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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
FR6M05 GeneSiC Semiconductor FR6M05 5.0745
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6M05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 1000 V 1.4 V @ 6 a 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR6MR05 GeneSiC Semiconductor FR6MR05 5.3355
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6MR05GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 1000 V 1.4 V @ 6 a 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR70G05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70J02 GeneSiC Semiconductor FR70J02 17.5905
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR70J02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 70 a 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70JR02 GeneSiC Semiconductor FR70JR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR70JR02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 70 a 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70JR05 GeneSiC Semiconductor FR70JR05 17.7855
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR70JR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR70KR05 GeneSiC Semiconductor FR70KR05 17.7855
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR70KR05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR85D02 GeneSiC Semiconductor FR85D02 23.1210
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR85D02GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FR85D05 GeneSiC Semiconductor FR85D05 23.1210
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR85D05GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 200 v 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 85 a 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FST10020 GeneSiC Semiconductor FST10020 65.6445
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST10020GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 100a 650 mV @ 100 a 2ma @ 20 v
FST10035 GeneSiC Semiconductor FST10035 65.6445
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST10035GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 100a 650 mV @ 100 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST10060GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 100a 750 mV @ 100 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST10080 GeneSiC Semiconductor FST10080 65.6445
RFQ
 ECAD 1968年年 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 100a 840 mV @ 100 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST12040 GeneSiC Semiconductor FST12040 70.4280
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST12040GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 120a 650 mV @ 120 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST12045 GeneSiC Semiconductor FST12045 70.4280
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST12045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 120a 650 mV @ 120 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST16040GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 160a 750 mV @ 160 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST16060 GeneSiC Semiconductor FST16060 75.1110
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-249AB ショットキー TO-249AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FST16060GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 160a 800 mV @ 160 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST83100SM -
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3SM ショットキー D61-3SM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない FST83100SMGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 80A （DC） 840 mV @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -40°C〜175°C
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM -
RFQ
 ECAD 6365 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3SM ショットキー D61-3SM ダウンロード 1 （無制限） FST8320SMGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 20 v 80A （DC） 650 mv @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST8340M GeneSiC Semiconductor FST8340M -
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M ダウンロード 1 （無制限） FST8340MGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 80A （DC） 650 mv @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST8345M GeneSiC Semiconductor FST8345M -
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 80A （DC） 650 mv @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM -
RFQ
 ECAD 2491 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3SM ショットキー D61-3SM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない FST8360SMGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 80A （DC） 750 mv @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
FST8380M GeneSiC Semiconductor FST8380M -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M ダウンロード 1 （無制限） FST8380MGN ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 80 v 80A （DC） 840 mV @ 80 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL 標準 GBL ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 200 V 4 a 単相 200 v
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50040RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50045RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60030 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60030RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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