画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4929 | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -25°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 36オーム | ||||||||||||||
![]() | JANKCA1N4100 | - | ![]() | 5653 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n4100 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n4484us/tr | 17.7750 | ![]() | 9777 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantxv1n4484us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 49.6 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | BZV55C3V6 | 2.9400 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±6% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | BZV55C3V6 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | |||||||||||||
![]() | S306010F | 49.0050 | ![]() | 4639 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S306010F | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5545/tr | 5.9052 | ![]() | 3330 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5545/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 24 V | 30 V | 100オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4776 | 31.7100 | ![]() | 5075 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | 0°C〜75°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4776 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 v | 200オーム | |||||||||||||
![]() | 1 PMT4105/TR7 | 0.9600 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4105 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 8.44 v | 11 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | 1N4929A | 31.5000 | ![]() | 9032 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4929 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 36オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n4621dur-1 | 38.2050 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4621 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | |||||||||||
jan1n4625d-1/tr | 10.7730 | ![]() | 2089 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4625d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500オーム | |||||||||||||
![]() | 1N6921UTK4CS | 259.3500 | ![]() | 5870 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-1N6921UTK4CS | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5375BE3/TR13 | 0.8250 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5375 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 65オーム | |||||||||||
![]() | jans1n4113cur-1/tr | 91.5802 | ![]() | 5302 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4113cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 14.5 v | 19 v | 150オーム | ||||||||||||
jantxv1n4981 | - | ![]() | 7516 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 69.2 v | 91 v | 90オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N3038B-1/TR | 8.3700 | ![]() | 3626 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N3038 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3038B-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 113 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | ||||||||||||
jantxv1n5525b-1/tr | 8.2327 | ![]() | 5492 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5525b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3040cur-1 | 46.1250 | ![]() | 7513 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3040 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 51.7 v | 68 v | 150オーム | |||||||||||
jan1n4476dus | 35.1000 | ![]() | 2049 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4476 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 24 V | 30 V | 20オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5934APE3/TR8 | 0.9150 | ![]() | 6059 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5934 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||
![]() | jans1n4961dus/tr | 429.6722 | ![]() | 2922 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4961dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
Jan1n6314d | 30.4350 | ![]() | 8232 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6314 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||
1N5820US | - | ![]() | 5228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | sq-melf b | ショットキー | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 3 a | 100 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | jan1n4104dur-1 | 18.2400 | ![]() | 5547 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4104 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | ||||||||||||
Jan1n5802 | 7.4700 | ![]() | 2644 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N5802 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 2.5 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 2.5a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
jantxv1n4627d-1/tr | 22.9425 | ![]() | 5430 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4627d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | |||||||||||||
UZ816 | 22.6500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 3 W | A 、軸 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-UZ816 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 1N4766 | 81.6750 | ![]() | 9727 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | 0°C〜75°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4766 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 350オーム | |||||||||||||
![]() | apt2x100dq100j | 24.6700 | ![]() | 3936 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT2X100 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1000 V | 100a | 2.7 V @ 100 a | 290 ns | 100 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | |||||||||
jantxv1n6316dus | 68.5350 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6316 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 17オーム |
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