画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR2X060A045 | 52.2000 | ![]() | 1523 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MBR2X060 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1300 | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 45 v | 120a | 700 mV @ 60 a | 1 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRF30060 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | MBRF3006 | ショットキー | TO-244AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 150a | 750 mV @ 150 a | 1 MA @ 60 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | KBP210G | 0.2280 | ![]() | 2792 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | KBP210 | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 2 a | 10 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||
![]() | MBRTA60030RL | - | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 30 V | 300a | 580 mV @ 300 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MUR20005CTR | - | ![]() | 1360 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | ツインタワー | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR20005CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 50 v | 100a | 1.3 V @ 100 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | murf40020r | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 標準 | TO-244 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 200a | 1 V @ 200 a | 150 ns | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MUR2X060A04 | 47.1200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | Mur2x060 | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1310 | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 400 V | 60a | 1.3 V @ 60 a | 75 ns | 25 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | |||||||
1N1200A | 6.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N1200 | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1065 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||
![]() | GBU10J | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU10 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | gbu10jgn | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 5 a | 5 µA @ 600 v | 10 a | 単相 | 600 V | |||||||||
![]() | MBR2X050A200 | 43.6545 | ![]() | 4119 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MBR2X050 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1299 | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 200 v | 100a | 920 mv @ 50 a | 3 ma @ 200 v | -40°C〜150°C | ||||||||
KBPC35005T | 2.4720 | ![]() | 5619 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、KBPC-T | KBPC35005 | 標準 | KBPC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 50 V | 35 a | 単相 | 50 v | |||||||||||
![]() | GBJ20K | 0.9120 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ20 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1242-GBJ20K | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 20 a | 単相 | 800 V | ||||||||||
![]() | GC05MPS12-252 | 2.3475 | ![]() | 8544 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | GC05MPS12 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 5 a | 0 ns | 4 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 27a | 359pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | MBRF12020R | - | ![]() | 6666 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 20 v | 60a | 700 mV @ 60 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | UFT14020 | - | ![]() | 6916 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-249AB | 標準 | TO-249AB | - | 1 (無制限) | uft14020gs | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 70a | 1 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBR20045CTR | 90.1380 | ![]() | 1612 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MBR20045 | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBR20045CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 45 v | 200a dc) | 650 mV @ 100 a | 5 ma @ 20 v | |||||||||
![]() | MBRT40060 | 118.4160 | ![]() | 3228 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MBRT40060GN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 200a | 800 mV @ 200 a | 1 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | FR6G05 | 4.9020 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR6G05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 6 a | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||
![]() | GBPC3501W | 2.8650 | ![]() | 5121 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC3501 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | GBPC3501WGS | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 100 V | 35 a | 単相 | 100 V | |||||||||
![]() | MBR40035CT | 98.8155 | ![]() | 9670 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MBR40035 | ショットキー | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1058 | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 200a | 700 mV @ 200 a | 1 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR2X080A045 | 53.8500 | ![]() | 158 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MBR2X080 | ショットキー | SOT-227 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1301 | ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 45 v | 80a | 700 mV @ 80 a | 1 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||
GBL06 | 0.4230 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | 標準 | GBL | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 600 v | 4 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | GBU10M | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU10 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | gbu10mgn | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 1 kV | |||||||||
![]() | gbu6g | 0.5385 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | gbu6ggn | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 6 a | 単相 | 400 V | |||||||||
![]() | GBU6M | 0.5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | gbu6mgn | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 1000 v | 6 a | 単相 | 1 kV | |||||||||
![]() | KBJ404G | 0.5160 | ![]() | 1782 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、KBJ | KBJ404 | 標準 | KBJ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | kbj404ggn | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 a | 単相 | 400 V | |||||||||
![]() | KBL606G | 0.5805 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbl | KBL606 | 標準 | KBL | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | KBL606GGN | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 600 v | 6 a | 単相 | 600 V | |||||||||
![]() | KBP202 | 0.3750 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | KBP202GN | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 a | 10 µA @ 100 V | 2 a | 単相 | 100 V | ||||||||||
KBPC2506T | 2.2995 | ![]() | 3650 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、KBPC-T | KBPC2506 | 標準 | KBPC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 25 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
KBPC5008T | 2.5875 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、KBPC-T | KBPC5008 | 標準 | KBPC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 a | 5 µA @ 800 V | 50 a | 単相 | 800 V |
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