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ダイオード（ 1803）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	@ @ if、f	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
BAT68E6327	1.0000	RFQ	8414	Infineon Technologies	BAT68	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3			PG-SOT23-3-1	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1		130 Ma	150 MW									1PF @ 0V、1MHz	Schottky-シングル	8V	10ohm @ 5ma 、10kHz
DD261N22KTIMHPSA1	238.3867	RFQ	2270	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DD261N22	標準	BG-PB50-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns			1ペアシリーズ接続	2200 v	260a	1.42 V @ 800 a		40 mA @ 2200 v	150°C （最大）
DD540N22KTIMHPSA1	385.0000	RFQ	4506	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DD540N22	標準	BG-PB60AT-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns			1ペアシリーズ接続	2200 v	540a	1.48 V @ 1.7 ka		40 mA @ 2200 v	150°C （最大）
aidk10S65C5ATMA1	5.4200	RFQ	7703	Infineon Technologies	Automotive、AEC-Q101 、CoolSic™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-263-3	aidk10	sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to263-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	回復時間なし> 500ma				650 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	60 µA @ 650 v	-40°C〜175°C	10a	303pf @ 1V、1MHz
IDK05G120C5XTMA1	5.4100	RFQ	603	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-263-3	IDK05G120	sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to263-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	回復時間なし> 500ma				1200 v		1.8 V @ 5 a		33 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	19.1a	301pf @ 1V、1MHz
IDK08G120C5XTMA1	6.2300	RFQ	955	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-263-3	IDK08G120	sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to263-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	回復時間なし> 500ma				1200 v		1.95 V @ 8 a		40 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	22.8a	365pf @ 1V、1MHz
IDK10G120C5XTMA1	7.1600	RFQ	5	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-263-3	IDK10G120	sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to263-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	回復時間なし> 500ma				1200 v		1.8 V @ 10 a		18 µa @ 1200 v	-55°C〜175°C	31.9a	525pf @ 1V、1MHz
bav74	0.0400	RFQ	58	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	TO-236-3	bav74	標準	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠			ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通カソード	50 v	200mA	1 V @ 100 MA	4 ns	100 Na @ 50 V	150°C （最大）
IDP15E60	0.8600	RFQ	11	Infineon Technologies	IDP	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2		標準	PG-to220-2	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1	高速回復= <500ns				600 V		2 V @ 15 a	87 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	29.2a	-
BBY55-03WE6327	0.1300	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323			PG-SOD323-2	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1												6.5pf @ 10V、1MHz	シングル	16 v		2.5	C2/C10	-
BAS40	0.0700	RFQ	10	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS40	ショットキー	SOT23-3	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	200 Na @ 30 V	-50°C〜150°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
BAT15-099E6327	0.2100	RFQ	24	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		to-253-4、to-253aa			PG-SOT143-4	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1		110 Ma	100 MW									0.5pf @ 0V、1MHz	Schottky -2独立	4V	5.5OHM @ 50MA、1MHz
BAR63-04E6327	-	RFQ	9446	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3			PG-SOT23	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペアシリーズ接続	50V	-
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BAR63-06E6327HTSA1	1.0000	RFQ	4962	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3			PG-SOT23-3-3	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1		100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン-1ペア共通アノード	50V	1OHM @ 10MA 、100MHz
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gateleadrd406xpsa1	29.6100	RFQ	6351	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-	-	gateleadrd406	-	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		0000.00.0000	1	-									-	-	-
IDC75S120C5X7SA1	100.6560	RFQ	8688	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-	-	IDC75	-	-	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		0000.00.0000	1	-									-	-	-
DD170N36KHPSA1	207.5600	RFQ	8	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DD170N36	標準	BG-PB34AT-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	8	標準回復> 500ns			1ペアシリーズ接続	3600 v	170a	1.82 V @ 600 a		25 MA @ 3600 v	150°C
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1	242.7250	RFQ	4903	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ				DDB2U60N12			-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	8
IDH06SG60CXKSA1	-	RFQ	3382	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	sicで中止されました		穴を通して	TO-220-2	IDH06SG60	sic （炭化シリコン）ショットキー	PG-to220-2-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	50	回復時間なし> 500ma				600 V		2.3 V @ 6 a	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	6a	130pf @ 1V、1MHz
DZ3600S17K3B2NOSA1	1.0000	RFQ	2356	Infineon Technologies	-	トレイ	新しいデザインではありません		シャーシマウント	モジュール	DZ3600	標準	A-IHM190-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns			3独立	1700 v	-	2.2 V @ 3600 a		3050 A @ 900 V	-40°C〜125°C
BAV 99 B6327	-	RFQ	3938	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	TO-236-3	bav 99	標準	PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	30,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペアシリーズ接続	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C （最大）
BAT5405WH6327XTSA1	0.5000	RFQ	116	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAT5405	ショットキー	PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			1ペア共通カソード	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
IDW30E60FKSA1	2.6900	RFQ	240	Infineon Technologies	-	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	IDW30E60	標準	PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	240	高速回復= <500ns				600 V		2 V @ 30 a	143 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	60a	-
D650N06TXPSA1	-	RFQ	4621	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D650N06	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	18	標準回復> 500ns				600 V		950 mV @ 450 a		20 mA @ 600 v	-40°C〜180°C	650A	-
DD600N18KHPSA2	377.3500	RFQ	4729	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DD600N18	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns			1ペアシリーズ接続	1800 v	600a	1.32 V @ 1800 a		40 mA @ 1800 v	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²