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ダイオード（ 1803）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	@ @ if、f
bar6406we6327	0.0700	RFQ	6	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			SOT-323	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.35pf @ 20V、1MHz	ピン -シングル	150V	1.35OHM @ 100MA 、100MHz
BAS-70-02WE6327	-	RFQ	3446	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-80		ショットキー	PG-SCD80-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C	70ma	1.5pf @ 0V、1MHz
bar50-03we6327	0.0400	RFQ	36	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-76、SOD-323			PG-SOD323-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.4pf @ 5v、1MHz	ピン -シングル	50V	4.5OHM @ 10MA 、100MHz
BAR63-05WH6327	-	RFQ	7995	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペア共通カソード	50V	-
BAR65-02VH6327	-	RFQ	4071	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-79、SOD-523			PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	4,000		100 Ma	250 MW									0.8pf @ 3V、1MHz	ピン -シングル	30V	900mohm @ 10ma 、100MHz
bar63-03we6433	0.0300	RFQ	2588	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-76、SOD-323			PG-SOD323-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	7,000		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン -シングル	50V	1OHM @ 10MA 、100MHz
BAR6304WH6327	0.0600	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	5,482		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペアシリーズ接続	50V	-
BAL74E6327	-	RFQ	3017	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3		標準	PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns				50 v		1 V @ 100 MA	4 ns	100 Na @ 50 V	-65°C〜150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
BA892-02VE6327	-	RFQ	1487	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-79、SOD-523			PG-SC79-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma										1.1pf @ 3V、1MHz	標準 -シングル	35V	500mohm @ 10ma 、100MHz
BAS52-02VH6327	-	RFQ	6815	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-79、SOD-523		ショットキー	PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns				45 v		600 mV @ 200 mA		10 µA @ 45 v	150°C	750ma	5PF @ 10V、1MHz
BAS40-60B5000	-	RFQ	1118	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				BAS40			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	10,000
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BAT24-02LSE6327	0.5000	RFQ	121	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		0201 （0603 メトリック）			PG-TSSLP-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1		110 Ma	100 MW									0.23pf @ 0V、1MHz	Schottky-シングル	4V	-
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BAT17-06WE6327	0.0700	RFQ	6	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000		130 Ma	150 MW									0.75pf @ 0V、1MHz	Schottky -1ペア共通アノード	4V	15OHM @ 5MA 、10kHz
BAS3005A-02VE6327	0.0400	RFQ	4118	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-79、SOD-523		ショットキー	PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	6,000	高速回復= <500ns				30 V		500 mV @ 500 Ma		300 µA @ 30 V	150°C	500mA	10pf @ 5V、1MHz
BAS70-06B5003	0.0300	RFQ	60	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー	PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	70 v	70ma	1 V @ 15 mA		100 Na @ 50 V	150°C
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BAT17-04WH6327	0.0900	RFQ	33	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		130 Ma	150 MW									0.7pf @ 0V、1MHz	Schottky -1ペアシリーズ接続	4V	15OHM @ 5MA、1MHz
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BAS40-50B5003	-	RFQ	8439	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				BAS40			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000
BAS40-04B5000	1.0000	RFQ	6554	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS40	ショットキー	PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペアシリーズ接続	40 v	120ma	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
BAS4007WH6327	0.1200	RFQ	6	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-82A 、SOT-343	BAS4007	ショットキー	PG-SOT343-4	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			2独立	40 v	120ma	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
BAS4006WE6327	0.0300	RFQ	36	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS40	ショットキー	SOT-323	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	40 v	120ma	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
BAS28E6327	1.0000	RFQ	7034	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	to-253-4、to-253aa	BAS28	標準	PG-SOT-143-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			2独立	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	100 Na @ 75 V	150°C （最大）
bar6405we6433	0.0300	RFQ	2222	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	7,000		100 Ma	250 MW									0.35pf @ 20V、1MHz	ピン -シングル	150V	1.35OHM @ 100MA 、100MHz
BAS40-06B5000	0.0300	RFQ	137	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS40	sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	10,000	回復時間なし> 500ma			1ペア共通アノード	40 v	120ma	1 V @ 40 mA	0 ns	1 µA @ 30 V	150°C
BAS116E6327	-	RFQ	1619	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3		標準	PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns				80 v		1.25 V @ 150 MA	1.5 µs	5 Na @ 75 V	150°C （最大）	250ma	2PF @ 0V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²