画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF20080 | - | ![]() | 4037 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 100a | 840 mV @ 100 a | 1 MA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | murf30060 | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 150a | 1.7 V @ 150 a | 150 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
GC50MPS06-247 | 13.3500 | ![]() | 740 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | GC50MPS06 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1242-1346 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 175°C (最大) | 50a | - | |||||||||
![]() | MBRTA50020 | - | ![]() | 9010 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 250a | 700 mV @ 250 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRTA600100 | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 300a | 840 mV @ 300 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRF400150R | - | ![]() | 9769 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 150 v | 200a | 880 mV @ 200 a | 1 MA @ 150 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRTA50060 | - | ![]() | 8240 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 250a | 750 mV @ 250 a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | FR85DR02 | 24.1260 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR85DR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 85 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | ||||||||
![]() | MBRF50030 | - | ![]() | 8152 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 250a | 750 mV @ 250 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | S12Q | 4.2345 | ![]() | 6984 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 12a | - | ||||||||||
![]() | MBRT50040 | - | ![]() | 2727 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBRT50040GN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 250a | 750 mV @ 250 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRH24030R | 76.4925 | ![]() | 6265 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | MBRH24030 | ショットキー | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 30 V | 720 mv @ 240 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | 240a | - | |||||||||
![]() | MBRT30045 | 107.3070 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1088 | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 150a | 750 mV @ 150 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | FR40GR02 | 13.8360 | ![]() | 6032 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1054 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 40 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | ||||||||
![]() | Murta30060R | 159.9075 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | Murta30060 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 150a | 1.7 V @ 150 a | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
GC50MPS12-247 | - | ![]() | 2395 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-2 | GC50MPS12 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1242-1340 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 50 a | 0 ns | 40 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 212a | 3263pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | KBP201 | 0.3750 | ![]() | 6938 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | KBP201GN | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 a | 10 µA @ 50 V | 2 a | 単相 | 50 v | ||||||||||
![]() | Murta40040r | 159.9075 | ![]() | 2911 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | Murta40040 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 200a | 1.3 V @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | FR6G02 | 4.9020 | ![]() | 2412 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6G02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 6 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | ||||||||
![]() | MURH10020R | 49.5120 | ![]() | 6820 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | MURH10020 | 標準、逆極性 | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | murh10020rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | ||||||||
![]() | MBRF50045R | - | ![]() | 7242 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 45 v | 250a | 750 mV @ 250 a | 1 MA @ 45 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBR60040CT | 129.3585 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MBR60040 | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1007 | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 300a | 750 mV @ 300 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | UFT10005 | - | ![]() | 1713 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-249AB | 標準 | TO-249AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 50a | 1 V @ 50 a | 60 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBR60080CT | 129.3585 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MBR60080 | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR60080CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 300a | 880 mV @ 300 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | FR30DR02 | 10.5930 | ![]() | 9136 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR30DR02GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 30 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | ||||||||
![]() | MURF20060R | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244AB | - | 1 (無制限) | murf20060rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 100a | 1.7 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MUR2X030A04 | 36.7500 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | Mur2x030 | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 400 V | 30a | 1.3 V @ 30 a | 25 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | |||||||||
![]() | BR68 | 0.7425 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜125°C | 穴を通して | 4 平方、BR-6 | 標準 | BR-6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | BR68GN | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | ||||||||||
![]() | murf30020 | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 150a | 1 V @ 150 a | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRH120200R | 60.0375 | ![]() | 9520 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67 | MBRH120200 | ショットキー | D-67 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 mv @ 120 a | 1 MA @ 200 v | 120a | - |
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