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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比条件	Q @ vr、f
jan1n2816b	-	RFQ	1963年年	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2816		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 13.7 v						18 v	2オーム
1N4735CPE3/TR12	1.1550	RFQ	8758	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4735		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						6.2 v	2オーム
jans1n4619dur-1/tr	193.4704	RFQ	2705	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4619dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v						3 v	1.6オーム
jan1n6351cus	63.7050	RFQ	6011	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jan1n6351cus	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 99 v						130 v	850オーム
APT30D60BCTG	4.9500	RFQ	335	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT30	標準		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	30a	1.8 V @ 30 a	85 ns	250 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
1N1197	75.5700	RFQ	9504	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1197	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		500 V		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 500 V	-65°C〜200°C	40a	-
SMBJ4742A/TR13	0.8850	RFQ	2959	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4742		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.1 v						12 v	9オーム
DSB2810	-	RFQ	2322	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	DSB2810	ショットキー		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		20 v		410 mv @ 1 Ma		100 Na @ 15 V	-65°C〜150°C	75ma	2PF @ 0V、1MHz
jans1n4582aur-1	123.7500	RFQ	8041	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	25オーム
1n754d/tr	5.7750	RFQ	7061	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N754D/TR	ear99	8541.10.0050	164					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						6.8 v	5オーム
jantxv1n4954c	27.6000	RFQ	9429	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v						6.8 v	1オーム
1N3266R	158.8200	RFQ	5558	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3266	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3266RMS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		350 V		1.3 V @ 300 a		75 µA @ 350 V	-65°C〜190°C	275a	-
JANKCA1N5546B	-	RFQ	4007	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n5546b	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.7 v						33 v	100オーム
R30405	49.0050	RFQ	1212	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R30405			1
1N4754E3/TR13	0.8100	RFQ	3048	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4754		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 29.7 v						39 v	60オーム
jantxv1n6351	14.6700	RFQ	4205	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6351		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 99 v						130 v	850オーム
jantxv1n6336us	24.4500	RFQ	8763	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6336		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 25 V						33 v	40オーム
CDLL6635	14.7300	RFQ	2914	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDLL6635	ear99	8541.10.0050	1
jantxv1n4460dus	38.5950	RFQ	5287	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4460dus	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		10 µA @ 3.72 v						6.2 v	4オーム
jans1n6485	-	RFQ	6095	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		50 µA @ 1 V						3.3 v	10オーム
Jan1n5536c-1/tr	12.6749	RFQ	4956	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5536c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 14.4 v						16 v	100オーム
CDLL5917D	11.7300	RFQ	5461	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5917		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1.5 v						4.7 v	5オーム
CDLL4764	3.4650	RFQ	7960	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4764			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 76 v						100 V	350オーム
1N3037B-1/TR	7.4214	RFQ	9788	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3037		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3037B-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 38.8 v						51 v	95オーム
jantx1n758d-1	7.5450	RFQ	4826	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8 V						10 v	7オーム
jantxv1n5527c-1	23.3700	RFQ	2968	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5527		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.8 v						7.5 v	35オーム
jan1n4567a-1	6.2700	RFQ	2739	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					1N4567				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jantx1n3318rb	-	RFQ	4077	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 13.7 v						19 v	2.2オーム
CD4765	23.9700	RFQ	3665	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	0°C〜75°C	表面マウント	死ぬ				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4765	ear99	8541.10.0050	1													9.1 v	350オーム
GC2510-17	-	RFQ	8952	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-GC2510-17	ear99	8541.10.0060	1										0.4pf @ 6V、1MHz	シングル	15 V			-	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²