RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
CDLL5273D	8.4150	RFQ	4350	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AA				DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5273D	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 86 v				120 v	900オーム
CDLL5248A	2.8650	RFQ	6249	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5248		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V				18 v	21オーム
jans1n6345dus	527.5650	RFQ	4317	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jans1n6345dus	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 56 v				75 v	180オーム
jantx1n4468	12.4050	RFQ	5192	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4468		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.4 v				13 v	8オーム
jans1n4104dur-1	147.2700	RFQ	1124	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v				10 v	200オーム
JANTX1N6873UTK2AS	413.4000	RFQ	7183	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/469	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™2		標準		Thinkey™2	-			影響を受けていない	150-JANTX1N6873UTK2AS	ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns		1 V @ 400 Ma			-65°C〜175°C	400mA	-
CDLL4716C	5.9185	RFQ	1901年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4716C	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.8 v				39 v
jantxv1n4993d	63.9000	RFQ	7653	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v				300 V	950オーム
1N5992A	1.9950	RFQ	9931	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5992		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V				4.7 v	90オーム
cdll5243a/tr	2.7132	RFQ	3686	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5243a/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v				13 v	13オーム
JANKCA1N4569A	-	RFQ	3901	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4569a	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200オーム
jantx1n4134ur-1	9.4950	RFQ	8972	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4134		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 69.2 v				91 v	1200オーム
1N4992US/TR	16.4800	RFQ	8833	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-					ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 206 v				270 v	800オーム
1n975b/tr	2.1014	RFQ	6331	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N975B/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 29.7 v				39 v	80オーム
1N6305	123.4500	RFQ	5664	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/550	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N6305	標準		DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	100 V	1.18 V @ 150 a	60 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	70a	600pf @ 10V、1MHz
jantxv1n6912utk2cs	-	RFQ	3112	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/723	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™2		sic （炭化シリコン）ショットキー		Thinkey™2	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	回復時間なし> 500ma	45 v	640 mV @ 25 a		1.2 mA @ 45 v	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V、1MHz
jantx1n749c-1/tr	5.2668	RFQ	1617	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n749c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V				4.3 v	22オーム
SMBJ5941BE3/TR13	0.8850	RFQ	3273	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5941		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v				47 v	67オーム
Jan1n6642ub	20.6700	RFQ	3376	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N6642	標準		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns	75 v	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5PF @ 0V、1MHz
CDLL5543C	12.1950	RFQ	9617	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5543C	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v				25 v	100オーム
1N4574-1/TR	29.5200	RFQ	7831	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	0°C〜75°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4574-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100オーム
1 PMT5943C/TR7	2.7600	RFQ	4845	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5943		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 42.6 v				56 v	86オーム
jantxv1n3051d-1	-	RFQ	2997	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
1N3909	48.5400	RFQ	8606	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3909	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	50 v	1.4 V @ 50 a	200 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N5232	2.7150	RFQ	1000	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N5232	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2.9 v				5.6 v	11オーム
1N5523	1.8150	RFQ	4433	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5523	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V				5.1 v
jans1n4492cus	545.9250	RFQ	7515	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		250 Na @ 104 v				130 v	500オーム
1N5256A	4.2300	RFQ	3274	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5256		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		100 na @ 22 v				30 V	49オーム
CDLL5271A	3.5850	RFQ	2083	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5271		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 76 v				100 V	500オーム
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS5534DUR-1	ear99	8541.10.0050	50

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²