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ダイオード（453）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1n751abulk	0.2100	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N751Abulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.1 v	17オーム
FR106BULK	0.2100	RFQ	37	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FR106BULK	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	800 V	1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
1N4734AT/r	0.0650	RFQ	15	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N4734AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 v	5オーム
1N5242BT/r	0.0400	RFQ	10	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5242BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v						12 v	30オーム
HER302T/R	0.1700	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-HER302T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	100 V	1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
her306bulk	0.2800	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-her306bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
1N5245BT/r	0.0400	RFQ	20	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5245BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v						15 V	16オーム
HER506T/r	0.2800	RFQ	15	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-HER506T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	5a	50pf @ 4V、1MHz
1N5351A	0.1330	RFQ	6	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		5 W	DO-15	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5351ATR	8541.10.0000	3,000			1.2 V @ 1 a		1 µA @ 10.1 v						14 v	2.5オーム
SZ6515	0.1052	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB		5 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-SZ6515TR	8541.10.0000	3,000			1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v						15 V	2.5オーム
1N5357BBULK	0.3800	RFQ	12	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		5 W	DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5357BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 15.2 v						20 v	3オーム
1N5927BT/r	0.1300	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5927BT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム
1N5358BBULK	0.3800	RFQ	500	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		5 W	DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5358BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 16.7 v						22 v	3.5オーム
1N5256BBULK	0.1800	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5256BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 23 V						30 V	49オーム
BR1004	0.9800	RFQ	2	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、BR-10	標準		BR-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR1004	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 a		10 µA @ 400 V		10 a		単相	400 V
BR2510	2.8100	RFQ	250	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	4 平方、BR-50	標準		BR-50	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR2510	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 1000 v		25 a		単相	1 kV
1N752AT/r	0.0300	RFQ	10	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N752AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						5.6 v	11オーム
1N759Abulk	0.2100	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N759Abulk	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						12 v	30オーム
RBV800	1.0900	RFQ	700	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25	標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV800	8541.10.0000	100			1 V @ 4 a		10 µA @ 50 V		8 a		単相	50 v
1N5236BULK	0.1800	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5236BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V						7.5 v	6オーム
SB3B0-T/R	0.3300	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-SB3B0-T/RTR	8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns	100 V	790 mV @ 3 a		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	-
1N5245BULK	0.1800	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5245Bulk	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v						15 V	16オーム
FR104T/r	0.0400	RFQ	30	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FR104T/RTR	8541.10.0000	5,000	高速回復= <500ns	400 V	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
1N5255BULK	0.1800	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5255BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 21 V						28 v	44オーム
1N5392BULK	0.1800	RFQ	20	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5392Bulk	8541.10.0000	500	標準回復> 500ns	100 V	1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
sf13-bulk	0.2100	RFQ	15	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-SF13-bulk	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	150 v	950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
1N5394T/r	0.0400	RFQ	40	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N5394T/RTR	8541.10.0000	5,000	標準回復> 500ns	300 V	1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
MURA110	0.8500	RFQ	4	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	標準		sma（do-214ac）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-Mura110	8541.10.0000	500	高速回復= <500ns	100 V	875 mV @ 1 a	30 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
FEPF16DT	1.6600	RFQ	530	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-FEPF16DT	8541.10.0000	50	標準回復> 500ns	200 v	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	16a	85pf @ 4V、1MHz
BR608	0.8900	RFQ	3	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、BR-6	標準		BR-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR608	8541.10.0000	200			1 V @ 3 a		10 µA @ 800 V		6 a		単相	800 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（453）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²