画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3D06002T2 | 2.1000 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06002T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 10 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | ||||||
![]() | P3D06008E2 | 3.3300 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008E2TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 22a | ||||
![]() | P3D06020T2 | 8.8400 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | - | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.6 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 45a | 904pf @ 0V、1MHz | |||
![]() | P3D06006T2 | 2.5000 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06006T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 23a | ||||||
![]() | P3D12020G2 | 12.4100 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 49a | ||||||
![]() | P3D06020I2 | 8.8400 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 35a | ||||||
![]() | P3D12005K2 | 4.5000 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12005K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 23a | ||||||
![]() | P3D12010K3 | 6.5400 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12010K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 46a | ||||||
![]() | P3D06004G2 | 2.1000 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06004G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 14a | ||||||
![]() | P3D12020K2 | 12.4100 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 51a | ||||||
![]() | P3D12020K3 | 12.4100 | ![]() | 1272 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 70a | ||||||
![]() | P3D06020F2 | 8.8400 | ![]() | 7762 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 29a | ||||||
![]() | P3D06016I2 | 7.7800 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06016I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 45 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 28a | ||||||
![]() | P3D06040K3 | 13.8400 | ![]() | 2820 | 0.00000000 | pn接合半導体 | P6D | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06040K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 106a | ||||||
![]() | P3D06004T2 | 2.1000 | ![]() | 2096 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06004T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 15a | ||||||
![]() | P3D06006I2 | 2.5000 | ![]() | 8790 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06006I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 18a | ||||||
![]() | P3D06006G2 | 2.5000 | ![]() | 3063 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06006G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a | ||||||
![]() | P3D06010F2 | 4.1600 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06010F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a | ||||||
![]() | P3D06010G2 | 4.1600 | ![]() | 5972 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06010G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 30a | ||||||
![]() | P3D06008F2 | 3.3300 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 18a | ||||||
![]() | P3D12020GS | 12.4100 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263S | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020GSTR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 50a | ||||||
![]() | P3D06002G2 | 2.1000 | ![]() | 4224 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06002G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 10 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 7a | ||||||
![]() | P3D06010E2 | 4.1600 | ![]() | 8153 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06010E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 28a | ||||||
![]() | P3D06004E2 | 2.1000 | ![]() | 8434 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06004E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 12a | ||||||
![]() | P3D12005E2 | 4.5000 | ![]() | 1816年年 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12005E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 19a | ||||||
![]() | P3D06020p3 | 8.8400 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | sic (炭化シリコン)ショットキー | to-3pf-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020p3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 40a | |||||||
![]() | P6D12002E2 | 2.6900 | ![]() | 9835 | 0.00000000 | pn接合半導体 | P6D | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P6D12002E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | ||||||
![]() | P3D06008I2 | 3.3300 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a | ||||||
![]() | P3D06006F2 | 2.5000 | ![]() | 2548 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06006F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 15a | ||||||
![]() | P3D12030K2 | 14.9200 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12030K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 65 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 57a |
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