画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jans1n4104cur-1/tr | 91.5802 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4104cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | ||||||||||
![]() | 1 PMT4133E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 2081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4133 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 66.12 v | 87 v | 250オーム | |||||||||
jantx1n4112d-1 | 16.9800 | ![]() | 1669 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4112 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||
![]() | 1N6628U | 18.7200 | ![]() | 1082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N6628U | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 660 v | 1.35 V @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 660 v | -65°C〜150°C | 1.75a | 40pf @ 10V、1MHz | |||||||||
CDLL5937D | 11.7300 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5937 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | ||||||||||
Jan1n4968c | 15.3750 | ![]() | 6706 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4968 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 20.6 v | 27 v | 6オーム | ||||||||||
![]() | JANTX1N5522DUR-1/TR | 42.0014 | ![]() | 6987 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5522dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||
jantx1n4618-1/tr | 4.9210 | ![]() | 9319 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4618-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 1 V | 2.7 v | 1500オーム | ||||||||||||
jantxv1n4977d | 23.4600 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4977d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 47.1 v | 62 v | 42オーム | ||||||||||||
jans1n6320us | 211.0400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6320 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||
![]() | LSM540J/TR13 | 1.1700 | ![]() | 6820 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | LSM540 | ショットキー | DO-214AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 520 mV @ 5 a | 2 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||
![]() | jantxv1n4964dus | 27.0600 | ![]() | 1841年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4964dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | 1N5359/TR8 | 2.6250 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5359 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 17.3 v | 24 v | 3.5オーム | |||||||||
1N4574A/TR | 29.5200 | ![]() | 8506 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4574A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n1615 | - | ![]() | 5575 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/162 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n1615 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 16a | - | ||||||||||
![]() | BZV55C2V7 | 2.9400 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±7% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | BZV55C2V7 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | |||||||||||
![]() | jan1n4471dus/tr | 34.7550 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jan1n4471dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 14.4 v | 18 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n4963 | 80.9550 | ![]() | 7916 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 5 W | b 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 3.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1 PMT4627CE3/TR7 | 0.3750 | ![]() | 4296 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4627 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||
CDLL3030A | 15.3000 | ![]() | 6836 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3030 | 1 W | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||
Jan1N4977 | - | ![]() | 1645 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 47.1 v | 62 v | 42オーム | ||||||||||||
![]() | cdll4746/tr | 3.2319 | ![]() | 1887 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4746/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | S2230 | 33.4500 | ![]() | 5880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S2230 | 1 | |||||||||||||||||||||||
1N5943Bur-1 | 4.5300 | ![]() | 5371 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N5943 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | ||||||||||
![]() | CD6485 | 3.5112 | ![]() | 8499 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6485 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
![]() | jans1n4622cur-1 | 229.0350 | ![]() | 5669 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650オーム | ||||||||||||
![]() | CD5529B | 2.0482 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5529B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | ||||||||||
jans1n936b-1 | 443.9400 | ![]() | 8507 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jans1n936b-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||
1N4106-1 | 2.4750 | ![]() | 9526 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4106 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | |||||||||||
jantxv1n6311cus | 54.8400 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6311 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 30 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫