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ダイオード（ 2089）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N5830 ショットキー DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1N5830GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 25 v 580 mV @ 25 a 2ma @ 20 v -55°C〜150°C 25a -
MURF30010R GeneSiC Semiconductor murf30010r -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 100 V 150a 1 V @ 150 a 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF600200 GeneSiC Semiconductor MBRF600200 -
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 300a 920 mv @ 300 a 1 MA @ 200 v -55°C〜150°C
MBRF400100 GeneSiC Semiconductor MBRF400100 -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 200a 840 mV @ 200 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB MBRF3008 ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 80 v 150a 840 mV @ 150 a 1 MA @ 80 V -55°C〜150°C
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド ショットキー DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR8060GN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 60 V 750 mv @ 80 a 5 ma @ 20 v -55°C〜150°C 80a -
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct 75.1110
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MUR10040 標準 ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） mur10040ctgn ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 50a 1.3 V @ 50 a 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150ct 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR200150 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 100a 880 mV @ 100 a 3 MA @ 150 v -55°C〜150°C
GKN240/18 GeneSiC Semiconductor GKN240/18 73.7088
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド GKN240 標準 do-205ab（do-9） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 1800 v 1.5 V @ 60 a 22 MA @ 1800 v -55°C〜150°C 165a -
UFT14060 GeneSiC Semiconductor UFT14060 -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-249AB 標準 TO-249AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 70a 1.7 V @ 70 a 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MSRTA500100 標準 3つの塔 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1000 V 500a 1.2 V @ 500 a 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント ツインタワー MBR30030 ショットキー ツインタワー ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR30030CTRGN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 30 V 150a 650 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55°C〜150°C
MBRF60045 GeneSiC Semiconductor MBRF60045 -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB ショットキー TO-244AB - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 300a 650 mV @ 300 a 10 ma @ 20 v -40°C〜175°C
FR6J02 GeneSiC Semiconductor FR6J02 4.9020
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 標準 DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） FR6J02GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 600 V 1.4 V @ 6 a 250 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR35100 GeneSiC Semiconductor MBR35100 14.3280
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa ショットキー DO-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR35100GN ear99 8541.10.0080 250 高速回復= <500ns 100 V 840 mV @ 35 a 1.5 mA @ 20 v -55°C〜150°C 35a -
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBRT60045GN ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 300a 750 mV @ 300 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
MBR2X080A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 53.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X080 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1302 ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 100 V 80a 840 mV @ 80 a 1 MA @ 100 V -40°C〜150°C
BR62 GeneSiC Semiconductor BR62 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -65°C〜125°C 穴を通して 4 平方、BR-6 標準 BR-6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µA @ 200 v 6 a 単相 200 v
MBRH15045RL GeneSiC Semiconductor MBRH15045RL -
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D-67 ショットキー、逆極性 D-67 - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 45 v 600 mV @ 150 a 5 ma @ 45 v 150a -
1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-257-3 1N8028 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-257 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 v -55°C〜250°C 9.4a 884pf @ 1V、1MHz
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT30045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1073 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 150a 750 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 標準 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S70DGN ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 70 a 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 遺伝的半導体 SIC SC Hottky MPS™ チューブ 廃止 穴を通して TO-247-2 GB05MPS17 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-1342 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1700 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 6 µA @ 1700 v -55°C〜175°C 25a 334pf @ 1V、1MHz
1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-ga -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-257-3 1N8030 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-257 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 650 V 1.39 V @ 750 MA 0 ns 5 µA @ 650 v -55°C〜250°C 750ma 76pf @ 1V、1MHz
S300BR GeneSiC Semiconductor S300BR 63.8625
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド S300 標準、逆極性 do-205ab（do-9） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） S300BRGN ear99 8541.10.0080 8 標準回復> 500ns 100 V 1.2 V @ 300 a 10 µA @ 100 V -60°C〜200°C 300a -
MURH7040 GeneSiC Semiconductor MURH7040 49.5120
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 標準 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 70 a 90 ns 25 µA @ 400 V -55°C〜155°C 70a -
MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A100 51.8535
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック MBR2X120 ショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 52 高速回復= <500ns 2独立 100 V 120a 840 mV @ 120 a 1 MA @ 100 V -40°C〜150°C
MBR8060R GeneSiC Semiconductor MBR8060R 22.1985
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド MBR8060 ショットキー、逆極性 DO-5 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） MBR8060RGN ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 60 V 750 mv @ 80 a 1 MA @ 60 v -55°C〜160°C 80a -
1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 表面マウント TO-276AA 1N8033 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-276 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10 回復時間なし> 500ma 650 V 1.65 V @ 5 a 0 ns 5 µA @ 650 v -55°C〜250°C 4.3a 274pf @ 1V、1MHz
FST6315M GeneSiC Semiconductor FST6315M -
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 シャーシマウント D61-3M ショットキー D61-3M - 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 15 V 30a 700 mV @ 30 a 1 MA @ 15 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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