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ダイオード（ 34409）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jans1n4618-1/tr	55.5200	RFQ	2559	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4618-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 1 V						2.7 v	1.5オーム
jans1n4470us	91.8900	RFQ	8830	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		50 Na @ 12.8 v						16 v	10オーム
UZ8714	22.4400	RFQ	6394	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8714	ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 10.6 v						14 v	12オーム
1N823AUR-1	4.7550	RFQ	1232	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N823		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	10オーム
cdll5276d/tr	8.5950	RFQ	4849	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AA				DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll5276d/tr	ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 108 V						150 v	1500オーム
CDS5525C-1/TR	-	RFQ	8229	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS5525C-1/TR	ear99	8541.10.0050	50
jan1n6625us	14.1900	RFQ	8002	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a	1N6625	標準		D-5a	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1100 v	1.75 V @ 1 a	60 ns	1 µA @ 1100 v	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V、1MHz
1N5274-1	3.0750	RFQ	4348	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5274-1	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 94 v						130 v	1100オーム
jantx1n4124d-1/tr	15.8137	RFQ	9469	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4124d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 32.7 v						43 v	250オーム
jantxv1n4487us	17.6250	RFQ	7809	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4487		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 mA		250 na @ 65.6 v						82 v	160オーム
jans1n4966dus	460.2000	RFQ	3241	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 16.7 v						22 v	5オーム
CD3824a	4.3624	RFQ	1160	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3824a	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.3 v	9オーム
688-12	280.3200	RFQ	6233	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		標準		-	ダウンロード			影響を受けていない	150-688-12	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	12000 v	20 V @ 400 MA	500 ns	2 µA @ 12000 v	-65°C〜150°C	500mA	-
1 PMT5928BE3/TR7	0.7350	RFQ	5894	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5928		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.9 v						13 v	7オーム
jantxv1n5524c-1/tr	20.8544	RFQ	8444	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5524c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 3.5 v						5.6 v	30オーム
1N3329A	49.3800	RFQ	8514	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3329		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µA @ 32.7 v						45 v	4.5オーム
SMBG5364CE3/TR13	1.4400	RFQ	1198	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5364		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 23.8 v						33 v	10オーム
1N3295R	102.2400	RFQ	9952	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	1N3295	標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3295RMS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1000 V	1.55 V @ 310 a		10 mA @ 1000 v	-65°C〜200°C	100a	-
jantx1n5186	8.7900	RFQ	2829	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/424	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸	1N5186	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	100 V	1.5 V @ 9 a	150 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
cdll958b/tr	3.6841	RFQ	1201	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll958b/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 5.7 v						7.5 v	5.5オーム
MG1650-M16	-	RFQ	7389	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-		スタッド	MG1650			-	-			影響を受けていない	150-MG1650-M16	ear99	8541.10.0060	1								-	-	-			-
GC1509-79	-	RFQ	9946	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし				-	-			影響を受けていない	150-GC1509-79	ear99	8541.10.0060	1								4.7pf @ 4V、1MHz	シングル	30 V				3.9	C0/C30	2600 @ 4V、50MHz
jantxv1n974dur-1/tr	21.6258	RFQ	5830	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n974dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V						36 v	70オーム
MV31012-M23	-	RFQ	8458	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	-	-				-	-			影響を受けていない	150-MV31012-M23	ear99	8541.10.0060	1								0.7pf @ 4V、1MHz	シングル	22 v				6.5	C2/C20	4000 @ 4V、50MHz
1N5526D	14.2050	RFQ	5909	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5526D	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v						6.8 v	30オーム
jantxv1n4619c-1/tr	16.5186	RFQ	7684	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4619c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v						3 v	1600オーム
MSASC150H60LR	-	RFQ	1760	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-MSASC150H60LR			100
Jan1n3014rb	-	RFQ	2436	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		10 µA @ 136.8 v						180 v	260オーム
JANTX1N6349C	28.2226	RFQ	9860	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n6349c	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 84 v						110 v	500オーム
Jan1N5622	6.0000	RFQ	6715	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/427	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸	1N5622	標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1000 V	1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C〜200°C	1a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（ 34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²