画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDK08G120C5XTMA1 | 6.2300 | ![]() | 955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | IDK08G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-2-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.95 V @ 8 a | 40 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 22.8a | 365pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | ND104N12KHPSA1 | - | ![]() | 2130 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | ND104N12 | 標準 | BG-PB20-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 20 mA @ 1200 v | -40°C〜135°C | 104a | - | ||||||
![]() | BAT5405WH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT5405 | ショットキー | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | IDH05S120AKSA1 | - | ![]() | 1530 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | IDH05 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 5 a | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 5a | 250pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | D740N42TXPSA1 | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | do-200ab、b-puk | D740N42 | 標準 | - | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 4200 v | 1.45 V @ 700 a | 70 mA @ 4200 v | -40°C〜160°C | 750A | - | ||||||
![]() | IDH05G65C5XKSA2 | 1.8247 | ![]() | 5789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | 新しいデザインではありません | 穴を通して | TO-220-2 | IDH05G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001632972 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 5 a | 0 ns | 90 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 5a | 160pf @ 1V、1MHz | |||
IDW80C65D1XKSA1 | 3.9300 | ![]() | 6095 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ラピッド1 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | IDW80C65 | 標準 | PG-to247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 650 V | 40a | 1.7 V @ 40 a | 77 ns | 40 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | |||||
![]() | IDD04SG60CXTMA1 | - | ![]() | 3636 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | to-252-3 | IDD04SG60 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to252-3-11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 600 V | 2.3 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 5.6a | 80pf @ 1V 、1MHz | ||||
![]() | BAT64E6327HTSA1 | 0.4500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q101、BAT64 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT64 | ショットキー | PG-SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 750 mv @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 120ma | 6PF @ 1V 、1MHz | ||||
![]() | ND350N12KHPSA1 | - | ![]() | 9011 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | ND350N12 | 標準 | BG-PB50ND-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 30 mA @ 1200 v | -40°C〜135°C | 350A | - | ||||||
![]() | DZ1070N26KHPSA1 | 750.9600 | ![]() | 8135 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DZ1070 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2600 v | 1.52 V @ 3400 a | 150 mA @ 2600 v | -40°C〜150°C | 1070a | - | |||||
![]() | D1961SH45TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | DO-200AE | D1961SH45 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 4500 v | 2.5 V @ 2500 a | 150 mA @ 4500 v | 0°C〜140°C | 2380a | - | |||||
![]() | BAS12505WH6327XTSA1 | 0.7700 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAS12504 | ショットキー | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 25 v | 100MA (DC) | 950 mV @ 35 Ma | 150 Na @ 25 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BAS3005S-02LRHE6327 | 0.1300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Infineon Technologies | BAS | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-882 | ショットキー | PG-TSLP-2-17 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 500 Ma | 300 µA @ 30 V | 150°C | 500mA | 15pf @ 5V、1MHz | ||||||
![]() | DD104N18KHPSA2 | 124.7907 | ![]() | 4231 | 0.00000000 | Infineon Technologies | DD104N | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | - | ROHS3準拠 | 448-DD104N18KHPSA2 | ear99 | 8541.30.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1800 v | 104a | 1.4 V @ 300 a | 20 mA @ 1.8 kV | 150°C | |||||||
![]() | SIDC03D60F6X7SA1 | - | ![]() | 6036 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SIDC03 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.6 V @ 6 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 6a | - | |||||
![]() | BAS7006E6433HTMA1 | 0.4200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS7006 | ショットキー | PG-SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | DZ1070N28KHPSA1 | 782.4600 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DZ1070 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2800 v | 1.52 V @ 3400 a | 150 mA @ 2800 v | -40°C〜150°C | 1070a | - | |||||
![]() | D255N02BXPSA1 | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | DO-205AA | D255N | 標準 | - | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 20 ma @ 200 v | -40°C〜180°C | 255a | - | |||||||
![]() | DZ540N26KHPSA1 | 315.6667 | ![]() | 3889 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DZ540N26 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 2600 v | 1.64 V @ 2200 a | 40 mA @ 2600 v | -40°C〜150°C | 732a | - | |||||
![]() | DZ540N26KS01HPSA1 | - | ![]() | 1112 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | DZ540N26 | 標準 | BG-PB501-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 2600 v | 1.64 V @ 2200 a | 40 mA @ 2600 v | 150°C | 732a | - | ||||||
![]() | D3001N58TXPSA1 | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | DO-200AE | D3001N58 | 標準 | - | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 5800 v | 1.7 V @ 4000 a | 100 mA @ 5800 v | -40°C〜160°C | 3910a | - | ||||||
![]() | BAS7004WH6327XTSA1 | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAS7004 | ショットキー | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | IDH10G120C5XKSA1 | 7.8000 | ![]() | 4804 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | IDH10G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 10 a | 0 ns | 62 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 10a | 525pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | IDM08G120C5XTMA1 | 5.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | IDM08G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.95 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 8a | 365pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | バット54-04W E6327 | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | バット54 | ショットキー | PG-SOT323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | IDH10G65C5XKSA2 | 4.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | IDH10G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 180 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | D711N68TXPSA1 | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | do-200ab、b-puk | D711N68 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 標準回復> 500ns | 6800 v | 1.9 V @ 1200 a | 50 mA @ 6800 v | -40°C〜160°C | 1070a | - | |||||
![]() | IDH09G65C5XKSA1 | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | IDH09G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 9 a | 0 ns | 310 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 9a | 270pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | IDD12SG60CXTMA2 | - | ![]() | 9307 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | IDD12SG60 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to252-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001632948 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 600 V | 2.1 V @ 12 a | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 12a | 310pf @ 1V、1MHz |
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