99 8541.10.0080 24 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 300a 1.5 V @ 300 a 220 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S12K 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12KRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12MR GeneSiC Semiconductor S12MR 4.2345
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S12M 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S12MRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
S150KR GeneSiC Semiconductor S150kr 35.5695
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA S150 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S150KRGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 150 a 10 µA @ 600 V -65°C〜200°C 150a -
S150MR GeneSiC Semiconductor S150MR 35.5695
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA S150 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S150MRGN ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1000 V 1.2 V @ 150 a 10 µA @ 600 V -65°C〜200°C 150a -
S16K GeneSiC Semiconductor S16K 4.5900
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16KGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
S16MR GeneSiC Semiconductor S16MR 4.5900
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S16M 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16MRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25BGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S25BR GeneSiC Semiconductor S25BR 5.2485
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S25B 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25BRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S25G GeneSiC Semiconductor S25G 5.2485
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25GGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S25GR GeneSiC Semiconductor S25GR 5.2485
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S25G 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25GRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S25Q GeneSiC Semiconductor S25Q 5.2485
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25QGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S25QR GeneSiC Semiconductor S25QR 5.2485
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S25Q 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S25QRGN ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S300B GeneSiC Semiconductor S300B 63.8625
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300BGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 100 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
S320J GeneSiC Semiconductor S320J 63.8625
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S320 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S320JGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320A -
S320M GeneSiC Semiconductor S320m 63.8625
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S320 標準 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S320MGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1000 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320A -
S40D GeneSiC Semiconductor S40D 6.3770
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40DGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
S40G GeneSiC Semiconductor S40g 6.3770
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40ggn ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜190°C 40a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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