SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
1N5818BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5818BULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 ショットキー DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5818BULK 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 30 V 550 mV @ 1 a 1 mA @ 30 v -65°C〜125°C 1a 110pf @ 4V、1MHz
1N4007 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007 0.1300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 EIC半導体Inc。 - アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4007 8541.10.0000 1,000 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
HER503BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. her503bulk 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-her503bulk 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 200 v 1.1 V @ 5 a 50 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V、1MHz
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 35.8 v 47 v 80オーム
1N4743A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743a 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半導体Inc。 - アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4743a 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.9 v 13 v 10オーム
BYV26E EIC SEMICONDUCTOR INC. byv26e 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 雪崩 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-byv26e 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 1000 V 2.5 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a -
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 4 平方、BR-50 標準 BR-50 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 800 V 50 a 単相 800 V
1N4742AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742AT/r 0.0510
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4742at/rtr 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.1 v 12 v 9オーム
1N4007W EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007W 0.0670
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4007WTR 8541.10.0000 3,000 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
1N4738A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738A 0.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半導体Inc。 - アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4738A 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5オーム
1N4735A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735A 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N4735A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 3 V 6.2 v 2オーム
10HCB EIC SEMICONDUCTOR INC. 10HCB 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-10hcbtr 8541.10.0000 5,000
10A07H EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A07H 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して D-6 、軸 標準 D6 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-10A07HTR ear99 8541.10.0080 800 標準回復> 500ns 1000 V 1 V @ 10 a 10 µA @ 1000 v -65°C〜150°C 10a 80pf @ 4V、1MHz
1N5338B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5338B 0.2600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 5 W DO-15 - ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N5338btr ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 v 1.5オーム
KBL400 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL400 1.0000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -50°C〜150°C (TJ 穴を通して 4-sip 、kbl 標準 KBL ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-KBL400 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 a 10 µA @ 50 V 4 a 単相 50 v
FR304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304BULK 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-FR304BULK 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 3 a 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V、1MHz
3EZ330D5T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 3EZ330D5T/r 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 3 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-3EZ330D5T/RTR 8541.10.0000 5,000 2 V @ 200 mA 1 µA @ 251 v 330 v 2200オーム
HER104BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER104BULK 0.2400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-her104bulk 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 300 V 1.1 V @ 1 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V、1MHz
1N757ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N757Abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 9.1 v 10オーム
HER304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER304BULK 0.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-her304bulk 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 300 V 1.1 V @ 3 a 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V、1MHz
1N759ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N759Abulk 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N759Abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 12 v 30オーム
BY133T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. by133t/r 0.0400
RFQ
ECAD 140 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-by133t/rtr 8541.10.0000 5,000 標準回復> 500ns 1300 v 1.1 V @ 1 a 1.5 µs 5 µA @ 1300 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
BR1000 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1000 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 4 平方、BR-10 標準 BR-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR1000 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 a 10 µA @ 50 V 10 a 単相 50 v
1N914T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N914T/r 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半導体Inc。 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N914T/RTR 8541.10.0000 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 75 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 75ma 4PF @ 0V、1MHz
1N746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N746Abulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% 175°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-1N746Abulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
FR306BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306BULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-FR306BULK 8541.10.0000 500 高速回復= <500ns 800 V 1.3 V @ 3 a 500 ns 10 µA @ 800 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V、1MHz
BYD13DBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. byd13dbulk 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 雪崩 DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-byd13dbulk 8541.10.0000 500 標準回復> 500ns 200 v 1.05 V @ 1 a 1 µA @ 200 v 175°C 1.4a -
BR608 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR608 0.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して 4 平方、BR-6 標準 BR-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR608 8541.10.0000 200 1 V @ 3 a 10 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
BR1506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1506 2.4100
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 4 平方、BR-50 標準 BR-50 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-BR1506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 a 10 µA @ 600 V 15 a 単相 600 V
2EZ15D5BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 2ez15d5bulk 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半導体Inc。 - バッグ アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 2 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2439-2EZ15D5BULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 11.4 v 15 V 7オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫