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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
cdll958b/tr	3.6841	RFQ	1201	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll958b/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 5.7 v						7.5 v	5.5オーム
GC1509-79	-	RFQ	9946	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし				-	-			影響を受けていない	150-GC1509-79	ear99	8541.10.0060	1										4.7pf @ 4V、1MHz	シングル	30 V			3.9	C0/C30	2600 @ 4V、50MHz
jantxv1n974dur-1/tr	21.6258	RFQ	5830	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n974dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V						36 v	70オーム
MV31012-M23	-	RFQ	8458	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	-	-				-	-			影響を受けていない	150-MV31012-M23	ear99	8541.10.0060	1										0.7pf @ 4V、1MHz	シングル	22 v			6.5	C2/C20	4000 @ 4V、50MHz
1N5526D	14.2050	RFQ	5909	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5526D	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v						6.8 v	30オーム
jantxv1n4619c-1/tr	16.5186	RFQ	7684	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4619c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v						3 v	1600オーム
MSASC150H60LR	-	RFQ	1760	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-MSASC150H60LR			100
JANTX1N6349C	28.2226	RFQ	9860	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n6349c	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 84 v						110 v	500オーム
Jan1N5622	6.0000	RFQ	6715	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5622	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1000 V		1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C〜200°C	1a	-
jans1n4961us	92.0400	RFQ	6624	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-			影響を受けていない	2266-Jans1N4961US	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		10 µA @ 9.9 v						13 v	3オーム
jan1n5811us/tr	8.4600	RFQ	9861	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5811us/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		150 v		875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	6a	60pf @ 10V、1MHz
Jan1n4130ur-1/tr	3.7772	RFQ	9755	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4130ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 51.7 v						68 v	700オーム
jantxv1n4128c-1/tr	20.6815	RFQ	9773	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4128c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 45.6 v						60 V	400オーム
ST3040A	63.3000	RFQ	3926	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	ST3040	標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-ST3040A	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	400 V	30a	1.2 V @ 15 a	5 µs	10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C
SMBG5363B/TR13	2.2500	RFQ	8222	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5363		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 21.6 v						30 V	8オーム
CDLL6330	14.6400	RFQ	9762	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL6330		500 MW	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14 V						18 v	14オーム
jans1n4488dus/tr	330.4050	RFQ	6881	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jans1n4488dus/tr	ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 a		250 Na @ 72.8 v						91 v	200オーム
jantx1n6485us/tr	-	RFQ	7436	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n6485us/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		50 µA @ 1 V						3.3 v	10オーム
CD5250B	1.4497	RFQ	7524	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5250B	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	25オーム
1N4446	1.8900	RFQ	3440	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4446	標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1N4446MS	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1 V @ 20 mA	4 ns	25 Na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
Jan1n3041bur-1	12.7350	RFQ	6235	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3041		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 56 v						75 v	175オーム
1N4929/tr	31.6800	RFQ	6761	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-25°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4929/tr	ear99	8541.10.0050	1													19.2 v	36オーム
1N5365AE3/TR13	0.9900	RFQ	8688	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5365		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 25.9 v						36 v	11オーム
1N4955	6.6150	RFQ	1700	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4955		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		100 µA @ 5.7 v						7.5 v	1.5オーム
UFR8505R	148.2150	RFQ	6044	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-UFR8505R			1
R20110	33.4500	RFQ	1969年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R20110			1
1N2838B	-	RFQ	9642	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2838		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 76 v						100 V	20オーム
CDLL5266	3.5850	RFQ	8347	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5266		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 52 v						68 v	230オーム
1N5618US/TR	6.7500	RFQ	1255	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		D-5a	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5618US/TR	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C〜200°C	1a	-
CD5818	4.7250	RFQ	8367	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/586	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	死ぬ		ショットキー		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5818	ear99	8541.10.0040	1	高速回復= <500ns		30 V		600 mV @ 1 a		100 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²