画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n974bur-1 | 6.0900 | ![]() | 7927 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N974 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 27 V | 36 v | 70オーム | ||||||||||
1N4582A | 7.5300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-1N4582A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | |||||||||||
1N6334 | 8.4150 | ![]() | 2533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6334 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | |||||||||||
![]() | 1N5946B | 3.4050 | ![]() | 5308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5946 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5946BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | |||||||||
![]() | jantx1n3049bur-1 | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.5 w | do-213ab | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 1100オーム | |||||||||||
jan1n4100c-1 | 10.5000 | ![]() | 2849 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4100 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 200オーム | |||||||||||
jantxv1n6312dus | 68.5350 | ![]() | 4091 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6312 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ5360CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 3211 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5360 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 18 V | 25 v | 4オーム | |||||||||
![]() | SMBJ5943B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 1600 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5943 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||
![]() | SMAJ4759CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 1984年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4759 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||
![]() | jan1n4133cur-1/tr | 11.7838 | ![]() | 5486 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4133cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 66.2 v | 87 v | 1000オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n6630 | 15.1350 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/590 | バルク | アクティブ | 穴を通して | E 、軸 | 標準 | E 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 900 V | 1.7 V @ 3 a | 50 ns | 2 µA @ 990 v | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 10V、1MHz | |||||||||
1N6636 | 15.5550 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N6636 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 20 µA @ 1 V | 4.7 v | 450オーム | ||||||||||
jantxv1n6327 | 14.6700 | ![]() | 4962 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6327 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||
![]() | SMBG5371A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5371 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 43 v | 60 V | 40オーム | |||||||||
![]() | 1N4737CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4737 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||
jantx1n6353cus/tr | - | ![]() | 8869 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | 150-jantx1n6353cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 122 v | 160 v | 1200オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n6911utk2as | - | ![]() | 4574 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/723 | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | Thinkey™2 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 30 V | 540 mV @ 25 a | 1.2 mA @ 30 V | -65°C〜150°C | 25a | |||||||||||
![]() | CD5809 | 7.5450 | ![]() | 4468 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CD5809 | 1 | |||||||||||||||||||||||
1N5620 | 4.5800 | ![]() | 167 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N5620 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||
jans1n4618-1/tr | 55.5200 | ![]() | 2559 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4618-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 1 V | 2.7 v | 1.5オーム | |||||||||||
jans1n4470us | 91.8900 | ![]() | 8830 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム | |||||||||||||
UZ8714 | 22.4400 | ![]() | 6394 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 1 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ8714 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 10.6 v | 14 v | 12オーム | |||||||||||||
![]() | 1N823AUR-1 | 4.7550 | ![]() | 1232 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N823 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||
![]() | cdll5276d/tr | 8.5950 | ![]() | 4849 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AA | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5276d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 108 V | 150 v | 1500オーム | ||||||||||||
![]() | CDS5525C-1/TR | - | ![]() | 8229 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5525C-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
jan1n6625us | 14.1900 | ![]() | 8002 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/585 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N6625 | 標準 | D-5a | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1100 v | 1.75 V @ 1 a | 60 ns | 1 µA @ 1100 v | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 10V、1MHz | ||||||||
1N5274-1 | 3.0750 | ![]() | 4348 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5274-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 94 v | 130 v | 1100オーム | ||||||||||||
jantx1n4124d-1/tr | 15.8137 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4124d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 32.7 v | 43 v | 250オーム | |||||||||||
jantxv1n4487us | 17.6250 | ![]() | 7809 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4487 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 na @ 65.6 v | 82 v | 160オーム |
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