画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC32D170HX1SA3 | - | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC32D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1700 v | 1.8 V @ 50 a | 27 µA @ 1700 v | -55°C〜150°C | 50a | - | ||||||||||
![]() | SIDC42D120F6X1SA3 | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC42D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 2.1 V @ 50 a | 27 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | 50a | - | ||||||||||
![]() | SIDC59D170HX1SA2 | - | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC59D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1700 v | 1.8 V @ 100 a | 27 µA @ 1700 v | -55°C〜150°C | 100a | - | ||||||||||
![]() | SIDC73D170E6X1SA2 | - | ![]() | 1531 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC73D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1700 v | 2.15 V @ 100 a | 27 µA @ 1700 v | -40°C〜175°C | 100a | - | ||||||||||
![]() | SIDC81D120E6X1SA4 | - | ![]() | 9814 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC81D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.9 V @ 100 a | 27 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | 100a | - | ||||||||||
![]() | SIDC81D120H6X1SA2 | - | ![]() | 1856年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | 死ぬ | SIDC78D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.6 V @ 150 a | 27 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | SIDC81D60E6X1SA3 | - | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SIDC78D | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.25 V @ 200 a | 27 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 200a | - | ||||||||||
![]() | IDW30C65D1XKSA1 | 3.2900 | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ラピッド1 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | IDW30C65 | 標準 | PG-to247-3-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 650 V | 15a | 1.7 V @ 15 a | 71 ns | 40 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | |||||||||
![]() | HFA08TB60PBF | - | ![]() | 9438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | HFA08 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | 14.7700 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | IDW20G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 31a | 1.65 V @ 10 a | 83 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | BAT1504RE6152HTSA1 | 0.5500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | TO-236-3 | BAT1504 | PG-SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 110 Ma | 0.25pf @ 0V、1MHz | Schottky -1ペアシリーズ接続 | 4V | 18OHM @ 5MA、1MHz | |||||||||||||
![]() | IDB06S60CATMA2 | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | IDB06 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 600 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 80 µA @ 600 V | - | 6a | 280pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | D251N18BB01XPSA1 | - | ![]() | 3837 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | スタッドマウント | BG-DSW27-1 | D251N | 標準 | BG-DSW27-1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000090534 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1800 v | 30 mA @ 1800 v | -40°C〜180°C | 255a | - | ||||||||||
![]() | AIDW30E60 | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | チューブ | アクティブ | AIDW30 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | |||||||||||||||||||||
![]() | gateleadwhbu445xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | - | - | gateleadwhbu445 | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | IDDD06G65C6XTMA1 | 1.7992 | ![]() | 5899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 10-POWERSOPモジュール | IDDD06 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-HDSOP-10-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001679786 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 420 v | -55°C〜175°C | 18a | 302pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | IDDD16G65C6XTMA1 | 7.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 10-POWERSOPモジュール | IDDD16 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-HDSOP-10-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 53 µA @ 420 v | -55°C〜175°C | 43a | 783pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | iddd20g65c6xtma1 | 9.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 10-POWERSOPモジュール | iddd20 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-HDSOP-10-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 67 µA @ 420 v | -55°C〜175°C | 51a | 970pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | 17DN02S01EVOPRXPSA1 | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | 17DN02 | - | - | - | 適用できない | 影響を受けていない | SP000541820 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||
![]() | ND260N08KHPSA1 | - | ![]() | 4546 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | ND260N | 標準 | BG-PB50ND-1 | - | 適用できない | 影響を受けていない | SP000540046 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.32 V @ 800 a | 30 mA @ 800 v | 150°C (最大) | 260a | - | ||||||||||
![]() | EDD630N16P60HPSA1 | - | ![]() | 1929年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | EDD630 | 標準 | BG-PB60ECO-1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001689146 | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 630A | - | |||||||||||
![]() | IDP2308T1XUMA1 | 2.3085 | ![]() | 7941 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | IDP2308 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | D170S25BS1XPSA1 | - | ![]() | 4514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | スタッド | D170S25 | 標準 | BG-DSW271-1 | - | 影響を受けていない | SP000090297 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2500 V | 2.3 V @ 800 a | 4 µs | 5 ma @ 2500 v | 140°C (最大) | 255a | - | ||||||||||
![]() | D690S26TS01XPSA1 | - | ![]() | 8959 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | do-200ab、b-puk | D690S26 | 標準 | BG-D5726K-1 | - | 適用できない | 影響を受けていない | SP001046358 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2600 v | 2.7 V @ 3000 a | 9 µs | 25 mA @ 2600 v | 150°C (最大) | 690a | - | |||||||||
![]() | IDWD15G120C5XKSA1 | 10.8400 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | IDWD15 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | SP001687164 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 15 a | 0 ns | 124 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 49a | 1050pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | IDWD30G120C5XKSA1 | 20.7500 | ![]() | 494 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | idwd30 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 30 a | 0 ns | 248 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 87a | 1980pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | DD500S33HE3BOSA1 | - | ![]() | 3913 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DD500S33 | 標準 | Ag-IHVB130-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 3300 v | 500a | 3.85 V @ 500 a | 500 A @ 1800 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | DD1200S33K2CB3S2NDSA1 | - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | A-IHV130-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 3300 v | 1200a | 3.5 V @ 1200 a | 1700 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||
![]() | DD800S33K2CB3S2NDSA1 | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | DD800S33 | 標準 | A-IHV130-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 3300 v | 800a | 3.5 V @ 800 a | 1100 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | ||||||||||||
![]() | DD1200S33K2CB3NOSA1 | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | A-IHV130-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 3300 v | 1200a | 3.5 V @ 1200 a | 1700 A @ 1800 V | -40°C〜125°C |
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