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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
MBRTA40040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40040RL -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 200a 600 mV @ 200 a 5 ma @ 40 v -55°C〜150°C
FR20KR05 GeneSiC Semiconductor FR20KR05 9.5700
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR20KR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1 V @ 20 a 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 20a -
KBL402G GeneSiC Semiconductor KBL402G 0.5385
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-sip 、kbl KBL402 標準 KBL ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） KBL402GGN ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 100 V 4 a 単相 100 V
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT600200 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 200 v 300a 920 mv @ 300 a 1 MA @ 200 v -55°C〜150°C
150K80A GeneSiC Semiconductor 150k80a 35.5695
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 150k80 標準 do-205aa ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 150k80agn ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 800 V 1.33 V @ 150 a 32 MA @ 800 v -40°C〜200°C 150a -
S70Q GeneSiC Semiconductor S70Q 9.8985
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70QGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
FR85K05 GeneSiC Semiconductor FR85K05 23.1210
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR85K05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBRT600100R GeneSiC Semiconductor MBRT600100R 140.2020
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT600100 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT600100RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 300a 880 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT30020 GeneSiC Semiconductor MBRT30020 107.3070
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT30020GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 150a 750 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRF30060R GeneSiC Semiconductor MBRF30060R -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB MBRF3006 ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 60 V 150a 750 mV @ 150 a 1 MA @ 60 v -55°C〜150°C
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor MBR300200CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR300200 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 150a 920 mv @ 150 a 3 ma @ 200 v -40°C〜150°C
MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTRL -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー ショットキー ツインタワー - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 40 v -55°C〜150°C
MBRT50040 GeneSiC Semiconductor MBRT50040 -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50040GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GKN71/16 GeneSiC Semiconductor GKN71/16 12.7059
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド GKN71 標準 DO-5 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1600 v 1.5 V @ 60 a 10 mA @ 1600 v -40°C〜180°C 95a -
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N6096R ショットキー、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N6096RGN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 40 v 580 mV @ 25 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C 25a -
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド S40V 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S40VRGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1400 v 1.1 V @ 40 a 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
S16DR GeneSiC Semiconductor S16dr 4.5900
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa S16D 標準、逆極性 - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S16drgn ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 16 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR60040 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1007 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor MUR30060CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR30060 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR30060CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 150a 1.7 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF12030R GeneSiC Semiconductor MBRF12030R -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 60a 700 mV @ 60 a 1 mA @ 30 v -55°C〜150°C
MURT30010 GeneSiC Semiconductor Murt30010 118.4160
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） murt30010gn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 150a 1.3 V @ 150 a 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR70G02 GeneSiC Semiconductor FR70G02 21.1300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1039 ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 70 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 250a 700 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
1N3766R GeneSiC Semiconductor 1N3766R 6.2320
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3766R 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N3766RGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.2 V @ 35 a 10 µA @ 50 V -65°C〜190°C 35a -
MBRT20020 GeneSiC Semiconductor MBRT20020 98.8155
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT20020GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 100a 750 mV @ 100 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
1N3892R GeneSiC Semiconductor 1N3892R 9.3600
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3892R 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1092 ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT12020 GeneSiC Semiconductor MBRT12020 75.1110
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT12020GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 60a 750 mV @ 60 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST16045 GeneSiC Semiconductor FST16045 75.1110
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST16045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 160a 750 mV @ 160 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50060 GeneSiC Semiconductor MBRT50060 -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50060GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 250a 800 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
KBPC5008W GeneSiC Semiconductor KBPC5008W 2.5875
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、KBPC-W KBPC5008 標準 KBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 a 5 µA @ 800 V 50 a 単相 800 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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