画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv1n6320us | 180.0000 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||
jans1n4484dus | 330.2550 | ![]() | 1427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4484dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 49.6 v | 62 v | 80オーム | |||||||||||
Jan1N4131-1 | - | ![]() | 6633 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 57 v | 75 v | 700オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5952CE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5952 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 450オーム | ||||||||
jantxv1n3035b-1 | 11.8800 | ![]() | 8041 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3035 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||
![]() | jantxv1n4110dur-1 | 36.3450 | ![]() | 4054 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4110 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.2 v | 16 v | 100オーム | ||||||||
![]() | 1N7054UR-1 | 9.3000 | ![]() | 2000 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N7054 | 250 MW | do-213ab | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 v | 35オーム | |||||||||||
CDLL3026B | 15.3000 | ![]() | 8373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3026 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||
1N6492 | 46.9800 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/567 | バルク | アクティブ | 穴を通して | To-205af Metal Can | 1N6492 | ショットキー | to-205af(to-39) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 680 mV @ 4 a | 2 MA @ 45 v | -65°C〜175°C | 3.6a | 450pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | jantx1n4993 | 14.2500 | ![]() | 8050 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4993 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 228 v | 300 V | 950オーム | ||||||||
![]() | jantxv1n4617cur-1 | 30.5400 | ![]() | 3624 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 2.4 v | 1400オーム | |||||||||||
jan1n4125c-1 | 10.5000 | ![]() | 3210 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4125 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 35.8 v | 47 v | 250オーム | ||||||||||
jans1n4975us | 92.0400 | ![]() | 3103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 38.8 v | 51 v | 27オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4052 | 158.8200 | ![]() | 4392 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4052 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 600 v | -65°C〜190°C | 275a | - | |||||||||
![]() | CDS5542B-1 | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5542B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5523bur-1 | 19.3500 | ![]() | 6115 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5523 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2.5 v | 5.1 v | 26オーム | ||||||||
1N752 | 2.1600 | ![]() | 5243 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 5.6 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | SMBJ5344CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 4640 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5344 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.9 v | 8.2 v | 1.5オーム | ||||||||
![]() | CD5252B | 1.4497 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5252B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | |||||||||
![]() | 1N4572a | 6.5250 | ![]() | 9884 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n4118cur-1/tr | 19.9367 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4118cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 20.5 v | 27 v | 150オーム | ||||||||||
![]() | jan1n5541dur-1/tr | 32.1993 | ![]() | 2138 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5541dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 19.8 v | 22 v | 100オーム | |||||||||
![]() | jantx1n750cur-1 | 12.1800 | ![]() | 4361 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N750 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 19オーム | ||||||||
![]() | SMAJ4764AE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 8860 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4764 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | ||||||||
![]() | 1N4568/tr | 6.3000 | ![]() | 2010年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4568/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 150 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | JANTX1N4371DUR-1 | 19.3350 | ![]() | 8115 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4371 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||
![]() | jantxv1n3329rb | - | ![]() | 4202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3329rb | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 32.7 v | 45 v | 4.5オーム | |||||||||
![]() | jantx1n3047c-1 | - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
jantxv1n4970c | 22000 | ![]() | 1594 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4970c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 25.1 v | 33 v | 10オーム | |||||||||||
CDLL5941C | 7.8450 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5941 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム |
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