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ダイオード（ 1803）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	@ @ if、f	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
BAS3005A-02VH6327	1.0000	RFQ	9978	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-79、SOD-523		ショットキー	PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns				30 V		500 mV @ 500 Ma		300 µA @ 30 V	150°C	500mA	10pf @ 5V、1MHz
BB 664 H7902	0.0400	RFQ	26	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-80			SCD-80	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000												2.75pf @ 28V、1MHz	シングル	30 V		17.8	C1/C28	-
BAW101E6327	0.1200	RFQ	18	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	to-253-4、to-253aa	BAW101	標準	PG-SOT-143-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	2,623	標準回復> 500ns			2独立	300 V	250ma dc）	1.3 V @ 100 MA	1 µs	150 NA @ 250 V	150°C （最大）
BAT64-06B5003	0.0300	RFQ	57	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAT64	ショットキー	PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	40 v	120ma	750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
IDT08S60C	3.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to220-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1	回復時間なし> 500ma				600 V		1.7 V @ 8 a	0 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	8a	310pf @ 1V、1MHz
BAT15-098LRHE6327	0.1900	RFQ	12	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C（Ta）		4-xfdfn	BAT15		PG-TSLP-4-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	1		110 Ma											Schottky -2独立	4V
BAT1805E6327	-	RFQ	2117	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAT1805	標準	PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1,571	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通カソード	35 v	100MA （DC）	1.2 V @ 100 MA	120 ns	20 na @ 20 v	150°C （最大）
BAT15-05WH6327XTSA1	0.1900	RFQ	3	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			SOT-323	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		110 Ma	100 MW									0.5pf @ 0V、1MHz	Schottky -1ペア共通カソード	4V	5.5OHM @ 50MA、1MHz
BAT64-05B5003	1.0000	RFQ	8644	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAT64	ショットキー	PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通カソード	40 v	120ma	750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
BAT62-02WH6327	1.0000	RFQ	3623	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ							-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000
BAT68E6359HTMA1	0.0700	RFQ	30	Infineon Technologies	BAT68	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3			PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	10,000		130 Ma	150 MW									1PF @ 0V、1MHz	Schottky-シングル	8V	10ohm @ 5ma 、10kHz
BAT64B5000	-	RFQ	7800	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3		ショットキー	PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				40 v		750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C	120ma	4PF @ 1V 、1MHz
BAL99	-	RFQ	3268	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3		標準	SOT23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	8,959	高速回復= <500ns				80 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 70 V	150°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
バー67-04 E6327	-	RFQ	8899	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3			PG-SOT23	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,000		200 ma	250 MW									0.55pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペアシリーズ接続	150V	1OHM @ 10MA 、100MHz
BAL99E6327	0.0400	RFQ	249	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3		標準	PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	8,959	高速回復= <500ns				80 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 70 V	-65°C〜150°C	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
bar61	-	RFQ	4496	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		to-253-4、to-253aa			PG-SOT143-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1		140 Ma	250 MW									0.5pf @ 50V、1MHz	ピン-pi要素	100V	12OHM @ 10MA 、100MHz
BB565H7908	-	RFQ	2816	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-80			SCD-80	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000												2.2pf @ 28V、1MHz	シングル	30 V		11	C1/C28	-
バー64-06WH6327	0.0900	RFQ	3283	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.35pf @ 20V、1MHz	ピン-1ペア共通アノード	150V	1.35OHM @ 100MA 、100MHz
BAR63-04WH6327	-	RFQ	8284	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-70、SOT-323			PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペアシリーズ接続	50V	-
BA892-02V	-	RFQ	6892	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-79、SOD-523			PG-SC79-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma										1.1pf @ 3V、1MHz	標準 -シングル	35V	500mohm @ 10ma 、100MHz
BA895E6327	0.0400	RFQ	21	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-80			SCD-80	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000		50 Ma										0.6pf @ 10V、1MHz	ピン -シングル	50V	7OHM @ 10MA 、100MHz
BAW56WE6433	0.0200	RFQ	190	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAW56	標準	PG-SOT323-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C
BAW56WE6327	-	RFQ	4805	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAW56	標準	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C （最大）
BAW56W-E6327	-	RFQ	3501	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAW56	標準	PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	12,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通アノード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C
BAW 79d E6327	0.1100	RFQ	4	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-243AA	BAW 79	標準	PG-SOT89	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns			1ペア共通カソード	400 V	1a （dc）	1.6 V @ 1 a	1 µs	1 µA @ 400 V	150°C （最大）
BBY66-05WH6327	-	RFQ	7995	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ							-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000
BB814E6327GR2	0.0900	RFQ	23	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	表面マウント	TO-236-3			PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000												22.7pf @ 8V、1MHz	1ペア共通カソード	18 v		2.25	C2/C8	200 @ 2V 、100MHz
IDW30E65D1	-	RFQ	7942	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-247-3		標準	PG-to247-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns				650 V		1.7 V @ 30 a	115 ns	40 µA @ 650 v	-40°C〜175°C	60a	-
BB659C-02VH7908	-	RFQ	3197	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523			PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,917												2.75pf @ 28V、1MHz	シングル	30 V		15.3	C1/C28	-
BB669	0.0200	RFQ	49	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323			PG-SOD323-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000												2.9pf @ 28V、1MHz	シングル	30 V		20.9	C1/C28	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²