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ダイオード（ 1803）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	@ @ if、f
BAT64-05WH6327	-	RFQ	8105	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAT64	ショットキー	PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通カソード	40 v	120ma	750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
IDH15S120A	8.1600	RFQ	176	Infineon Technologies	coolsic™+	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to220-2-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0080	1	回復時間なし> 500ma				1200 v		1.8 V @ 15 a	0 ns	360 µA @ 1.2 v	-55°C〜175°C	15a	750pf @ 1V、1MHz
bar6405e6327	1.0000	RFQ	9794	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3			PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.35pf @ 20V、1MHz	ピン-1ペア共通カソード	150V	1.35OHM @ 100MA 、100MHz
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bar6302we6327	-	RFQ	6842	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-80			PG-SCD80-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン -シングル	50V	-
bar63-06wh6327	-	RFQ	1329	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	4,261		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペア共通アノード	50V	-
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bar6302ve6327	0.0400	RFQ	4841	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-79、SOD-523			PG-SC79-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	1,000		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン -シングル	50V	-
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BAS70-06WH6327	-	RFQ	5700	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS70	ショットキー	PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	70 v	70ma	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C
BAS16WE6327	0.0200	RFQ	175	Infineon Technologies	BAS16	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS16	標準	PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns				80 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
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BAS4002S-02LRHE6327	0.0700	RFQ	9	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SOD-882	BAS40	ショットキー	PG-TSLP-2-17	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	15,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				40 v		550 mV @ 200 mA		10 µA @ 40 V	150°C	200mA	7PF @ 5V、1MHz
BAS70-05B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー	PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通カソード	70 v	70ma	1 V @ 15 mA		100 Na @ 50 V	150°C
BA892-02V-E6327	-	RFQ	5811	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-79、SOD-523			PG-SC79-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma										1.1pf @ 3V、1MHz	標準 -シングル	35V	500mohm @ 10ma 、100MHz
DDB6U100N16RBOSA1	67.6000	RFQ	80	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		シャーシマウント	モジュール		標準	ag-econo2a	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns				1600 v		1.55 V @ 100 a		5 ma @ 1600 v	150°C	104a	-
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BA89202LE6327	0.0700	RFQ	38	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SOD-882			PG-TSLP-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	15,000		100 Ma										1.1pf @ 3V、1MHz	標準 -シングル	35V	500mohm @ 10ma 、100MHz
IDB18E120	1.1400	RFQ	21	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）		標準	14-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns				1200 v		2.15 V @ 18 a	195 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	31a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²