画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jans1n6327us | 134.8050 | ![]() | 4651 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5551 | 6.0450 | ![]() | 5321 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 1N5551 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | 1N3890 | 47.0100 | ![]() | 8506 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/304 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N3890 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3890ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 38 a | 200 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 12a | - | ||||||||||||
jan1n5620us | 8.2800 | ![]() | 3462 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N5620 | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C〜200°C | 1a | - | |||||||||||||
jantxv1n4989us | 21.2100 | ![]() | 6240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4989 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 152 v | 200 v | 500オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N6000B | 2.0700 | ![]() | 2062 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6000 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N6000BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8 V | 10 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | LSM845G/TR13 | 1.9500 | ![]() | 7847 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | LSM845 | ショットキー | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 520 mV @ 8 a | 2 MA @ 45 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
jantx1n4107c-1/tr | 14.8295 | ![]() | 7973 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4107c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 200オーム | ||||||||||||||||
jantxv1n4370c-1 | 19.8300 | ![]() | 1661 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4370 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | CD4127 | 1.3699 | ![]() | 5599 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4127 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 Na @ 42.6 v | 56 v | 300オーム | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT5932AE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 4574 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5932 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | ||||||||||||||
jantx1n4621-1 | 4.9200 | ![]() | 2902 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4621 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | |||||||||||||||
1N4565-1 | 3.2100 | ![]() | 5608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | 0°C〜75°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4565 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n6642/tr | 6.1579 | ![]() | 8253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/578 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | d 、軸 | 標準 | D-5d | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n6642/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | UES703 | 53.5950 | ![]() | 5119 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | do-203aa | - | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mV @ 25 a | 35 ns | 20 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||||||
![]() | CD748D | - | ![]() | 2575 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD748D | ear99 | 8541.10.0050 | 223 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||||
JANKCA1N5539C | - | ![]() | 4777 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n5539c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | |||||||||||||||||
jantx1n3030d-1 | 27.4500 | ![]() | 1054 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3030 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | |||||||||||||||
![]() | cdll749a/tr | 2.7132 | ![]() | 2838 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL749A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n3321rb | - | ![]() | 6717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 18.2 v | 24 v | 2.6オーム | ||||||||||||||||
CDLL985B | 2.9400 | ![]() | 6905 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL985 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 76 v | 100 V | 500オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4624E3/TR | 3.0150 | ![]() | 7895 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N4624E3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 315 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N2831RB | 96.0150 | ![]() | 1233 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2831 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 38.8 v | 51 v | 5.2オーム | ||||||||||||||
![]() | GC1503-00 | - | ![]() | 7753 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC1503-00 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.5pf @ 4V、1MHz | シングル | 30 V | 3.5 | C0/C30 | 3600 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||
![]() | CDLL991BE3 | 12.7680 | ![]() | 2458 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | - | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL991BE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 136.8 v | 180 v | 2200オーム | ||||||||||||||||
![]() | 30HFU-200 | 93.8250 | ![]() | 7295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-203ab(do-5) | - | 影響を受けていない | 150-30HFU-200 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | -65°C〜175°C | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5935C/TR13 | 2.7600 | ![]() | 8291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5935 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | ||||||||||||||
Jan1n4958us | 8.8200 | ![]() | 8709 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4958 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 25 µa @ 7.6 v | 10 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N742a | 2.0700 | ![]() | 2734 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N742 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 150 v | 860オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N2988A | 36.9900 | ![]() | 9743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N2988 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 7オーム |
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