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ダイオード（ 34409）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5946bur-1 | 4.5300 |  | 6125 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N5946 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | |||||||||
 | CD5534BSBW | - | | 1771 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD5534BSBW | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | |||||||||||
| jans1n4478cus/tr | 283.9800 | | 2874 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jans1n4478cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 28.8 v | 36 v | 27オーム | ||||||||||||
 | jantxv1n3826aur-1/tr | 17.3299 | | 7335 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3826aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | ||||||||||
 | 1 PMT5927E3/TR7 | 0.7350 | | 1372 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±20％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5927 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||
 | 1N6325 | 8.4150 | | 1567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6325 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8.5 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||
 | Jan1n965dur-1 | 11.2500 | | 2447 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 1N965 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 11 V | 15 V | 16オーム | |||||||||
 | jan1n6335us | 13.4700 | | 2738 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6335 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 23 V | 30 V | 32オーム | |||||||||
| jantx1n3051b-1/tr | - | | 9619 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3051b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Jan1n3047b-1 | - | | 9876 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115N | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-13 | 1 W | do-13（do-202aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 98.8 v | 130 v | 700オーム | |||||||||||
 | jans1n4988us | 115.5000 | | 2066 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 136.8 v | 180 v | 450オーム | ||||||||||||
 | jantx1n6350dus/tr | 58.0500 | | 6756 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6350dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 120 v | 600オーム | ||||||||||||
| janhca1n4129d | - | | 8666 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4129d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム | |||||||||||
| jan1n5529bur-1/tr | 12.9542 | | 4239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5529bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | ||||||||||
| jantx1n748cur-1/tr | 10.8262 | | 1239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n748cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||
| jan1n4994cus | - | | 2229 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 251 v | 330 v | 1175オーム | |||||||||||
| jan1n4572aur-1/tr | 10.0800 | | 9043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4572aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | |||||||||||
| Jan1n969d-1 | 5.4900 | | 6532 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N969 | 500 MW | do-35 （do-204ah） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||
 | Jan1n3824a-1 | 6.7650 | | 2608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3824 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||
| jantx1n3825dur-1/tr | 45.2466 | | 3027 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ（ガラス） | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3825dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | ||||||||||
| jantx1n4962dus | 29.4600 | | 5701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4962 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 3.5オーム | |||||||||
| UES1304SM | 49.7550 | | 9892 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | - | 5a | - | |||||||||
| jan1n4112cur-1/tr | 13.0606 | | 8154 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4112cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | |||||||||||
| HSM590G/TR13 | 2.0100 | | 7256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | HSM590 | ショットキー | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 5 a | 250 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 5a | - | ||||||||
 | cdll5276b/tr | 3.4713 | | 3159 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5276b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 108 V | 150 v | 1500オーム | |||||||||||
| MSASC25H80K/TR | - | | 9658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC25H80K/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
 | jantx1n4946 | 11.2200 | | 8023 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/359 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N4946 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||
| 1N6537 | 14.3850 | | 4066 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6537 | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||
| 1N987bur-1 | 5.3850 | | 6940 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-1N987bur-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 91 v | 120 v | 900オーム | |||||||||||
| jan1n750aur-1/tr | 4.0831 | | 1088 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa （ガラス） | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n750aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 19オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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