画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDLL3026B | 15.3000 | ![]() | 8373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3026 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||
1N3611US | 8.2200 | ![]() | 1797 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3611US | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | CD5252B | 1.4497 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5252B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1N6489 | - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n6320/tr | 107.0906 | ![]() | 8812 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n6320/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 6.8 v | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||
jantx1n6351c | 31.8300 | ![]() | 8888 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6351c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 99 v | 130 v | 850オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4622UR | 3.3000 | ![]() | 8165 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4622 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650オーム | |||||||||||
jans1n6632dus | - | ![]() | 6759 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3オーム | ||||||||||||||
APT2X30S20J | 24.1200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | Apt2x30 | ショットキー | SOT-227 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt2x30S20J | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 200 v | 45a | 850 mv @ 30 a | 55 ns | 500 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 1 PMT4103/TR13 | 0.9600 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4103 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.92 v | 9.1 v | 200オーム | |||||||||||
1N752 | 2.1600 | ![]() | 5243 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 5.6 v | 11オーム | |||||||||||||||
CDLL957 | 2.8650 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL957 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 4.5オーム | ||||||||||||
Jan1N6663 | - | ![]() | 5012 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1 V @ 400 Ma | 50 Na @ 600 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||||||
![]() | jantx1n3043dur-1 | 46.6950 | ![]() | 7669 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3043 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 69.2 v | 91 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | CDLL0.5A20 | 3.1787 | ![]() | 6298 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | CDLL0.5 | ショットキー | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 650 mV @ 500 Ma | 10 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 500mA | 50pf @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | Jan1n3024bur-1/tr | 11.4247 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3024bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||
![]() | CD4109V | 3.0900 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4109V | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||||
jantxv1n3035b-1 | 11.8800 | ![]() | 8041 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3035 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | ||||||||||||
![]() | 1N6027C | 5.6250 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6027 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 99 v | 130 v | 950オーム | |||||||||||
![]() | jan1n5530dur-1/tr | 41.1768 | ![]() | 2082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5530dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.1 v | 10 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | SMBJ5365CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 6683 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5365 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||
jans1n5617us/tr | 67.8450 | ![]() | 2451 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n5617us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.6 V @ 3 a | 150 ns | 500 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 1a | 35pf @ 12V、1MHz | |||||||||||
jans1n4621-1/tr | 55.5200 | ![]() | 6586 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4621-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1.7オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n4128dur-1/tr | 137.5900 | ![]() | 7714 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4128dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 45.6 v | 60 V | 400オーム | ||||||||||||
![]() | 1N1343 | 45.3600 | ![]() | 7029 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1343 | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 150 v | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 150 v | -65°C〜200°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | jan1n4565aur-1/tr | 5.3850 | ![]() | 1303 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4565aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | |||||||||||||
jans1n4486us/tr | 151.3604 | ![]() | 3355 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4486us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 60 v | 75 v | 130オーム | |||||||||||||
![]() | Jan1n4124ur-1/tr | 7.8736 | ![]() | 7773 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4124ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 32.7 v | 43 v | 250オーム | |||||||||||||
CDLL5952B | 7.8450 | ![]() | 2910 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5952 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.9 v | 130 v | 450オーム | ||||||||||||
![]() | CD4148WD | 0.1350 | ![]() | 8350 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | 標準 | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4148WD | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -55°C〜175°C | 200mA | - |
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