画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC08D60C8X1SA3 | - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SIDC08 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.95 V @ 30 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 30a | - | |||||
![]() | SIDC02D60C8F1SA1 | - | ![]() | 8239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SIDC02 | 標準 | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.95 V @ 6 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 6a | - | |||||
![]() | SIDC09D60F6X1SA1 | - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SIDC09D60 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.6 V @ 30 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 30a | - | |||||
![]() | SIDC14D60C8X7SA1 | - | ![]() | 7634 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SIDC14D60 | 標準 | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.9 V @ 50 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 50a | - | |||||
![]() | SIDC06D65C8X1SA1 | - | ![]() | 9496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SIDC06D65 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 650 V | 1.87 V @ 20 a | 240 Na @ 650 v | -40°C〜175°C | 20a | - | |||||
![]() | IDWD20G120C5XKSA1 | 13.9200 | ![]() | 786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | idwd20 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 20 a | 0 ns | 166 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 62a | 1368pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | AIDW30S65C5XKSA1 | 8.9000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100/101 、Coolsic™ | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | AIDW30 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-3-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 30 a | 0 ns | 120 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | 30a | 860pf @ 1V 、1MHz | ||||
![]() | D56S45CS02PRXPSA1 | - | ![]() | 9347 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | スタッド | D56S45C | 標準 | BG-DSW272-1 | - | 適用できない | 影響を受けていない | SP000440848 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 4500 v | 4.5 V @ 320 a | 3.3 µs | 5 mA @ 4500 v | 125°C (最大) | 102a | - | ||||
![]() | IDV15E65D2XKSA1 | 1.4300 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | IDV15E65 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 650 V | 2.2 V @ 15 a | 47 ns | 40 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | 15a | - | ||||
![]() | BAS4004E6327HTSA1 | 0.4200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS4004 | ショットキー | PG-SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 40 v | 120ma | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BAS70-02LE6327 | 1.0000 | ![]() | 8183 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-882 | ショットキー | PG-TSLP-2-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150°C | 70ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||
![]() | DZ950N44KS02HPSA1 | 1.0000 | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DZ950N44 | 標準 | BG-PB70-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 4400 v | 100 mA @ 4400 v | 160°C (最大) | 950A | - | ||||||
![]() | IDW10G120C5BFKSA1 | 9.5800 | ![]() | 7118 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | IDW10G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-3-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 17a | 1.65 V @ 5 a | 40 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | |||||
![]() | BAV 70S H6327 | - | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | bav 70 | 標準 | PG-SOT363-6 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペア共通カソード | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BAS16SE6327BTSA1 | - | ![]() | 8216 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BAS16 | 標準 | pg-sot363-po | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 3独立 | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BAW79DE6327HTSA1 | - | ![]() | 1109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-243AA | BAW79 | 標準 | PG-SOT89 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 1a (dc) | 1.6 V @ 1 a | 1 µs | 1 µA @ 400 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BAS16WH6327 | 0.0400 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAS16 | 標準 | SOT-323 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 8,013 | 高速回復= <500ns | 80 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 250ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||
![]() | IDK03G65C5XTMA2 | 1.0880 | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | TO-263-3 | IDK03G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.8 V @ 3 a | 0 ns | 500 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 3a | 100pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | D3001N65T | - | ![]() | 9070 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | DO-200AE | D3001N65 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | SP000091255 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 6500 v | 1.7 V @ 4000 a | 100 mA @ 6500 v | -40°C〜160°C | 3910a | - | ||||
![]() | SIDC06D120H6X1SA4 | - | ![]() | 9085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC06D120 | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.6 V @ 7.5 a | 27 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | 7.5a | - | |||||
![]() | SIDC03D120F6X1SA1 | - | ![]() | 9824 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC03 | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 2.1 V @ 2 a | 27 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||
![]() | IDH08G120C5XKSA1 | 6.3300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | IDH08G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.95 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 8a | 365pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | DDB6U144N16RBOSA1 | 108.9600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | シャーシマウント | モジュール | DDB6U144 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 3独立 | 1600 v | - | 1.65 V @ 150 a | 5 ma @ 1600 v | -40°C〜150°C | |||||
![]() | SDT10S30 | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | SDT10S | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 回復時間なし> 500ma | 300 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | 10a | 600pf @ 0V、1MHz | |||||
![]() | bav99ue6327htsa1 | 0.1337 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | bav99 | 標準 | PG-SC74-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペアシリーズ接続 | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | IRD3CH31DF6 | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | IRD3CH31 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001535692 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | D931SH65TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | do-200ad | D931SH65 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 6500 v | 5.6 V @ 2500 a | 100 mA @ 6500 v | 0°C〜140°C | 1220A | - | |||||
![]() | BAW56SH6327XTSA1 | 0.1059 | ![]() | 2612 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BAW56 | 標準 | pg-sot363-po | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペア共通アノード | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | IDH06G65C5XKSA1 | - | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | IDH06G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 210 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | IDP45E60XKSA2 | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | IPD45 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 50 |
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