SIC
close

ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL 標準 GBL ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 200 V 4 a 単相 200 v
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50040RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 40 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT50045RGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 250a 750 mV @ 250 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60030 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60030RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT60045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045RGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MSRT15080A GeneSiC Semiconductor MSRT15080A 38.5632
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT150 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 150a 1.2 V @ 150 a 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT200 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 200a dc） 1.2 V @ 200 a 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
MSRT250140A GeneSiC Semiconductor MSRT250140A 54.2296
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT250140 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1400 v 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25060 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRT25080 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 250a 1.2 V @ 250 a 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA300120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300120AD 113.5544
RFQ
 ECAD 4573 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1200 v 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 18 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1600 v 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA30060A GeneSiC Semiconductor MSRTA30060A 56.2380
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA300 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 600 V 300a 1.2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60.2552
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA40080 標準 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 400a 1.2 V @ 400 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA500100 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1000 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA50060A GeneSiC Semiconductor MSRTA50060A 101.4000
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA50060 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 600 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA50080A GeneSiC Semiconductor MSRTA50080A 101.4000
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA50080 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-SMDモジュール MSRTA600140 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1400 v 600a 1.2 V @ 600 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10005ctgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor MUR10005CTR -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10005ctrgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct 75.1110
RFQ
 ECAD 8480 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10010ctgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10010 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10010ctrgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 100 V 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct 75.1110
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10040ctgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr 75.1110
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10040ctrgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor MUR10060CT -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10060ctgn ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 50a 1.7 V @ 50 a 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR20005CTRGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 100a 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR2560R GeneSiC Semiconductor MUR2560R 10.1910
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa MUR2560 標準、逆極性 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR2560RGN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 25 a 90 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor MUR30005CT -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR30005CTGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor MUR30005CTR -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント ツインタワー 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MUR30005CTRGN ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 50 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます