画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4575A-1 | 4.0650 | ![]() | 1758 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50オーム | ||||||||||||||
jantxv1n758d-1 | 16.2450 | ![]() | 7103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N758 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||
1n6338us/tr | 14.7900 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 30 V | 39 v | 55オーム | ||||||||||||||
Jan1n3821c-1 | 17.3250 | ![]() | 6002 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3821 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10オーム | ||||||||||
jantx1n748d-1/tr | 6.5702 | ![]() | 1629 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n748d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||
jantxv1n4130c-1 | 23.1600 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4130 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | ||||||||||
jantx1n6348c | 29.2350 | ![]() | 7913 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6348c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 76 v | 100 V | 340オーム | ||||||||||||
1N6074US/TR | 17.6250 | ![]() | 1609 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6074US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 2.04 V @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 3a | - | |||||||||
![]() | SMBJ5944B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 1456 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5944 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | |||||||||
jantxv1n752d-1 | 14.2500 | ![]() | 4434 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N752 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 11オーム | ||||||||||
![]() | Jan1n979bur-1 | 4.4400 | ![]() | 3939 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N979 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 43 v | 56 v | 150オーム | |||||||||
![]() | Jan1n3051dur-1/tr | - | ![]() | 7312 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.25 w | do-213ab | - | 150-jan1n3051dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 152 v | 200 v | 1500オーム | ||||||||||||
![]() | SMBG5343AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5343 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.4 v | 7.5 v | 1.5オーム | |||||||||
![]() | 1 PMT4114CE3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4114 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | 150オーム | |||||||||
JANTX1N3038C-1 | 25.5600 | ![]() | 8545 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3038 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | ||||||||||
ues1305hr2/tr | 73.0500 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | E 、軸 | 標準 | E 、軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-US1305HR2/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | - | 5a | - | ||||||||||
![]() | Jan1n3828cur-1 | 35.5200 | ![]() | 7542 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3828 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||
![]() | 1N3272R | 158.8200 | ![]() | 4617 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3272 | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3272RMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 900 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 900 V | -65°C〜190°C | 275a | - | ||||||||
![]() | SMBJ5387CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 1742 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5387 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 137 v | 190 v | 450オーム | |||||||||
![]() | CDLL4565 | 5.2050 | ![]() | 2799 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 0°C〜75°C | 表面マウント | DO-213AA | CDLL4565 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3330B | 49.3800 | ![]() | 8815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3330 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 35.8 v | 47 v | 5オーム | |||||||||
![]() | jantx1n4946/tr | 11.2650 | ![]() | 9023 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/359 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4946/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||
![]() | 1N5919APE3/TR8 | 0.9150 | ![]() | 6417 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5919 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 2オーム | |||||||||
jans1n6310c | 280.2750 | ![]() | 6148 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6310 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n6941utk3as/tr | 506.5350 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | Thinkey™3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n6941utk3as/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65°C〜175°C | 150a | 7500PF @ 5V、1MHz | |||||||||
jantxv1n4982d | 23.4600 | ![]() | 1862年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4982d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 76 v | 100 V | 110オーム | ||||||||||||
jantxv1n5806urs | 27.9300 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N5806 | 標準 | a-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||
jantx1n3823a-1 | 8.5800 | ![]() | 8698 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3823 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | ||||||||||
![]() | 1N965bur-1 | 4.0350 | ![]() | 9343 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 11 V | 15 V | 16オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1N3644 | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/279 | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | s 、軸 | 標準 | s 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 1500 v | 5 V @ 250 Ma | 5 µA @ 1500 V | -65°C〜175°C | 250ma | - |
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