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ダイオード（ 1803）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） @ @ if、f 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
BAR6302VE6327 Infineon Technologies bar6302ve6327 0.0400
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 150°C （TJ） SC-79、SOD-523 PG-SC79-2 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 1,000 100 Ma 250 MW 0.3pf @ 5V、1MHz ピン -シングル 50V -
BAS16-03WE6327 Infineon Technologies BAS16-03WE6327 1.0000
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 Infineon Technologies BAS16 バルク アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 BAS16 標準 PG-SOD323-2-1 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 80 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C 250ma 2PF @ 0V、1MHz
BB644E7904 Infineon Technologies BB644E7904 -
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BBY53-05WE6327 Infineon Technologies BBY53-05We63 27 -
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント SC-70、SOT-323 PG-SOT323-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 1,000 3.1pf @ 3V、1MHz 1ペア共通カソード 6 v 2.2 C1/C3 -
IDV06S60C Infineon Technologies IDV06S60C 2.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1
BB66402VE7902 Infineon Technologies BB66402VE7902 -
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 PG-SC79-2-1 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 1 2.75pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 16.4 C1/C28 -
BB664H7902 Infineon Technologies BB664H7902 0.0500
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-80 SCD-80 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 4,750 2.75pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 16.4 C1/C28 -
BBY53-05WH6327 Infineon Technologies BBY53-05WH6327 0.1500
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント SC-70、SOT-323 PG-SOT323-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1,750 3.1pf @ 3V、1MHz 1ペア共通カソード 6 v 2.2 C1/C3 -
BBY6605WE6327 Infineon Technologies bby6605we63 27 0.1700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SOT-323 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 3,000 13.5pf @ 4.5V、1MHz 1ペア共通カソード 12 v 5.41 C1/C4.5 -
BBY5806WE6327 Infineon Technologies bby5806we6327 0.1200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SOT-323 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 3,000 5.5pf @ 6V、1MHz 1ペア共通アノード 10 v 3.5 C1/C4 -
IDH06S60C Infineon Technologies IDH06S60C -
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™+ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー PG-to220-2-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 600 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 80 µA @ 600 V -55°C〜175°C 6a 280pf @ 1V、1MHz
IDH05S120 Infineon Technologies IDH05S120 4.5200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 PG-to220-2-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1
IDH08S120 Infineon Technologies IDH08S120 -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー PG-to220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 7.5 a 0 ns 180 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 7.5a 380pf @ 1V、1MHz
BAW56B5000 Infineon Technologies BAW56B5000 0.0200
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ BAW56 - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 10,000
IDT02S60C Infineon Technologies IDT02S60C 0.7700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー PG-to220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 600 V 2.4 V @ 3 a 0 ns 15 µA @ 600 V -55°C〜175°C 3a 60pf @ 1V、1MHz
IDB45E60 Infineon Technologies IDB45E60 -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント TO-263-3 PG-to263-3-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000
BAS16B5000 Infineon Technologies BAS16B5000 0.0200
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Infineon Technologies BAS16 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS16 標準 PG-SOT23-3-11 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 80 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C 250ma 2PF @ 0V、1MHz
IDB18E120 Infineon Technologies IDB18E120 1.1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント 14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 標準 14-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1200 v 2.15 V @ 18 a 195 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 31a -
BBY53-03WE6327 Infineon Technologies BBY53-03WE6327 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント SC-76、SOD-323 PG-SOD323-2 ダウンロード ear99 8541.10.0070 2,450 3.1pf @ 3V、1MHz シングル 6 v 2.2 C1/C3 -
BAS40-05W Infineon Technologies BAS40-05W 0.0900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 BAS40 ショットキー PG-SOT323-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 40 v 120ma 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
IDD05SG60C Infineon Technologies IDD05SG60C 1.0000
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™+ バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 sic （炭化シリコン）ショットキー PG-to252-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 回復時間なし> 500ma 600 V 2.3 V @ 5 a 0 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜175°C 5a 110pf @ 1V、1MHz
BAS40-06E6327 Infineon Technologies BAS40-06E6327 0.0900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS40 ショットキー PG-SOT23 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 40 v 120ma 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
IDH10SG60C Infineon Technologies IDH10SG60C 1.0000
RFQ
 ECAD 2192 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™+ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー PG-to220-2-2 ダウンロード 0000.00.0000 1 回復時間なし> 500ma 600 V 2.1 V @ 10 a 0 ns 90 µA @ 600 V -55°C〜175°C 10a 290pf @ 1V、1MHz
IDW40E65D2 Infineon Technologies IDW40E65D2 -
RFQ
 ECAD 9751 0.00000000 Infineon Technologies idw バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 標準 PG-to247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 650 V 2.3 V @ 40 a 75 ns 40 µA @ 650 v -40°C〜175°C 80a -
BA595E6327 Infineon Technologies BA595E6327 0.0500
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 Infineon Technologies aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） SC-76、SOD-323 PG-SOD323-2-1 ダウンロード ear99 8541.10.0070 4,020 50 Ma 0.6pf @ 10V、1MHz ピン -シングル 50V -
BAT64-04E6433 Infineon Technologies BAT64-04E6433 0.0800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT64 ショットキー PG-SOT23-3-11 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 120ma 750 mv @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C
BAS70-04E6327 Infineon Technologies BAS70-04E6327 1.0000
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS70 ショットキー PG-SOT23 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 70 v 70ma 1 V @ 15 mA 100 ps 100 Na @ 50 V 150°C
IDP15E65D1 Infineon Technologies IDP15E65D1 -
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 PG-to220-2-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 650 V 1.7 V @ 15 a 114 ns 40 µA @ 650 v -40°C〜175°C 30a -
BBY5305WH6327XTSA1554 Infineon Technologies BBY5305WH6327XTSA1554 1.0000
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント SC-70、SOT-323 PG-SOT323-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 3.1pf @ 3V、1MHz 1ペア共通カソード 6 v 2.2 C1/C3 -
BAS70-07E6433 Infineon Technologies BAS70-07E6433 0.1200
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント to-253-4、to-253aa BAS70 ショットキー PG-SOT143-4 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 70 v 70ma 1 V @ 15 mA 100 ps 100 Na @ 50 V 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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