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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | @ @ if、f | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S306010F | 49.0050 |  | 4639 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S306010F | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantxv1n4110d-1/tr | 25.8153 | | 8408 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4110d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.2 v | 16 v | 100オーム | |||||||||||||||||||
 | 1N4776 | 31.7100 | | 5075 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | 0°C〜75°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4776 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||
 | jantxv1n3040cur-1 | 46.1250 | | 7513 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1N3040 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 51.7 v | 68 v | 150オーム | ||||||||||||||||||
 | jan1n4476dus | 35.1000 | | 2049 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4476 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 24 V | 30 V | 20オーム | ||||||||||||||||||
 | 1N5934APE3/TR8 | 0.9150 | | 6059 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5934 | 1.5 w | do-204al（do-41） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | ||||||||||||||||||
 | Jan1n992dur-1 | - | | 7023 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 152 v | 200 v | 2500オーム | ||||||||||||||||||||
 | cdll962b/tr | 2.2743 | | 3201 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll962b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | |||||||||||||||||||
| jans1n4108d-1 | 101.3100 | | 3334 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||
 | jantx1n6326us | 16.8900 | | 1610 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||
| cdll6347/tr | 13.1404 | | 3102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6347/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 69 v | 91 v | 270オーム | |||||||||||||||||||
| jantxv1n4574aur-1 | 41.5050 | | 8093 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N4574 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5362AE3/TR8 | - | | 8033 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5362 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 20.1 v | 28 v | 6オーム | ||||||||||||||||||
 | 1N3338A | 49.3800 | | 6258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3338 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 11オーム | ||||||||||||||||||
| 1N5353AE3/TR8 | 2.6250 | | 8979 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5353 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 11.5 v | 16 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||||
| 1N4764UR-1 | 3.4650 | | 5961 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-1N4764UR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | ||||||||||||||||||||
| jan1n2818b | - | | 6168 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2818 | 10 W | TO-204AD（to-3） | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 15.2 v | 20 v | 2.4オーム | |||||||||||||||||||
| 1N3600UR/TR | 5.4400 | | 9091 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA | - | 179 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
| jantxv1n5539b-1/tr | 8.2327 | | 8801 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5539b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | |||||||||||||||||||
 | jan1n5553us | 9.9900 | | 9015 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 1N5553 | 標準 | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||
 | 1N6843CCU3 | 147.3150 | | 3470 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1N6843 | ショットキー | u3（md-0.5） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 1.03 V @ 15 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||
| jantxv1n6489dus | - | | 5715 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||
| 1N6893UTK1AS | 259.3500 | | 7076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-1N6893UTK1AS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MV34005-150A/TR | - | | 2171 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MV34005-150A/TR | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 2.2pf @ 4V、1MHz | シングル | 15 V | 7.4 | C2/C12 | 1800 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||||
 | SMBJ4760/TR13 | 0.8700 | | 1940年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4760 | 2 W | smbj（ do-214aa） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 51.7 v | 68 v | 150オーム | ||||||||||||||||||
| 1N5342BE3/TR8 | 2.6850 | | 9556 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5342 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 4.9 v | 6.8 v | 1オーム | ||||||||||||||||||
| MSASC100H45HR | - | | 3679 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™1 | ショットキー | Thinkey™1 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mv @ 80 a | -65°C〜150°C | 100a | - | ||||||||||||||||||||
| S53120TS | 158.8200 | | 8299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S53120TS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| jan1n962cur-1/tr | 10.2410 | | 2996 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n962cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | |||||||||||||||||||
| GC4210-154-2/TR | - | | 2628 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC4210-154-2/tr | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V、1MHz | ピン -シングル | 100V | 1.5OHM @ 20MA、1GHz |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
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