SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大)
MBRF20080 GeneSiC Semiconductor MBRF20080 -
RFQ
ECAD 4037 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 100a 840 mV @ 100 a 1 MA @ 80 V -55°C〜150°C
MURF30060 GeneSiC Semiconductor murf30060 -
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 150a 1.7 V @ 150 a 150 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
RFQ
ECAD 740 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 GC50MPS06 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 1242-1346 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 650 V 0 ns 175°C (最大) 50a -
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
RFQ
ECAD 9010 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 250a 700 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRTA600100 GeneSiC Semiconductor MBRTA600100 -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 300a 840 mV @ 300 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF400150R GeneSiC Semiconductor MBRF400150R -
RFQ
ECAD 9769 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 200a 880 mV @ 200 a 1 MA @ 150 v -55°C〜150°C
MBRTA50060 GeneSiC Semiconductor MBRTA50060 -
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 18 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 250a 750 mV @ 250 a 1 MA @ 60 v -55°C〜150°C
FR85DR02 GeneSiC Semiconductor FR85DR02 24.1260
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR85DR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBRF50030 GeneSiC Semiconductor MBRF50030 -
RFQ
ECAD 8152 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 30 v -55°C〜150°C
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
RFQ
ECAD 6984 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 250 標準回復> 500ns 1200 v 1.1 V @ 12 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MBRT50040 GeneSiC Semiconductor MBRT50040 -
RFQ
ECAD 2727 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MBRT50040GN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRH24030R GeneSiC Semiconductor MBRH24030R 76.4925
RFQ
ECAD 6265 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MBRH24030 ショットキー D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 30 V 720 mv @ 240 a 1 mA @ 30 v -55°C〜150°C 240a -
MBRT30045 GeneSiC Semiconductor MBRT30045 107.3070
RFQ
ECAD 5037 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1088 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 150a 750 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
RFQ
ECAD 6032 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1054 ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 40 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MURTA30060R GeneSiC Semiconductor Murta30060R 159.9075
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta30060 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 24 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 600 V 150a 1.7 V @ 150 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 穴を通して TO-247-2 GC50MPS12 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 1242-1340 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 50 a 0 ns 40 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 212a 3263pf @ 1V、1MHz
KBP201 GeneSiC Semiconductor KBP201 0.3750
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C (TJ 穴を通して 4-sip、kbp 標準 KBP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) KBP201GN ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 50 V 2 a 単相 50 v
MURTA40040R GeneSiC Semiconductor Murta40040r 159.9075
RFQ
ECAD 2911 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 Murta40040 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 24 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 400 V 200a 1.3 V @ 200 a 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
FR6G02 GeneSiC Semiconductor FR6G02 4.9020
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR6G02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURH10020R GeneSiC Semiconductor MURH10020R 49.5120
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MURH10020 標準、逆極性 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) murh10020rgn ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MBRF50045R GeneSiC Semiconductor MBRF50045R -
RFQ
ECAD 7242 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 250a 750 mV @ 250 a 1 MA @ 45 v -55°C〜150°C
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR60040 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1242-1007 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
UFT10005 GeneSiC Semiconductor UFT10005 -
RFQ
ECAD 1713 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-249AB 標準 TO-249AB - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 50a 1 V @ 50 a 60 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR60080CT GeneSiC Semiconductor MBR60080CT 129.3585
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR60080 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) MBR60080CTGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 300a 880 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FR30DR02 GeneSiC Semiconductor FR30DR02 10.5930
RFQ
ECAD 9136 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) FR30DR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MURF20060R GeneSiC Semiconductor MURF20060R -
RFQ
ECAD 9946 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244AB - 1 (無制限) murf20060rgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 600 V 100a 1.7 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A04 36.7500
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック Mur2x030 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 52 標準回復> 500ns 2独立 400 V 30a 1.3 V @ 30 a 25 µA @ 400 V -55°C〜175°C
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0.7425
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -65°C〜125°C 穴を通して 4 平方、BR-6 標準 BR-6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) BR68GN ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
MURF30020 GeneSiC Semiconductor murf30020 -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 200 v 150a 1 V @ 150 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH120200R GeneSiC Semiconductor MBRH120200R 60.0375
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 MBRH120200 ショットキー D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 200 v 920 mv @ 120 a 1 MA @ 200 v 120a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫